随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时限度地延长系统正常运行时间。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱
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SiC
在半导体行业的下行周期中，也并非一片低迷之声，碳化硅就是萎靡之势中的一个反例。随着电动汽车功率半导体价值量的提升，以碳化硅为代表的第三代半导体正在逆势而上。需求殷切令各路厂商竞相投资扩大产能，并且在未来的五年里，它的热度只会增不会减。这一趋势在最近两年碳化硅行业的投资并购动作中也可窥见一二。国内上半年融资创三年之最2021 年有多家碳化硅企业获得了投资机构的青睐，相继宣布完成融资，行业内也随之激起一番融资浪潮。2021 年全年投融资及并购金额达到 21.32 亿元，数量达到 15 起。2022 年也是碳化
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碳化硅
“能够优先掌握SiC这种领先技术的国家，将能够改变游戏规则，拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金（NSF）获得了1787万美元的资助，用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育，以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的，此外其部署的SiC晶圆生产线，能够让美国大学，企业以及政府研究人员进行长期
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SiC MOSFET 功率损耗 碳中和
欧洲是世界半导体的重要一极，ST（意法半导体）、英飞凌、恩智浦（NXP）被称为欧洲半导体的三驾马车，也是全球知名的半导体巨头。ST的特点是不像欧洲其他两家巨头——英飞凌和恩智浦出身名门1、自带一定的应用市场，ST要靠自己找市场、摸爬滚打，以解决生存和发展问题。据市场研究机构Garnter数据，ST 2022年营收158.4亿美元，年增长率为25.6%，是欧洲最大、世界第11大半导体公司。大浪淘沙、洗牌无数的半导体行业，ST是如何显露出真金本色，成为欧洲乃至世界半导体巨头的？又是如何布局未来的？表1 202
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意法半导体 MCU SiC
2023年7月19日--智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆变器安森美提供高性能的 Elit
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安森美 博格华纳 碳化硅
汽车的智能化和电动化趋势，势必带动车用半导体的价值量提升，其中功率半导体和模拟芯片便迎来了发展良机。先看功率半导体，车规功率半导体是新能源汽车的重要组件，无论整车企业还是功率半导体企业都在瞄准这一赛道。新能源汽车电池动力模块都需要功率半导体，混合动力汽车的功率器件占比增至 40%，纯电动汽车的功率器件占比增至 55%。再看车规模拟芯片，模拟芯片在汽车各个部分均有应用，包括车身、仪表、底盘、动力总成及 ADAS，主要分为信号链芯片与电源管理芯片两大板块。如今，新能源汽车在充电桩、电池管理、车载充电、动力系统
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功率半导体 SiC GaN 模拟芯片
英飞凌在近日表示，与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要用于逆变器的功率模块，而逆变器用于电动汽车的主驱动。根据协议，赛米控丹佛斯的IGBT和二极管将由英飞凌在德国德累斯顿和马来西亚居林的工厂生产。IGBT依然紧缺根据供应链消息显示，目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是维持在52周。作为行业龙头的英飞凌，其去年IGBT订单已处于超负荷接单状态，整体积压订单金额超过
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英飞凌 赛米控 电动汽车芯片 SiC IGBT
全球车用SiC功率组件市场，目前主要由IDM大厂独霸，根据统计，全球SiC产能由Wolfspeed、罗姆、贰陆三家公司寡占。其中，罗姆计划在2025年，将SiC功率半导体的营收扩大至1,000亿日圆以上，成为全球市占龙头。为了达成目标，该公司积极扩充SiC功率半导体的产能，并宣布买下日本一家太阳能系统厂的旧工厂，未来将引进SiC功率半导体8吋晶圆产线到工厂内，预计在2024年底启动，将使罗姆的SiC功率半导体产能，到2030年增加为2021年的35倍。根据日本朝日新闻、日经新闻等报导，罗姆将从日本的石油公
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罗姆 SiC
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了解了。也就是从衬底到芯片，对于一个SiC功率器件来说只是完成了一半的工作，还有剩下一半就是这次我们要分享的封装。好的封装才能把SiC的性能发挥出来，这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片和封装的开发与验证。图一是SSDC模块的剖面示意图，图二是整个SSDC模块的结构图，从图一和图二我们可以发现这个用在主驱的功率模块还是比较复杂的，里面包含了许
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SiC Traction模块 安森美 202311
全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%。太阳能将占到这 95% 中的一半以上。如今，在远大的清洁能源目标和政府政策的驱动下，太阳能、电动汽车 (EV) 基础设施和储能领域不断加快采用可再生能源。可再生能源的逐渐普及也为在工业、商业和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比传统基于 IGBT 的电源应用在可再生能源系统中的优
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TI 碳化硅
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP517
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安森美 SiC MOSFET 隔离栅极驱动器
碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed推出的SiC电源解决方案。大幅降低储能系统成本与提升效率的SiC技术当前的SiC技术已经相当成熟，可以适用在从千瓦到兆瓦功率的工业应用范围中，影响了能源、工业和汽车等众多领域。由于SiC器件运作时的温度较低，及较小的
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艾睿电子 碳化硅
近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶盛机电已完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产；天科合达计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产，同时该公司在5月与半导体大厂英飞凌签订碳化硅长期供应协议。近期，科友半导体传来了新消息。6月22日，科友半导体官微宣布其突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度
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8英寸 SiC 科友半导体
最近，碳化硅 (SiC) 及其在电力电子领域的潜在应用受到了广泛关注，但同时也引发了一些误解。本文旨在澄清这些误解，让工程师们在未来放心地使用 SiC器件。应用围绕SiC 产生的一些疑虑与其应用范围相关。例如，一些设计人员认为SiC MOSFET 应该用来替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品应该是氮化镓 (GaN) 器件。然而，额定电压为650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品质因数很有竞争力，反向恢复电荷也非常小。因此，在图腾柱功率因数校正 (TPPFC) 或同
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202306 SiC
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。 之所以能达成此次合作，是因为双方已于2020年建立了“电动汽车电力电子技术开发合作伙伴关系”，并基于合作伙伴关系进行了密切的技术合作，开展了适用于电动汽车的SiC功率元器件和采用SiC芯
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罗姆 纬湃 SiC
碳化硅(sic)介绍
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