据科友半导体官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会召开。会上，以黑龙江省科学院原院长郭春景研究员为组长的评审专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸碳化硅单晶生长的新技术和新工艺，建立了碳化硅衬底生产的工艺流程，制定了相关工艺流程的作业指导书，一致同意项目通过阶段验收评审。据了解，8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究项目是2021年哈尔滨市科技专项计划项目，由哈尔滨科友半导体承担，旨在推动8英寸碳化硅装备国
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碳化硅 科友半导体 第三代半导体材料
碳化硅作为下一代功率半导体的本命，进入了全面的市场拓展阶段。加上面向再生能源的市场，汽车使用市场的增长比最初的预想早了一年多，功率半导体的投资增长也显示出SiC的一方面。不久前，行业也有研究在300mm的SIC增产的动向。然而，解决SiC容量增强问题现在成为主流。这一趋势不仅限于日本和欧洲的功率半导体制造商。美国和中国之间的摩擦导致了SiC的国产化和量产化，这也是影响SIC的一方面。据电子器件行业报道，2023年9月7日，该公司表示，“中国SiC市场全方位战略已扩大工业化加速进入公司约100家。”中国Si
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SIC，液晶，半导体
美国加利福尼亚州圣何塞，2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高
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Power Integrations 短路保护 SiC IGBT模块 门极驱动器
三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器，其基本原理就是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，控制回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，利用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路，在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。一、前言 三相逆变是指转换出的交流电压为三相，
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在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中，宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁带技术将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在数据中心、智能楼宇、个人电子设备等应用场景中为能效提升作出贡献。宽禁带材料让应用性能炸裂，怎么做到的？宽禁带材料的优势主要体现在：✦ 与传统的硅基半导体材料相比，宽禁带产品具有更宽更高的禁带宽度、电场强度，更高的击穿
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12月1日消息，近日，据外媒报道，意法半导体（STMicroelectronics）将于意大利西西里岛Catane投资50亿欧元，新建一座碳化硅、超级半导体晶圆厂。该晶圆厂将专门生产碳化硅芯片，为电动车关键技术并具强大成长潜力。报道称，此举是意法半导体继与格芯在法国东南部Crolles的75亿欧元晶圆厂计划后为平衡集团在意法两国布属所为。值得一提的是，今年6月，意法半导体宣布将与三安光电在中国重庆成立200mm碳化硅器件制造合资企业，预计2025年第四季度投产，预计到2030年碳化硅收入将超过50亿美元。
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奈梅亨，2023年11月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动
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11月28日消息，据外媒报道，日前，英飞凌绿色工业动力部门（GIP）总裁Peter Wawer在受访时透露，英飞凌正在其位于Villach的工厂生产8英寸SiC晶圆的电子样品。他表示，英飞凌目前使用6英寸晶圆，但已经在工厂制备了第一批8英寸晶圆机械样品，很快将它们转化为电子样品，并将在2030年之前大规模量产应用。在产能方面，英飞凌正在通过大幅扩建其Kulim工厂（在2022年2月宣布的原始投资之上）获得更多产能，信息称，英飞凌将建造世界上最大的200毫米晶圆厂SiC（碳化硅）功率工厂。值得一提的是该计划
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11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。目前芯片供应量尚未确认，预计最早将于2023年内开始供应。公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。尽管同属功率半导体公司，三菱电机与安世半导体的侧重点不同，前者以“多个离散元件组合
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11 月 21 日消息，据晚点 LatePost 报道，在芯片自研方面，理想同时在研发用于智能驾驶场景的 AI 推理芯片，和用于驱动电机控制器的 SiC 功率芯片。报道称，理想目前正在新加坡组建团队，从事 SiC 功率芯片的研发。在职场应用 LinkedIn 上，已经可以看到理想近期发布的五个新加坡招聘岗位，包括：总经理、SiC 功率模块故障分析 / 物理分析专家、SiC 功率模块设计专家、SiC 功率模块工艺专家和 SiC 功率模块电气设计专家。报道还称，用于智能驾驶的 AI 推理芯片是理想目前的研发重
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伦敦2023年11月15日 /美通社/ -- 随着Omdia预测电动汽车 (EV) 革命将引发新型半导体激增，电力半导体行业的几十年旧规范正面临挑战。人工智能热潮是否会产生类似的影响？功率分立器件、模块和IC预测Omdia半导体元件高级分析师卡勒姆·米德尔顿表示：“长期以来依赖硅技术的行业正受到新材料制造的设备的挑战和推动。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的开发始于上个世纪，但它们的技术成熟度与可持续发展运动相匹配，新材料制造的设备在能源匮乏的世界中有着显著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块，并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
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在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅
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三菱电机将与Nexperia（安世）合力开发SiC芯片，通过SiC功率模块来积累相关技术经验。东京--(美国商业资讯)--三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia将使用这些芯片开发SiC分离器件。电动汽车市场正在全球范围内扩大，并有助于推动Si
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碳化硅(sic)介绍
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