3 月 3 日消息，美国电动汽车制造商特斯拉在首次投资者日活动上表示，计划减少下一代电动汽车动力系统中碳化硅晶体管的使用量，当地时间周四相关芯片制造商的股价纷纷下跌。本周三举行的特斯拉投资者日活动讨论的一个主要内容是效率提升和成本控制。特斯拉动力系统工程负责人科林・坎贝尔（Colin Campbell）登台展示了公司计划如何在保持高性能和转化效率的同时降低汽车动力系统的成本。坎贝尔透露，“在我们的下一代动力系统中，作为关键部件的碳化硅晶体管价格昂贵，但我们找到了一种方法，可以在不影响汽车性能或效率的情况下
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特斯拉 碳化硅
当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车 (EV) 充电站等。为何选择 SiC？为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的
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安森美 SiC
在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料，它能减轻对硅的依赖。SiC 是宽禁带 (WBG) 半导体：将电子激发到导带所需的能量更高，并且这种宽禁带具备优于标准硅基器件的多种优势。由于漏电流更小且带隙更大，器件可以在更宽的温度范围内工作，而不会发生故障或降低效率。它还具有化学惰性，所有这些优点进一步巩固了 SiC 在电力电子领域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已广泛用于众多应用，例如电源、纯
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安森美 碳化硅
日前，英飞凌科技继续扩大了与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC材料，协议后期则会助力英飞凌向8英寸晶圆的过渡。合作过
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英飞凌 碳化硅
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC
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英飞凌 Resonac 碳化硅 SiC
与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键特征之一。如果只需要两个工人来搬运和安装该系统，将会非常利于运维。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高。这不仅节省了能源，而且使设备更小、更轻，相关的资本、安装和维护成本更低。关键的应用要求及其挑战。在光伏和储能系统中，1500V的高系统电压要求宇宙辐射引起的故障率非常低，同时要求功率器件具有更高的系统效率
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英飞凌 SiC 逆变器
Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基势垒二极管 SBD
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域，高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、
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SiC MOSFET
● Wolfspeed 将与采埃孚在德国建立联合研发中心，旨在进一步提升在全球碳化硅系统和器件创新领域的领先地位。● 采埃孚将向 Wolfspeed 投资，以支持全球最先进、最大的碳化硅器件工厂的建设。全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.和与致力于打造下一代出行的全球性技术公司采埃孚集团宣布建立战略合作伙伴关系。这其中包括建立一座联合创新实验室，共同推动碳化硅系统和器件技术在出行、工业和能源应用领域的进步。此次合作还包括采埃孚将向
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Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
· 将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。· 扩展至欧洲的碳化硅器件制造布局，将支持不断加速中的客户需求，同时也将支持公司在 2027 财年达成 40 亿美元的长期营收展望。· 将成为公司先前宣布的 6
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Wolfspeed 碳化硅 制造工厂
去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款开售，其产品设计和功能变化都引起了外界关注。在特斯拉 Model 3 车型中，SiC 得到量产应用，这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车，可提高续航里程，对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈，乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。目前，业内普遍认为以 SiC 为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料，那么宽禁带半导体当前发展状况如何？国内外发展宽禁带半导体有哪些区别？未来发展面临着哪些挑战？01、特斯拉 Model 3 首批
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特斯拉 Model 3 SiC
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
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瑞萨 栅极驱动IC EV逆变器 IGBT SiC MOSFET
2023 年 1 月 30 日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。 安森美将首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驱逆变器电源模块，作为协议的一部分。EliteSiC 电源模块具备引脚兼容特性，可
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意法半导体（ST）是一家拥有非常广泛产品组合的半导体公司，尤其汽车更是ST非常重视的市场之一。 意法半导体车用和离散组件产品部策略业务开发负责人Luca SARICA指出，2022年车用和离散组件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。ST在2021年的营收达到43.5亿美元，而若与2022年相比，车用产品部门与功率和离散组件部门的营收增幅都相当显著，达30%以上。车用和离散组件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支持汽车的所有应用。 图一 : ADG营运策略ADG
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英飞凌科技与其碳化硅 (SiC) 供货商扩展合作关系，宣布与 Resonac (前身为昭和电工) 签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在 2021年的协议。新合约将深化双方在 SiC 材料的长期合作，根据合约内容，Resonac将供应英飞凌未来10年预估需求量中双位数份额的SiC半导体。 英飞凌工业电源控制事业部总裁 Peter WawerResonac将先供应6吋的SiC晶圆，并将于合约期间支持过渡至 8 吋晶圆，英飞凌亦将提供 Resonac 关于 SiC 材料技术的智财 (IP)。双
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