1 关注关键应用的节能减排安森美半导体提供所有应用的电力电子解决方案，也专注于一些关键应用，包括能源基础设施（太阳能转换、储能、电动车充电站/ 桩）、工业、云计算和5G 基础设施。这些市场都有其独特的技术挑战。这些挑战由相同因素的不同组合驱动：提高能效、减小尺寸和质量以及优化系统成本或拥有成本。例如太阳能转换，从集中式逆变器到组串式逆变器的转变消除了逆变器的单点故障风险。如果一个组串式逆变器停止工作，仍可用其他组串来发电。它还有个额外的好处，就是能对较少量的面板进行最大功率点追踪。
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202107 SiC
由于5G、电动车、高频无线通信及国防航天等新兴科技趋势的兴起，产业对于高频率、低耗损的表现需求日益增加，如何在高温、高频率及高电压等恶劣环境作业下损失较少功率的化合物半导体材料，备受产业期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作宽能隙半导体的器件，能够满足传统硅基半导体所不能满足的诸多优点。放眼全球化合物半导体大厂，碳化硅（SiC）晶圆的供应以美国大厂Cree为首，是具有上下游整合制造能力的整合组件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高达六至七成。磊晶厂则以美国的II-VI Incorporated为代表；模
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碳化硅 宽能隙半导体
图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍，一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标，又要用功率因素校正（PFC）将线路谐波发射保持在低水平，以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下，会通过升压转换器部分实施PFC，升压转换器会将整流后
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SiC FET PFC
近些年，随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增，因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下，SiC的争夺战正一触即发。碳化硅材料之殇SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底贵，目前，衬底成本大约是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圆生产环节20%，封装测试环节5%。SiC衬底不止贵，生产工艺还复杂，与硅相比，碳化硅很难处理、研磨和锯切，挑战非常大。所以大多数企业都是从Cree、Rohm等供应商购买衬底。SiC器件广泛用于光伏逆变器、工
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SiC 功率半导体
意法半导体(STMicroelectronics) 以“意法半导体，科技始之于你”为主题亮相2021年慕尼黑上海电子展，展示其行业领先的智能出行、电源和能源管理、物联网和5G产品及解决方案。 作为意法半导体重要的业务领域之一，此次展台的焦点是一辆智能电动轿跑小鹏P7，这款先进的新能源智能汽车的车辆控制单元(VCU)中采用意法半导体的先进的多功能芯片L9788，这是首个集成CAN FD收发器的U-chip解决方案，符合最高的功能性安全标准，产品竞争优势包括节省物料清单(BOM)成本、减少印刷电路板(PCB)
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意法半导体 SiC BMS
1 电动汽车BMS的技术趋势对恩智浦而言，我们所观察到的电动汽车制造商在规划整个车型电气化过程中正在面对如下挑战，这也代表了现在技术发展的趋势。1) 电池成本的持续降低是电动车普及以及车厂盈利的重要决胜点。除电芯降本外，还需要不断优化电子电气以及机械架构，并制作支持自动化组装的生产线，这样才能提高生产效率。2) 延长里程需要提高比能量，缩短充电时间则要增加比功率，在逐渐挑战比能量和比功率极限的过程中，电池管理功能安全的等级、诊断的精度
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BMS SiC
1 中国新能源汽车市场的需求特点首先，中国的电动化发展速度很快，中国企业的创新力旺盛，而且直接从传统汽车向新能源汽车过渡，没有美国或欧洲企业所面临的复杂的“技术遗产”问题。相比欧美，新兴的中国车企更期待新能源汽车。在中国，功率转换系统在汽车中的应用非常广泛，这就是为什么ST专注于与中国客户合作开发电源管理系统。ST汽车和分立器件产品部大众市场业务拓展负责人公司战略办公室成员Giovanni Luca SARICA2 SiC在成本上有优势吗SiC解决方案的成本
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新能源汽车 SiC
中国化合物半导体全产业链制造平台 -- 三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
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三安集成 碳化硅 MOSFET
GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
随着电动汽车（EV）数量的增加，对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长，如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比，新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量，因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80％，行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准， 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天，我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商 UnitedSiC 近日宣布与益登科技签署代理协议，益登科技是总部位于台湾的半导体产品主要分销商和解决方案供应商。益登科技将与UnitedSiC合作，助其将产品推向亚洲市场，为包括电动汽车、电池充电、IT基础设施、可再生能源和电路保护等高增长应用领域的客户提供产品方案。UnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin BulutUnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin Bulut 表示：“亚洲市场正在迅速崛起，急需采用能够实现新产品差异化的新技术。益登的
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SiC 电动汽车
随着物联网，大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链。全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。 碳化硅，作为发展的最成熟的第三代半导体材料，其宽禁带，高临界击穿电场等优势，是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。已在智能电网，轨道交通，新能源，开关电源等领域得到了应用，展现出了优良的性质和广阔的
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碳化硅，半导体
目前，碳化硅市场正处于快速增长中，根据各大咨询机构统计，碳化硅在电源的功率因数校正（PFC）、太阳能逆变器、光伏逆变器、不间断电源、5G、通信电源、高频开关电源等领域都拥有非常广阔的市场。与传统硅材料相比，新一代的宽禁带半导体材料碳化硅可提供高场强、高能隙，以及高电子移动速度和热导率，让下一代半导体器件的性能得到革命性提升。
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安森美 SiC 碳化硅
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应
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MOSFET 碳化硅 UPS
碳化硅(sic)介绍
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