- 由于5G、电动车、高频无线通信及国防航天等新兴科技趋势的兴起,产业对于高频率、低耗损的表现需求日益增加,如何在高温、高频率及高电压等恶劣环境作业下损失较少功率的化合物半导体材料,备受产业期待。而基于碳化硅(SiC)芯片制作宽能隙半导体的器件,能够满足传统硅基半导体所不能满足的诸多优点。放眼全球化合物半导体大厂,碳化硅(SiC)晶圆的供应以美国大厂Cree为首,是具有上下游整合制造能力的整合组件制造商(IDM),在碳化硅之全球市占率高达六至七成。磊晶厂则以美国的II-VI Incorporated为代表;模
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碳化硅 宽能隙半导体
宽能隙半导体介绍
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