在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体
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SiC 肖特基二极管
如今,碳化硅用于要求苛刻的半导体应用,如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性,基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步,但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。如今,碳化硅用于要求苛刻的半导体应用,如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性,基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物
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SiC
· 意法半导体和三安光电将成立一家合资制造厂,进行8英寸碳化硅 (SiC)器件大规模量产· 该合资厂将有助于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对意法半导体 SiC器件日益增长的需求· 三安光电还将单独建造一个8英寸 SiC衬底制造厂,以满足该合资厂的衬底需求 2023年6月7日,中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:ST
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意法半导体 三安光电 碳化硅
2018 年,特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块,成为第一家在量产汽车中使用 SiC 芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明,在相同功率等级下,SiC 模块的封装尺寸明显小于硅模块,并且开关损耗降低了 75%。换算下来,采用 SiC 模块替代 IGBT 模块,其系统效率可以提高 5%左右。一场特斯拉的大风,引燃了 SiC。然而,就在刚刚过去的 3 月份,特斯拉却突然宣布,下一代的电动车传动系统 SiC 用量大减 75%,因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用 S
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SiC
“现在的新车,只要能用碳化硅的地方,便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体(ST)曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下,在全球半导体行业的逆流中,第三代半导体正闪烁着独特的光芒,作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上,各方纷纷加大马力,坚定下注,一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日,科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示,2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下,全球半导体产业进入下行周
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第三代半导体 SiC GaN
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件,功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此,为了构建下一代牵引逆变器系统,业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。图 1 所示的隔离式栅极驱动器集成电路 (IC) 提供从低电压到高电压(输入到输出)的电隔离,驱动逆变器每相的高边和低边功率模块,并监测和保护逆变器免受各种故障的影响。根据汽车安全完整性等级 (ASIL) 功能安全要求,栅极驱
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SiC 牵引逆变器
· 纬湃科技正在锁定价值19亿美元(17.5亿欧元)的碳化硅(SiC)产能· 纬湃科技通过向安森美提供2.5亿美元(2.3亿欧元)的产能投资,获得这一关键的半导体技术,以实现电气化的强劲增长· 除了产能投资外,两家公司还将在进一步优化主驱逆变器系统方面达成合作 2023年
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纬湃 安森美 碳化硅 SiC
中国北京,2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展,泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件(如SiC和GaN MOSFETs)提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案,满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-DPT解决方案能够在泰克4系、5系、6系MSO示波器上运行,并能够无缝集成到示波器测量系统
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泰克 示波器 双脉冲测试 SiC GaN
2020 年初,疫情期间的封锁政策并未对电动汽车行业造成太大影响。2021 年,由于疫情期间人们对电动汽车的需求上升,再加上全球各国政府纷纷采取激励措施,电动汽车充电站的需求量开始增加。在过去的三年里,电动车领导品牌的销量纷纷呈现巨幅成长的趋势。 低成本、低排放汽车的不断发展,将推动整个亚太地区的电动汽车市场实现稳步扩张。同时,不断加码的政府激励措施和持续扩张的高性能车市场也推动着北美和欧洲地区电动汽车市场的快速增长。因此,根据MarketsandMarkets 市调数据估计,全球电动汽车市场规模将从 2
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车用 电能转换 车电领域 IGBT SiC 功率模块
近日,中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为,该项目技术难度大,创新性显著,总体技术达到国际先进水平。该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求,突破多项关键工艺技术,贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台,国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅MOSFET器件,实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货,有力保障碳化硅功率器件供
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中国电科 55所 碳化硅 MOSFET
“引言”近年来,为了更好地实现自然资源可持续利用,需要更多节能产品,因此,关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。 在焊机行业,诸如提高效率、降低成本和增强便携性(即,缩小尺寸并减轻重量)等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如,多
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增强互连封装技术 SiC MOSFET单管 焊机
近期,一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合;安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片;SK集团宣布,旗下SK
powertech位于釜山的新工厂结束试运行,将正式量产碳化硅,产能将扩大近3倍。除此之外,据外媒报道,日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。其中,瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出,按照计划,瑞萨电子拟在目
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碳化硅 瑞萨 X-FAB
近两年新能源汽车和光伏储能市场的火热,让半导体供应上升到了很多公司战略层面的考虑因素。特别是SiC的供应更加紧俏。最近几年用户对SiC的使用更有经验,逐渐发挥出了其高效率高功率密度的优点,正在SiC使用量增大的阶段,却面临了整个市场的缺货的状态。碳化硅功率器件缺货有很多因素,目前前道是最大的瓶颈,特别是前道的“最前端” ,SiC衬底片和外延片是目前缺货最严重的材料。面对这种问题,作为功率半导体的领头羊英飞凌又有哪些举措呢?一方面,英飞凌与多家晶圆厂签订长期供货协议推动其碳化硅(SiC)供应商体系多元化,保
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英飞凌 碳化硅
IT之家 5 月 18 日消息,安森美半导体表示将投资 20 亿美元,用于扩展现有工厂,目标在全球汽车碳化硅(SiC)芯片市场中,占据 40% 的份额。安森美半导体目前在安森美半导体美国、捷克共和国和韩国都设有工厂,其中韩国工厂已经在生产 SiC 芯片了。报道中并未提及安森美半导体具体会扩建哪家工厂,安森美半导体计划构建完整产业链,实现从 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半导体预估到 2027 年占领全球碳化硅汽车芯片市场 40% 的份额。专家还表示到 2027 年,安森美半导体的销售
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汽车电子 安森美 SiC
碳化硅(sic)介绍
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