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碳化硅(sic) 文章 最新资讯

ROHM赞助上海同济大学“DIAN Racing”电动方程式车队

  •   近年来,出于地球温室化对策和减少空气污染的考虑,对汽车的环保性能要求越来越高。世界各国均已制定了新能源汽车的开发和引进计划,未来新能源汽车的普及将会进一步加速。其中,中国新能源汽车市场发展势头最为迅猛。随着中国新能源汽车市场的迅速壮大和新能源汽车技术的快速发展,越来越多的中国新能源汽车品牌开始走出国门,投身到波澜壮阔的世界新能源汽车市场。  作为全球知名半导体制造商, ROHM一直以来都将汽车市场为主要目标领域,通过开发并提供SiC元器件、电源IC、控制IC等满足最新汽车电子化需求的创新型高
  • 关键字: ROHM  SiC  

电动汽车打开应用窗口:SiC产品要来了!

  • 随着技术的不断更新换代,以及电动汽车市场的巨大助力,SiC产品有望迎来快速增长期。
  • 关键字: 电动汽车  SiC  

我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

  •   近日,863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。   通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势,特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显,由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的
  • 关键字: 半导体  SiC  

碳化硅电力电子器件的发展现状分析

  • 碳化硅电力电子器件的发展现状分析-SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。
  • 关键字: 碳化硅  

在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

  •   摘要  本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性,并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明,新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆,让系统具更高的能效,对市场上现有系统设计影响较大。  前言  市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。  宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好,被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中,兼容硅
  • 关键字: MOSFET  SiC  

制造能耗变革从新一代半导体开始

  •   接近62%的能源被白白浪费   美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说,而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计,本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。      图1:整体的能源转换效率约在38
  • 关键字: SiC  GaN  

ROHM SiC在汽车领域的应用

  • 近年来,SiC(碳化硅)因其优异的节能效果和对产品小型化、轻量化的贡献,在新能源汽车、城市基础设施、环境/能源,以及工业设备领域的应用日益广泛。与同等额定电流的IGBT产品相比,SiC产品凭借更低的开关损耗,可实现设备中冷却机构的小型化。同时,通过更高频率的开关动作,还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。可见,SiC是可以同时实现设备节能化、小型化和轻量化的“理想的元器件”。
  • 关键字: ROHM  SiC  汽车  

走过疑虑 SiC器件终迎春天

  • 在经过多年的疑虑和犹豫之后,SiC器件终于迎来了春天。
  • 关键字: SiC  Cree  

英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块,在PCIM上推出CoolSiC™系列产品的其他型号

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。c科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今,英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。  英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已达到转折点,考虑到成本效益,它
  • 关键字: 英飞凌  碳化硅  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能与高可靠性

  • SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
  • 关键字: 电源转换器  SiC  MOSFET  逆变器  201707  

英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块,在PCIM上推出CoolSiC™系列产品的其他型号

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今,英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。  英飞凌工业功率控
  • 关键字: 英飞凌  碳化硅  

三菱电机携多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

  •   三菱电机于6月27至29日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2017(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)展会中,以十款新型功率器件强势登场,其中第7代IGBT模块更首次作全电压、全封装及全系列展出(三菱电机展位号:E06)。  三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题,今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域,包括:变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电,致力为客户提供高性能及低损耗的产品。  变频家电市场  在变频家电应用方面,三菱电机展出
  • 关键字: 三菱电机  碳化硅  

SiC集成技术的生物电信号采集方案设计

  • 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了.
  • 关键字: SiC  集成技术  生物电信号  采集方案  

基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

  • 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了,但如何
  • 关键字: EEG  SiC  生物电信号采集  IMEC  

碳化硅肖特基二极管在电源中的应用

  • 功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定,能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的
  • 关键字: 碳化硅  肖特基二极管  电源  DCM  PFC  
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碳化硅(sic)介绍

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