SiC功率半导体正进入多个应用领域
当首款碳化硅(SiC)二极管于2001年推出时，整个产业都对SiC功率半导体的未来发展存在疑虑，它会有市场吗?它能够真正实现商业化吗?然而15年之后的今天，人们不再会有这样的疑虑。SiC功率半导体市场是真实存在的，而且具有广阔的发展前景。2015年，SiC功率半导体市场(包括二极管和晶体管)规模约为2亿美元，到2021年，其市场规模预计将超过5.5亿美元，这期间的复合年均增长率预计将达19%。毫无悬念，消耗大量二极管的功率因素校正(powerfactorcor
关键字：
SiC 功率半导体
通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，是通信网络上一个完整而又不可 替代的关键部件。通信电源产品种类繁多，一般集中放在机房里，如图1所示。
图1：通讯电源机房 目前主流的通讯电源，其参数如下： • 输入电压AC:90-264V 50/60Hz • 输出功率：2kw •
关键字：
SiC PFC
英飞凌科技股份公司为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的
关键字：
英飞凌 SiC-MOSFET
通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，是通信网络上一个完整而又不可 替代的关键部件。
通信电源产品种类繁多，一般集中放在机房里，如图1所示。
图1：通讯电源机房
目前主流的通讯电源，其参数如下：
• 输入电压AC:90-264V 50/60Hz
• 输出功率：2kw
• 输出：最大电压1
关键字：
世强 SiC
SiC是这两年刚刚兴起的，主要用在工控/工业上，例如产线机器人、逆变器、伺服等。车辆方面，主要是电动车(EV)，此外还有工厂车间的搬运车等特种车。
相比IGBT，SiC有一些特点，可以做到高频;做成模块后，由于适应适应高频，外围器件例如电感你可以减小。因此电压方面，ROHM推荐1200V的产品，这可体现出耐高压的特点。
现在ROHM SiC模块中，300A是量产中最大的电流(如图)，由几个芯片并联在一起的。如果一个芯片40A左右，就需要约七八个芯片并联，面积只有单个芯片那么大。绝缘层是由氧
关键字：
ROHM SiC
东芝在工业领域推出大功率器件——IEGT以及SiC相关产品。这些产品可以广泛用到电气机车牵引、可再生能源、电力传输、工业变频、电动汽车等工业领域，这些领域对减小噪声、装置体积以及能耗的要求越来越高。 东芝是全球第一个商业化生产IGBT器件的厂家，率先导入了“门级注入增强”技术以降低IGBT静态损耗，用该技术注册了东芝大功率IGBT的专用商标---“IEGT”。 东芝电子(中国)公司副董事长野村尚司 目前东芝提供从1700V~4500V的高耐压产品系列。通过使用高耐压、高结温的IEGT及SiC材料
关键字：
IEGT SiC
大阪大学和电装2016年3月28日宣布，在日本新能源及产业技术综合开发机构(NEDO)的项目下，发现了有望提高碳化硅(SiC)功率半导体长期可靠性的接合材料自我修复现象。研究人员发现，在高温的设备工作环境下，用作接合材料的银烧结材料自行修复了龟裂，这大大提高了SiC半导体在汽车等领域的应用可能性。
此次的SiC接合使用银膏烧结粘接法，该方法使用微米级和亚微米级的混合银颗粒膏，以250℃低温在空气环境实施30分钟接合工艺，获得了裸片粘接构造。与常见的使用纳米颗粒施加高压的接合方法相比有很多优点，包
关键字：
SiC 功率半导体
全球知名半导体制造商ROHM现身在上海新国际博览中心举办的“2016慕尼黑上海电子展(electronica China 2016)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多，并且融入了最尖端技术的产品。这些高新领先的技术、强势多元化的产品、多种热门应用解决方案，吸引了众多业内外人士驻足及交流。
关键字：
ROHM SiC
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。
世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围，
关键字：
世强 SiC
DIGITIMES Research观察，传统以块体矽(Bulk Si)材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现，业界逐渐改以新材料寻求突破，其中氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)材料技术最受瞩目，氮化镓具有更高的切换频率，碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压，而原有的矽材仍有成本优势，预计未来功率半导体市场将三分天下。
更高的耐受温度、电压，或更高的切换频率、运作频率，分别适用在不同的应用，对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压，对于新一代的行动通讯基地台，或资料中心机房设备而言
关键字：
GaN SiC
2016年11月16日-21日，全球知名半导体制造商ROHM亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(ELEXCON 2015)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多，并且融入了最尖端技术的产品。ROHM所带来的高新领先技术、强势多元化的产品、以及多种解决方案，受到来场参观者的广泛好评。 ROHM模拟电源“领衔”业内标准 近年来，全世
关键字：
ROHM SiC
2015年3月份，一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈，没错，这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换电站数量要达到1.2万个，充电桩达到450万个，这意味着一个千亿级市场将在国内的充电行业产生。
充电桩通常被誉为新能源汽车的“加油站”，可以固定在墙壁或地面，根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。如图1所示，目前的充电桩可以提
关键字：
Cree SiC
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
关键字：
SiC MOSFET
当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带(WBG)半导体材料时，都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中最先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出，电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙，可以进一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年将以21%的CAGR成长至1.1亿美元
由碳化硅电力设备市场驱动，n型碳化硅基
关键字：
GaN SiC
碳化硅(sic)介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅(sic)!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅(sic)的理解，并与今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473