11月27日， 由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办，由中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会承办、深圳市科技交流服务中心、深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心执行的“2021中欧科技创新合作发展论坛”专业论坛——“2021中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳隆重举行。论坛上，来自国内及英国、法国、比利时等国际知名的科学家、科技组织、科研院校、行业协会、半导体企业及投资机构等泛第三代半导体产业生态圈的代表参与大会，共同探讨中欧第三代半导体产业发展和应用现况及未来趋势，并就如何深化“碳中和”目标
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第三代半导体 碳化硅
新基建和“双碳”战略目标推动下，第三代半导体产业正在开启发展加速度，有望成为绿色经济的中流砥柱，引领新一轮产业革命。“创新为基，创芯为本”，11月27日，2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展，受到了现场来自汽车、工业、消费等领域以及第三代半导体产业生态圈的多位业内人士的高度关注。汽车级全碳化硅功
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第三代半导体 碳化硅 MOSFET
基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二极管
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务之一，将由Chris Dries博士领导，他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官，现任Qorv
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SiC 电源
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信号质量提升（SIC）技术已用于TJA146x收发器系列中，并已经成功应用到长安汽车最新的平台中。恩智浦的CAN SIC技术有效提升了CAN信号质量，使CAN FD网络能够在更大型复杂网络中运行，实现更快的数据传输速率。这项经济高效的技术能够扩展CAN FD的潜力和灵活性，从而应对下一代汽车的网络挑战。中国汽车制造商长安汽车是第一家在生产中采用恩智浦的CAN SIC技术的汽车客户。● 长安汽车成为第一家采
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OEM SiC
碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势，引领和加速了汽车电动化进程，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段，汽车产销量、保有量连续6年居世界首位，在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新，为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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碳化硅 新能源汽车 功率半导体 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化硅MOSFET分离式和模块产品组合，Microchip推出一款全新 ”生产就绪”的1200V数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运输并满足严格的行业要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可降低50%开关损耗对于碳化硅电源转换设备的设计人员来说，Microchip的Agi
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Microchip 碳化硅 MOSFET
无桥式图腾柱功率因数校正（PFC） 级可用于满足严格的效率标准，但使用硅 MOSFET 时出现的较高损耗是不可接受的，而解决方案则是使用宽带隙碳化硅（SiC）器件。本文将讨论能够实现这些改进的 SiC器件性能参数。
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碳化硅 图腾柱 PFC 体二极管 恢复 电荷 效率 损耗 输出电容
近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
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意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
引言全球能源短缺和大气污染问题日益严峻,汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一,罗姆一直致力于技术创新,研发各种高效、高品质的功率器件,为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案,在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。缩短充电时间的高输出挑战对电动汽车车主来说,缩短充电时间是非常重要的诉求,而大功率充电是其中关键的支撑技术。提升续航距离需要増加电池容量,为缩短充电时间,需要高输出能力的充电桩,如360kW的充电桩要搭载9个40kW的电源
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充电桩 碳化硅
意法半导体（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圆，这些晶圆将用于生产下一代功率电子芯片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计划获得重要阶段性的成功，其巩固了ST在此一开创性技术领域的领导地位，且提升了功率电子芯片的轻量化和效能，降低客户获取这些产品的拥有总成本。 意法半导体制造首批8吋碳化硅晶圆意法半导体首批8吋SiC晶圆质量十分优良，对于芯片良率和晶体位错误之缺陷非常低。其低缺
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意法半导体 碳化硅
半导体材料是信息技术的核心基础材料，一代材料、一代技术、一代产业，半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化，推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展。同样地，信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展。第三代半导体材料及其应用第三代半导体是指以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料，它是继20世纪50年代以Ge、Si为代表的第一代半导体和70年代以GaAs、InP为代表的第二代半导体之后于90年代发展起来的新型宽禁带半导体材料，即禁带宽度明显大于Si（1.12 eV）和Ga
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第三代半导体 SiC
1 汽车电气化的趋势和挑战汽车市场中与电气化相关的应用是减少交通碳排放影响的关键因素。中国领导人在2020年9 月提出中国要在2030年碳达峰，2060 年实现碳中和的目标。为了实现碳中和，减少能源使用中的碳排放是其中的重要一环。电能是清洁、高效的能源品种，用电能作为主要的能源消耗可以大幅减少碳排放。同时也要发展低排放的清洁能源作为主要发电的能源。中国交通运输行业碳排放占比达10%，而公路运输占其中的74%，主要来自燃油车的排放。因此，发展电动汽车并逐渐从燃油车过渡到电动汽车对减少
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202108 SiC BMS
未来的汽车将是清洁和安全的汽车，由先进的汽车功能电子化和自动驾驶技术赋能。安森美半导体汽车战略及业务拓展副总裁 Joseph Notaro1 功率器件赋能电动汽车电动车可帮助实现零排放，其市场发展是令人兴奋和充满生机的，随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW 的功率水平和95% 的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑
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202108 SiC 汽车 OBC
碳化硅(sic)介绍
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