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碳化硅(sic) 文章 最新资讯

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

  • 引言全球能源短缺和大气污染问题日益严峻,汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一,罗姆一直致力于技术创新,研发各种高效、高品质的功率器件,为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案,在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。缩短充电时间的高输出挑战对电动汽车车主来说,缩短充电时间是非常重要的诉求,而大功率充电是其中关键的支撑技术。提升续航距离需要増加电池容量,为缩短充电时间,需要高输出能力的充电桩,如360kW的充电桩要搭载9个40kW的电源
  • 关键字: 充电桩  碳化硅  

意法半导体制造首批8吋碳化硅晶圆

  • 意法半导体(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圆,这些晶圆将用于生产下一代功率电子芯片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计划获得重要阶段性的成功,其巩固了ST在此一开创性技术领域的领导地位,且提升了功率电子芯片的轻量化和效能,降低客户获取这些产品的拥有总成本。 意法半导体制造首批8吋碳化硅晶圆意法半导体首批8吋SiC晶圆质量十分优良,对于芯片良率和晶体位错误之缺陷非常低。其低缺
  • 关键字: 意法半导体  碳化硅  

郑有炓院士:第三代半导体迎来新发展机遇

  • 半导体材料是信息技术的核心基础材料,一代材料、一代技术、一代产业,半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化,推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展。同样地,信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展。第三代半导体材料及其应用第三代半导体是指以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料,它是继20世纪50年代以Ge、Si为代表的第一代半导体和70年代以GaAs、InP为代表的第二代半导体之后于90年代发展起来的新型宽禁带半导体材料,即禁带宽度明显大于Si(1.12 eV)和Ga
  • 关键字: 第三代半导体  SiC  

汽车电气化的部分关键技术及ST的解决方案

  • 1   汽车电气化的趋势和挑战汽车市场中与电气化相关的应用是减少交通碳排放影响的关键因素。中国领导人在2020年9 月提出中国要在2030年碳达峰,2060 年实现碳中和的目标。为了实现碳中和,减少能源使用中的碳排放是其中的重要一环。电能是清洁、高效的能源品种,用电能作为主要的能源消耗可以大幅减少碳排放。同时也要发展低排放的清洁能源作为主要发电的能源。中国交通运输行业碳排放占比达10%,而公路运输占其中的74%,主要来自燃油车的排放。因此,发展电动汽车并逐渐从燃油车过渡到电动汽车对减少
  • 关键字: 202108  SiC  BMS  

清洁安全的汽车将由功能电子化和自动驾驶赋能

  • 未来的汽车将是清洁和安全的汽车,由先进的汽车功能电子化和自动驾驶技术赋能。安森美半导体汽车战略及业务拓展副总裁 Joseph Notaro1   功率器件赋能电动汽车电动车可帮助实现零排放,其市场发展是令人兴奋和充满生机的,随着电动车销售不断增长,必须推出满足驾驶员需求的基础设施,以提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成行程,而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展,需要超过350 kW 的功率水平和95% 的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点,紧凑
  • 关键字: 202108  SiC  汽车  OBC  

安森美半导体:为关键应用推出系列绿色解决方案

  • 1   关注关键应用的节能减排安森美半导体提供所有应用的电力电子解决方案,也专注于一些关键应用,包括能源基础设施(太阳能转换、储能、电动车充电站/ 桩)、工业、云计算和5G 基础设施。这些市场都有其独特的技术挑战。这些挑战由相同因素的不同组合驱动:提高能效、减小尺寸和质量以及优化系统成本或拥有成本。例如太阳能转换,从集中式逆变器到组串式逆变器的转变消除了逆变器的单点故障风险。如果一个组串式逆变器停止工作,仍可用其他组串来发电。它还有个额外的好处,就是能对较少量的面板进行最大功率点追踪。
  • 关键字: 202107  SiC  

碳化硅基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术

  • 由于5G、电动车、高频无线通信及国防航天等新兴科技趋势的兴起,产业对于高频率、低耗损的表现需求日益增加,如何在高温、高频率及高电压等恶劣环境作业下损失较少功率的化合物半导体材料,备受产业期待。而基于碳化硅(SiC)芯片制作宽能隙半导体的器件,能够满足传统硅基半导体所不能满足的诸多优点。放眼全球化合物半导体大厂,碳化硅(SiC)晶圆的供应以美国大厂Cree为首,是具有上下游整合制造能力的整合组件制造商(IDM),在碳化硅之全球市占率高达六至七成。磊晶厂则以美国的II-VI Incorporated为代表;模
  • 关键字: 碳化硅  宽能隙半导体  

采用SiC FET尽可能提升图腾柱PFC级的能效

  • 图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率,但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过,SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍,一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标,又要用功率因素校正(PFC)将线路谐波发射保持在低水平,以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下,会通过升压转换器部分实施PFC,升压转换器会将整流后
  • 关键字: SiC FET  PFC  

SiC大战拉开帷幕,中国胜算几何

  • 近些年,随着电动汽车以及其他系统的增长,碳化硅(SiC)功率半导体市场正在经历需求的突然激增,因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下,SiC的争夺战正一触即发。碳化硅材料之殇SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底贵,目前,衬底成本大约是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圆生产环节20%,封装测试环节5%。SiC衬底不止贵,生产工艺还复杂,与硅相比,碳化硅很难处理、研磨和锯切,挑战非常大。所以大多数企业都是从Cree、Rohm等供应商购买衬底。SiC器件广泛用于光伏逆变器、工
  • 关键字: SiC  功率半导体  

功率半导体-马达变频器内的关键组件

  • 全球有约 30% 的发电量用于驱动工业应用中的马达,而全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高,未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。
  • 关键字: IGBT7  SiC MOSFET  马达变频器  功率半导体  英飞凌  

以中国带动世界 意法半导体抢占新能源汽车制高点

  • 意法半导体(STMicroelectronics) 以“意法半导体,科技始之于你”为主题亮相2021年慕尼黑上海电子展,展示其行业领先的智能出行、电源和能源管理、物联网和5G产品及解决方案。 作为意法半导体重要的业务领域之一,此次展台的焦点是一辆智能电动轿跑小鹏P7,这款先进的新能源智能汽车的车辆控制单元(VCU)中采用意法半导体的先进的多功能芯片L9788,这是首个集成CAN FD收发器的U-chip解决方案,符合最高的功能性安全标准,产品竞争优势包括节省物料清单(BOM)成本、减少印刷电路板(PCB)
  • 关键字: 意法半导体  SiC  BMS  

电动汽车BMS的技术趋势及恩智浦的解决方案

  • 1   电动汽车BMS的技术趋势对恩智浦而言,我们所观察到的电动汽车制造商在规划整个车型电气化过程中正在面对如下挑战,这也代表了现在技术发展的趋势。1)   电池成本的持续降低是电动车普及以及车厂盈利的重要决胜点。除电芯降本外,还需要不断优化电子电气以及机械架构,并制作支持自动化组装的生产线,这样才能提高生产效率。2)   延长里程需要提高比能量,缩短充电时间则要增加比功率,在逐渐挑战比能量和比功率极限的过程中,电池管理功能安全的等级、诊断的精度
  • 关键字: BMS  SiC  

SiC在电动汽车的功率转换中扮演越来越重要的角色

  • 1   中国新能源汽车市场的需求特点首先,中国的电动化发展速度很快,中国企业的创新力旺盛,而且直接从传统汽车向新能源汽车过渡,没有美国或欧洲企业所面临的复杂的“技术遗产”问题。相比欧美,新兴的中国车企更期待新能源汽车。在中国,功率转换系统在汽车中的应用非常广泛,这就是为什么ST专注于与中国客户合作开发电源管理系统。ST汽车和分立器件产品部大众市场业务拓展负责人公司战略办公室成员Giovanni Luca SARICA2   SiC在成本上有优势吗SiC解决方案的成本
  • 关键字: 新能源汽车  SiC  

三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造,贯通碳化硅器件产品线

  • 中国化合物半导体全产业链制造平台 --  三安集成于日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
  • 关键字: 三安集成  碳化硅  MOSFET  

TI为何把首款GaN FET定位于汽车和工业应用

  • GaN(氮化镓)作为新一代半导体材料,正有越来越广泛的应用。近日,德州仪器(TI)宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET,分别面向车用充电器和工业电源,可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会?此次GaN FET的突破性技术是什么?为此,电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1   GaN在电源领
  • 关键字: GaN  FET  SiC  
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碳化硅(sic)介绍

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