6月4日，意法半导体（ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、高级驾驶辅助（ADAS）和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。据数据显
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ST 吉利汽车 SiC
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、
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SiC ADAS 新能源汽车
自意法半导体（STMicroelectronics）官方获悉，当地时间5月31日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。新碳化硅工厂的建设是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。据悉，该项目预计总投资约为50亿欧元（约合人民币392.61亿元），意大利政府将提供约20亿欧元的补助支持。新工厂的目标是在2026年投入生产，到2033年达到满负荷生产，满产状态下每周可生产多达15,000
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能源是人类生存和发展的重要物质基础，能源转型则是当今国际社会关注的焦点问题，随着全球对环境保护意识的增强和能源危机的担忧，新能源市场的需求正在快速增长。 当前全球汽车产业电动化正在深度推进，在新能源革命浪潮下，新能源汽车产业成为各国重点发力方向。随着新能源汽车技术的日趋成熟，充电基础设施快速发展。近年来，我国已建成世界上数量最多、服务范围最广、品种类型最全的充电基础设施体系。目前按照1公桩=3个私桩的测算，中国2023年增量市场的纯电动车的车桩比已经1：1，领先世界其它国家数倍
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电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求，尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。事实上，至少在本世纪下半叶之前，SiC功率器件可能会供不应求。而随着 SiC 衬底应用于 SiC 功率器件，衬底质量和制造技术方面取得了哪些进步，以提高器件性能、减少缺陷并增强可靠性？为了优化未来 SiC 功率器件的衬底特性，还需要哪些改进和发展？SiC的可靠性挑战SiC 是硅和碳的化合物，与硅相比有许多优点。SiC 芯片可以在更高温度下运行，并能有效处理更高电压，从而增强电动汽车的功率密度
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第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET，SiC
MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC
MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解，其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
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第三代半导体 SiC MOSFET 高效驱动 电力电子
Nexperia近日宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2
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Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
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SiC MOSFET IGBT 低侧栅极驱动器
根据合肥安赛思半导体有限公司（以下简称：安赛思）官方消息，5月18日，安赛思与新加坡三福半导体科技有限公司（以下简称：三福半导体）签署战略合作备忘录仪式暨安徽大学与三福半导体联合实验室揭牌仪式正式举行。据介绍，安赛思是一家致力于研发新一代半导体功率器件智能驱动技术及衍生产品的高新技术企业，目前已成功开发了IGBT和SiC智能驱动模块以及工业电力电子变换器、电力电子继电器等产品，应用领域涵盖电动汽车、智能制造、机电设备和航空航天等。三福半导体聚焦集成电路设计、制造和封装测试，致力于先进技术研发、成果转移转化
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碳化硅 化合物半导体
作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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碳化硅 氮化镓 化合物半导体
SiC技术似乎已成为蔚来旗下新车型标配。蔚来在去年12月发布的行政旗舰车型ET9，搭载了蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包，单颗电芯能量密度高达292Wh/kg，充电效率达到5C，呈现出来的效果就是充电5分钟，续航255公里。近日，蔚来旗下又一款搭载SiC技术的车型正式发布，这便是其全新品牌乐道的首款车型L60。据悉，乐道全域采用900V高压架构，包括电驱系统、热泵空调、辅助加热器（PTC）、车载充电机（OBC）、直流电压变换器（DC-DC）均为900
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Source:Getty Images/Natee Meepian英飞凌科技在5月6日发布的一篇新闻稿中表示，将为小米最近发布的SU7电动汽车供应碳化硅（SiC）功率模块HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片产品直至2027年。英飞凌CoolSiC功率模块支持更高的工作温度。例如，基于该技术的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。英飞凌为小米SU7 Max车型提供两颗HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模块。此外，英飞凌还为小米电动汽车供应了一系
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智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。该系列研讨会将针对汽车电气化和智能化以及工业市场可持续性能源发展的广泛应用场景，共同探讨最新的能效设计挑战，展示针对更多纵深应用的SiC解决方案。安森美希望借此携手中国的“碳”路先锋们，加速先进功率半导体技术的落地，实现应用系统的最佳能效。在中国，市场对SiC的需求强劲，应用场景日益多样化。新能源
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近日，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。资料显示，中宜创芯成立于2023年5月24日，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立，总投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元，年产能500吨，占地12000平方米，2023年6月20日开工建设，9月20日项目建成并试生产，9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元，据悉
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中宜创芯 SiC
德国顶级芯片制造商热衷于挖掘中国对特种半导体的需求。
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