近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
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SiC MOSFET
在本文中，我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的，包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率，以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下，纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%，同时，降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明，纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商（包括现有制
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SiC BEV 牵引逆变器
近日，罗姆和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)宣布，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片，满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“该SiC衬底长期供应协
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碳化硅 晶圆
近日，全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“ST”）宣布，双方就碳化硅（以下简称“SiC”）晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH （以下简称“SiCrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由SiCrystal（SiC晶圆生产量欧洲第一）向ST（面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商）供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官（CEO） Jean-Marc Chery 说：
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SiC 车载
半导体硅晶圆大厂环球晶圆董事长徐秀兰日前表示，明年半导体景气仍受贸易摩擦、总体经济及汇率三大变数干扰，但从客户端库存改善、拉货动能加温，以及应用扩大等来看，硅晶圆产业已在本季落底，明年上半年整体景气动能升温速度优于预期，她预估环球晶圆明年首季与本季持平或略增，往后将会逐季成长。
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环球晶圆 硅晶圆 碳化硅
近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器，帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%，优于竞争产品；功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源，典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。目前，许多开关电源采用宽带隙碳化硅(SiC)晶体管来提高电源效率和晶体管可靠性。但是，高开关频率的瞬态特性会产生较大噪声，影响系统的正常工作或者需要额外的措施抑制干扰
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碳化硅 栅极驱动器
简介电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。目前最先进的宽带器件，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能，如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗，以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求，例如，，通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势，这款单通道器件的输出驱动能
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DC/DC SiC
近日， 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）于12月2日宣布，完成对瑞典碳化硅（SiC）晶圆制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后，意法半导体行使期权，收购了剩余的45％股份。Norstel并购案总价为1.375亿美元，由现金支付。
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意法半导体 碳化硅 Norstel AB
全球碳化硅（SiC）技术领先企业科锐与ABB电网事业部宣布达成合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协议内容包括在ABB种类齐全的产品组合中将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体，这将助力科锐扩大客户基础，同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车（EV）市场。
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科锐 ABB 碳化硅
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
一辆新能源汽车、一组高能效服务器电源，核心功能的实现都离不开电力电子系统中半导体器件的支撑。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具有低能耗、体积小、重量轻等特点，国际上都在竞相研发碳化硅半导体制备技术。近日，记者在区内企业世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产，研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域，实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。
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第三代半导体 碳化硅 世纪金光
近日，随金牛座纳星运行了37天的碳化硅MEMS（微机电系统）微推力器阵列芯片接受地面点火指令成功点火，在轨验证了对金牛座纳星的姿态控制技术。
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MEMS 碳化硅 微推力器阵列
日前，第三届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳举行。与会专家学者认为，第三代半导体未来应用潜力巨大，具备变革性的突破力量，是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。 2018年，美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域研发支持力度，国际厂商积极、务实推进，商业化的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子器件新品不断推出，性能日益提升，应用逐渐广泛。受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等积极因素，国内第三代半导体产业稳步发展。但是，在材料指标、器件性能等方
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半导体 碳化硅
商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高，对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求，进一步改进MOSFET/ IGBT产品，但在某些时候，收益递减
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SiC MOSFET 意法半导体
近日，意法半导体（ST）在华举办了“ST工业巡演2019”。在北京站，ST亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri分析了工业市场的特点，并介绍了ST的产品线宽泛且通用性强，能够提供完整系统的支持。1 芯片厂商如何应对工业市场少量多样的挑战工业领域呈现多样、少量的特点，需要改变消费类电子大规模生产的模式，实现少量、高质量的生产。具体地，工业的一大挑战是应用的多样化，即一个大应用下面通常有很多小的子应用，所以产品会非标准化，即一个产品只能针对某一类小应用/小客户的需
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电机 MCU 电源 SiC
碳化硅(sic)介绍
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