SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可以超过使用的MOSFET 的最大规格，那就必须抑制尖峰。MOS_DS电压尖峰产生的原因在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制
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Arrow 碳化硅 MOSFET
2023年1月4日 — 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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安森美 EliteSiC 碳化硅
电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加，并且在众多新技术中发挥着核心作用，包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋
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国晶微半导体 SIC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 罗姆自2010年
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罗姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 纯电动汽车逆变器
现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定，原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变器的功率模块(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半导体，成本与转换效率比传统的硅半导体更高，更能提升续航。如今瑞士半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模块，并确认 E-GMP 平台的起亚 EV6 等车款将采用，预计在动力、续航都能再升级。E-GMP 平台，原先已在后马达逆变器采用 Si
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SiC 碳化硅功率模块 起亚 EV6 意法半导体 ACEPACK DRIVE
安森美在过去的两年间通过成功的转型之旅，实现了业绩和利润的双丰收。在转型路上公司又有哪些关键技术和策略的调整呢？带着这些问题本刊记者采访了安森美CEO Hassane El-Khoury。两大技术支柱的创新支持和打造可持续发展的生态系统，这是驱动安森美投资的主要动力，也是企业职责所在。
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202212 安森美 碳化硅
近日消息，从东风汽车官方获悉，东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。IGBT行业的门槛非常高，除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求，作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%，并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。同时，总投资2.8亿元的功率模块二期项
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东风 碳化硅 功率模块 IGBT
IT之家 12 月 12 日消息，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。面向储能逆变器市场，国星光电 NS62m 功率模块新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。国星光电 NS62m 功率模块采用标准型封装，半桥拓扑
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国星光电 碳化硅 NS62m MOSFET
2022年12月5日，英国伦敦、美国北卡罗来纳州达勒姆市与中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布为捷豹 TCS 车队近日重磅发布的捷豹 I-TYPE 6 赛车提供功率半导体技术和产品的全方位支持。全新I-TYPE 6赛车专为 2023 年度 ABB 国际汽联电动方程式世界锦标赛 Formula E（以下简称：Formula E）设计、研发打造，标志着 Formula E 赛事正式迈入第三代（Gen3）赛车新时代。
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汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC）技术来提供解决方案。在追求性能的同时，对于车载产品来说，可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中，高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说，门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及，但事实是无论
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据日本共同社日前报道， 日本电子零部件巨头罗姆（ROHM）将于今年12月量产下一代功率半导体，以碳化硅（SiC）为原材料。据悉，罗姆花费约20年推进研发碳化硅半导体。新一代半导体可让可提高机器运转的用电效率， 若装在纯电动汽车上，续航里程可提升一成，电池体积也可更小。据悉，罗姆将在福冈县筑后市工厂今年开设的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产，还计划为增产投资最多2200亿日元（约合人民币114亿元），并将2025年度的碳化硅销售额上调至1100亿日元。公开资料显示， 碳化硅具备
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高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率转换
目前影响着车辆运输和半导体技术的未来有两大因素。业界正在采用令人振奋的新方法，即以洁净的能源驱动我们的汽车，同时重新设计支撑电动车（EV）子系统的半导体材料，大幅提升功效比，进而增加电动车的行驶里程。政府监管机构持续要求汽车OEM减少其车系的整体二氧化碳排放量，对于违规行为给予严厉的处罚，同时开始沿着道路和停车区域增设电动车充电基础设施。但是，尽管取得了这些进展，主流消费者仍然对电动车的行驶里程存有疑虑，使电动车的推广受到阻力。更复杂的是，大尺寸的电动车电池虽然可以增加其行驶里程，缓解消费者关于行驶里程的
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碳化硅 牵引逆变器 电动车 ADI
近日，安森美公布了2022年第三季度业绩，其三季度业绩直线上扬，总营收21.93亿美元，同比增长25.86%；毛利10.58亿美元，同比增长46.82%。财报数据显示，其三大业务中，智能电源组营收为11.16亿美元，同比增长25.1%；高级解决方案组营收7.34亿美元，同比增长19.7%；智能感知组营收为3.42亿美元，同比增长44.7%，三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美执行了一系列的战略转型，聚焦于智能电源和智能感知两大领域，从传统的I
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安森美 SiC MOSFET
2022年11月16日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布梅赛德斯-奔驰在其主驱逆变器中采用安森美的碳化硅（以下简称“SiC”）技术，这是两家公司战略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模块提高了梅赛德斯-奔驰纯电动汽车VISION EQXX主驱逆变器的能效并减轻了其重量，使电动汽车的续航里程增加10%。这款电动汽车完成了从德国斯图加特到英国银石的1,202公里（747英里）旅程，保持了单次充电后最远的行驶距离记录。VISION EQXX在电动车
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