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碳化硅(sic) 文章 进入碳化硅(sic)技术社区

罗姆首次亮相“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”

  • 　　全球知名半导体制造商罗姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中国国际展览中心举办的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”(展位号：2展馆T213)。以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念，带来了新能源汽车、汽车小型化轻量化、自动驾驶、人机交互等相关领先半导体产品。　　罗姆展台人头攒动　　在 “Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”特别展示区以及“xEV”、“环保/节能”、“安全/舒适”三大展区内，重点展示了以下产品和技术：　　・ 先进的SiC(碳化硅)技术：助力 “Formula
  • 关键字： 罗姆  SiC  

德州仪器CTO：TI颠覆性技术将引领我们快速前进

  • 　　当我坐在电动汽车上踩下加速踏板，时速在3秒之内就能从0飙升到近100公里——我非常享受这个过程。正如我驾车疾驰在高速公路快车道上，而新一代技术将载着我们驰骋在大数据公路的快车道上。　　畅想一下，新技术将影响着我们未来的工作和生活：　　· 汽车组装生产线上将重新配置协作机器人，由它们来组装不同型号的车辆。这将在降低成本的同时大大提高生产力，发挥竞争优势。今天，重置一个这样的工厂可能需要几年的时间。　　· 机器视觉技术将使人们即使在夜间、雾天和灰尘的环境下，驾驶时也可清晰视物。　　· 充电器尺寸将缩小到信
  • 关键字： 德州仪器  SiC  

应用角：云电源

  • 　　云电源是描述用于传输、存储和处理云数据的设备的电源的通用术语。在电信或传输应用中，云电源将为基带单元和远程无线电单元供电。用于存储和处理的服务器机群还需要大型不间断电源，以确保在暂时断电时用户仍可访问云。每台服务器还将需要一个电源单元(PSU)，以及众多的DC-DC转换器来提供负载点电源。　　由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数(2017年付运约20亿台设备，比2015年增长54%)，因此需要大量的存储器来处理和存储数据。为此，正在构建大型服务器机群，这些机群将消耗大量电力。电源转换将产生热量，终
  • 关键字： 云电源  SiC  

低功耗SiC二极管实现最高功率密度

  • 　　相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。　　安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑
  • 关键字： 肖特基二极，SiC  

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

  • 　　前言　　包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统，需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。　　小型辅助电源用SiC MOSFET　　图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下，MOSFET的最高耐压
  • 关键字： SiC，MOSFET  

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

  • 　　6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。　　中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。”　　SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
  • 关键字： SiC  

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

  • 　　6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。　　中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。”　　SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
  • 关键字： SiC  

安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用

  • 　　推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。　　SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI)，减小的系统尺寸和降低的成本使SiC
  • 关键字： 安森美  SiC  

美高森美继续扩大碳化硅产品组合提供 下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件

  • 　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展，在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD
  • 关键字： 美高森美  SiC  

ROHM集团Apollo筑后工厂将投建新厂房, 以强化SiC功率元器件的产能

  • 　　全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力，决定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)的筑后工厂投建新厂房。　　新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000㎡。现在，具体设计工作正在有条不紊地进行，预计将于2019年动工，于2020年竣工。　　ROHM自2010年开始量产SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来，于世界首家量产“全SiC”功率模块和沟槽结构SiC-MOSFET，不断进行着领先业界的技
  • 关键字： ROHM  SiC  

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行调研基本半导体

  • 　　4月9日上午，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。　　基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品，包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。　　随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定，并鼓励公司团队再接再厉，立足创新驱动，不断发展壮大，成为中国第三代半导体产业的领军企业。　　国家集成电路产业投资基金是为促进集
  • 关键字： 基本半导体  碳化硅  功率芯片  集成电路  

ROHM炫动慕展，为汽车车载带来一大波方案

  • 　　ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海电子展"，并占据馆内的入口人气位置，以炫动的赛车和动感十足的汽车产品，吸引观众的眼球。那么，这次ROHM重点带来了什么汽车新品?　　据悉，此次展会围绕“汽车电子”和“工业设备”，重点展示了功率电源产品及解决方案。　　图：ROHM展台设在展馆入口处，动感赛车吸引眼球　　赛车性能突破极限，因为有SiC　　视频上吸睛的车队是文图瑞电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) ，RO
  • 关键字： ROHM  SiC  

SiC将与IGBT或MOSFET共存

  • 虽然碳化硅有成本方面的问题，但是其众所周知的在各个高端应用中所表现出的高性能也能够弥补其在价格方面的短板，尤其是在电动车与再生能源越来越受到重视，将为中功率、高功率应用领域带来大量需求。氮化镓技术能够降低成本，又能够保持半导体器件的优越性能，在中、低功率应用领域具备拥有巨大潜力。但也并不是说将来所有的功率器件都会被碳化硅替代，我们认为碳化硅和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的领域中共同发挥所长，共生共栖。
  • 关键字： 瑞萨，碳化硅  

SiC和GaN产品市场趋势及力特提供的产品

  • 硅半导体器件在过去数十年间长期占据着电子工业的统治地位，它铸就了电子世界的核心，覆盖我们日常生活中的绝大部分应用。宽禁带电子器件，以碳化硅和氮化镓的形式，因其自身有着传统的硅技术无法克服的优势正在日益普及。
  • 关键字： 力特，SiC，GaN  

新一代功率器件动向：SiC和GaN

  • 更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量（+ 400TWh）的3％，也占总温室气体排放量的2％，与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下，各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规，以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
  • 关键字： 安森美，SiC，GaN  
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碳化硅(sic)介绍

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