本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。对目前热门的碳化硅材料和英飞凌碳化硅技术做了介绍，并着重说明了碳化硅器件在UPS应用中的优势。分析给出了目前UPS常用拓扑及方案，最后基于50 kW的逆变部分做了各方案的损耗分析。1.引 言互联网数据中心(Internet Data Center,IDC),是集中计算和存储数据的场所，是为了满足互联网业务以及信息服务需求而构建的应用基础设施。受新基建、数字经济等国家政策影响以及新一代信息技术发展的驱动，我国数据中心市场规模增长迅猛。随着
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Infineon 碳化硅 UPS
2022年11月14日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、加利福尼亚州洛杉矶市与中国上海市讯 -- 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。 AMP 公司硬件工程副总裁 Jia
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在最近召开的EEVIA第十届年度中国硬科技媒体论坛暨2022产业链研创趋势展望研讨会上，来自英飞凌安全互联系统事业部的汽车级WiFi/BT及安全产品应用市场管理经理杨大稳以“英飞凌赋能未来汽车低碳化和数字化发展“为题，详细介绍了英飞凌在汽车电子领域的相关产品和未来趋势。 新能源车是全球汽车市场增长最快也是需求最旺盛的领域，特别是在中国这个全球产销第一的市场，2022年国有品牌汽车占据近一半的中国汽车市场份额，最大的驱动力是来自于新能源车和电动车。可以预想，随着政府和车厂的支持，电动车未来几年会迎
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中国北京 – 2022 年 11 月 8 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）与半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。此次合作将提高半导体供应链的弹性，并更好地满足汽车市场对先进碳化硅解决方案迅速增长的需求。随着客户采用 Qorvo 业界领先的第 4 代 SiC FET 解决方案，该协议还会为他们提供更好的保护并增强其信心。SiC 器件
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11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半导体国际论坛2022”在上海国际会议中心成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享。此次论坛重点讨论的主题包括：开幕演讲，化合物半导体与光电及通讯，宽禁带半导体及新型功率器件。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙先生为此次论坛致欢迎词。居龙表示：“在大家的支持下，功率及化合物半导体国际论坛从2016年开始首办，今年已经是第七届。在严格遵守防疫规定的前提下，希望大家能在SEMI的平台上充分交流。不经历风雨，怎么能
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当前，全球主要国家和地区都已经宣布了“碳达峰”的时间表。在具体实现的过程中，轨道交通将是一个重要领域。由于用能方式近乎100%为电能，且带动大量基础设施建设，因此轨道交通的“碳达峰”虽然和工业的“碳达峰”路径有差异，但总体实现时间将较为接近。在中国，这个时间节点是2030年之前。当然，“碳达峰”在每一个领域都有狭义和广义的区分，比如在工业领域，一方面是重点企业自身通过节能+绿电的方式实现“碳达峰”，另一方面也需要围绕重点企业的产业链上下游全面实现能耗降低。对于轨道交通也是如此，狭义层面的轨交工具，以及广义
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Mouser SiC
· 在“重塑未来”战略指引下，捷豹路虎正在向电动化优先转型，全力开启未来出行之路，在 2039 年实现净零碳排放· 与 Wolfspeed 的战略合作将确保碳化硅（SiC）半导体技术的供应，并成为下一代路虎∙揽胜、路虎∙发现、路虎∙卫士、捷豹汽车电动化的重要组成部分· &
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绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放。 碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属
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10月24日，士兰微发布公告称，近期，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。士兰微表示，公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。据了解，2017年12月1
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现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
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碳化硅的发展与电动汽车的快速发展紧密相连，随着新能源汽车的加速渗透，以及自动驾驶技术的升级演变，车用芯片需求不断上升，第三代半导体碳化硅技术重要性愈发凸显。Wolfspeed、安森美、意法半导体作为碳化硅领域的头部企业，其动态是行业的重要风向标，近期三家企业均发表了对碳化硅行业的积极展望，反映车规级碳化硅产品的渗透率情况好于预期。Wolfspeed将建造全球最大碳化硅材料工厂近日，碳化硅厂商Wolfspeed公司表示，随着需求的激增，其将在北卡罗来纳州查塔姆县建造一座价值数十亿美元的新工厂，以生产为电动汽
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2022年9月20日，国内第三代半导体碳化硅头部企业——基本半导体完成C4轮融资，由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。这是基本半导体在今年完成的又一轮融资。6月和7月，该公司分别完成了C2和C3轮两轮融资。连续多轮资本的加持，充分印证了基本半导体在业务加速拓
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半导体寒气袭人知谁暖？芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业，三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年；野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%；费城半导体指数 (SOX)近6个月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此时，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 安森美二季度财报发布后，就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”，而
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碳化硅 氮化镓
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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碳化硅(sic)介绍
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