TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power
Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC
Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。Tesla和比亚迪是两个备受瞩目的BEV品牌，近期均报告了令人失望的销售数据，其中Tesla在1
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SiC 功率器件 TrendForce
随着人工智能技术的飞速发展，越来越多的企业开始探索如何将人工智能技术融入业务流程中，以提升质量、降本增效。在高精尖制造业领域，人工智能、自动驾驶等新兴产业对碳化硅材料的需求日益增多，大力发展碳化硅产业，可带动原材料与设备2000亿级产业，加快我国向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。广东天域联手浪潮信息，为MES关键业务打造稳定、高效、智能的数据存储底座，让数字机台、智能制造"有底有数"。广东天域半导体股份有限公司成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业
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碳化硅 浪潮信息 MES 核心数据底座
电池组，无疑是电动汽车心脏般的存在，它不仅是车辆动力之源，更是决定车辆成本高低的关键因素。作为电动汽车中最昂贵的单个组件，电池组承载了车辆行驶所需的大部分能量，而其内部的每一个电池单元都需要经过精密的监测和控制，以维持其长久且安全的使用寿命。电池管理系统（BMS），作为电池组的“大脑”，其任务繁重且关键。它要实时监控每一个电池单元的健康状况，确保它们的平衡与稳定；还要负责操作电池组的加热和冷却系统，确保电池在各种环境条件下都能维持最佳的工作状态；此外，BMS还需实时报告电池的充电状态，以便驾驶员能够准确了
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BMS 电动汽车 碳化硅 Power Integrations
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
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杂散电感 SiC IGBT 开关特性
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点击查看直流链路环路电感分析）测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析S
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IGBT SiC 开关特性
在之前一篇题为《功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡》的博文中，我们探讨了碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。图1.硅与碳化硅的对比众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘
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Qorvo SiC MOSFET
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
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碳化硅 SiC MOSFET
近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
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SiC 8英寸
3月28日，小米公司正式发布了小米SU7，一共有三款配置，分别是小米SU7 标准版，售价21.59万元；小米SU7 Pro版，售价24.59万元；小米SU7 Max版，售价29.99万元。图片来源：小米公司2021年3月，小米创始人雷军正式宣告小米造车。近三年时间过去，小米SU7正式发布，其相关供应商也浮出水面，既有包括高通、英伟达、博世等国际供应商，也包含了比亚迪、宁德时代、扬杰科技等本土供应链厂商。芯片领域，英伟达为小米汽车提供自动驾驶芯片，小米SU7搭载了英伟达两颗NVIDIA DRIVE Orin
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小米 汽车 碳化硅
华泰证券发布研报称，在3月20日-3月22日开展的2024 SEMICON China(上海国际半导体展览会)上，华泰证券与数十家国内外头部半导体企业交流，并参加相关行业论坛，归纳出以下趋势：1)前道设备：下游需求旺盛，国产厂商持续推出新品，完善工艺覆盖度；2)后道设备：AI拉动先进封装需求，测试机国产化提速；3)SiC：2024或是衬底大规模出海与国产8寸元年；4)元宇宙和微显示：硅基OLED有望成为VR设备主流显示方案，AI大模型出现可能推动智慧眼镜等轻量级AR终端快速增长。 华泰证券主要观点如下：
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元宇宙 AR VR 碳化硅 先进封装
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）近日宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST被业界认可的碳化硅（SiC）、电气隔离和微控制器的服务器电源参考设计技术。该参考方案是电源设计数位电源转换器应用的理想选择，尤其在服务器、数据中心和通信电源的领域。随着人工智能（AI）、5G和物联网（IoT）的推波助澜下，对数位服务的需求持续成长，能源及用电控制是数据中心永续发展需面对的重要课题。STDES-3KWTLCP参考设计适用于3k
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意法半导体 碳化硅 数字电源 数位电源 电源 肯微
3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。据其介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，工厂已开始安装长晶设备，预估今年12月份或者明年1月，这座工厂将会有产出。该工厂将主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圆，尺寸是150mm（6英寸）晶圆的1.7倍，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求
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功率半导体 碳化硅
据Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉，John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持，推动具有重要
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Wolfspeed 碳化硅
2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据官方介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，获得了来自公共部门和私营机构的支持，将助力从硅向碳化硅的产业转型，提升对于能源转型至关重要的材料的供应。该中心占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工，该中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的
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芯片制造 功率半导体 碳化硅
碳化硅(sic)介绍
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