随着第三代半导体的工艺越来越成熟和稳定，应用在工业和电动汽车上的产品也变得多样化。作为半导体行业中的佼佼者，意法半导体同样重视第三代半导体带来的优势作用，推出了有关氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列产品，有力地推动了第三代半导体在电动汽车和工业领域上的应用发展。2022年2月意法半导体召开媒体交流会，介绍了意法半导体在全球碳中和理念的背景下，如何通过创新技术和推出新的产品系列，为世界控制碳排放做出贡献。 据调查，工业领域中将电力利用效率提升1%，就能节约95.6亿千瓦时的能源。这意味着节约了
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意法半导体 ST 碳化硅 氮化镓 202203
新年第一个月，中国首条碳化硅全产业链垂直整合制造平台 -- 湖南三安“喜提”多个好消息。长沙制造碳化硅二极管量产出货并顺利通过客户验证，车规级二极管接连获得汽车行业客户订单。新能源汽车迎来“碳化硅元年”，湖南三安驶入发展快车道在化石燃料资源和环境问题面前，各国都发布了“双碳”计划。欧盟各国决定在2040-2060年间彻底禁止燃油车，拜登政府也计划拿出超过600亿美元用于推动家用车和公交车的电动化，日本则是通过提高行业燃油经济性标准以促进新能源车普及。碳化硅功率器件以其出色的能源转换效率，在充电桩、车载充电
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三安集成 碳化硅 车规产品
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
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环旭电子 电动车用逆变器 IGBT SiC 电源模块
11月27日， 由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办，由中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会承办、深圳市科技交流服务中心、深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心执行的“2021中欧科技创新合作发展论坛”专业论坛——“2021中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳隆重举行。论坛上，来自国内及英国、法国、比利时等国际知名的科学家、科技组织、科研院校、行业协会、半导体企业及投资机构等泛第三代半导体产业生态圈的代表参与大会，共同探讨中欧第三代半导体产业发展和应用现况及未来趋势，并就如何深化“碳中和”目标
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第三代半导体 碳化硅
新基建和“双碳”战略目标推动下，第三代半导体产业正在开启发展加速度，有望成为绿色经济的中流砥柱，引领新一轮产业革命。“创新为基，创芯为本”，11月27日，2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展，受到了现场来自汽车、工业、消费等领域以及第三代半导体产业生态圈的多位业内人士的高度关注。汽车级全碳化硅功
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第三代半导体 碳化硅 MOSFET
基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二极管
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务之一，将由Chris Dries博士领导，他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官，现任Qorv
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SiC 电源
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信号质量提升（SIC）技术已用于TJA146x收发器系列中，并已经成功应用到长安汽车最新的平台中。恩智浦的CAN SIC技术有效提升了CAN信号质量，使CAN FD网络能够在更大型复杂网络中运行，实现更快的数据传输速率。这项经济高效的技术能够扩展CAN FD的潜力和灵活性，从而应对下一代汽车的网络挑战。中国汽车制造商长安汽车是第一家在生产中采用恩智浦的CAN SIC技术的汽车客户。● 长安汽车成为第一家采
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OEM SiC
碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势，引领和加速了汽车电动化进程，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段，汽车产销量、保有量连续6年居世界首位，在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新，为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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碳化硅 新能源汽车 功率半导体 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化硅MOSFET分离式和模块产品组合，Microchip推出一款全新 ”生产就绪”的1200V数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运输并满足严格的行业要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可降低50%开关损耗对于碳化硅电源转换设备的设计人员来说，Microchip的Agi
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Microchip 碳化硅 MOSFET
无桥式图腾柱功率因数校正（PFC） 级可用于满足严格的效率标准，但使用硅 MOSFET 时出现的较高损耗是不可接受的，而解决方案则是使用宽带隙碳化硅（SiC）器件。本文将讨论能够实现这些改进的 SiC器件性能参数。
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碳化硅 图腾柱 PFC 体二极管 恢复 电荷 效率 损耗 输出电容
近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
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意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
碳化硅(sic)介绍
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