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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项,您知道吗?

  • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升,本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC,因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型V
  • 关键字: SiC  MOSFET  RSP  

解决补能焦虑,安森美SiC方案助力800V车型加速发布

  • 800V车型刷屏,高压SiC车载应用加速普及。实际上,近期有越来越多的国内外车企开始加速800V电压架构车型的量产,多款20-25万元价格段的标配SiC车型上市。2024年,随着车企卷价格卷性能战略推进,将进一步拉动SiC渗透。SiC迎来800V高压平台风口◆ 800V架构成为电动汽车主流电动化进程持续推进,安森美(onsemi)电源方案事业部汽车主驱方案部门产品总监Jonathan Liao指出预计到2030年将有1.5亿辆新能源汽车驶上道路。但从消费者角度看购买电动车的两大顾虑是续航里程和充电便利性
  • 关键字: SiC  逆变器  功率模块  

优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定

  • 6月7日,苏州优晶半导体科技股份有限公司(以下简称“优晶科技”)宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可,成功通过技术鉴定评审。鉴定委员会认为,优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大,创新性强,突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈,拥有自主知识产权,经济效益显著。资料显示,优晶科技成立于2010年12月,专注于大尺寸(6英寸及以上)导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备,经持续工艺优化,目前已推出至第四代机型——UKIN
  • 关键字: 优晶科技  8英寸  SiC  单晶生长设备  

恩智浦与采埃孚合作开发基于SiC的牵引逆变器

  • 6月4日,NXP Semiconductors NV(恩智浦半导体)在官网披露,其与ZF Friedrichshafen AG(采埃孚)公司合作,为电动汽车(EV)开发基于碳化硅(SiC)的下一代牵引逆变器解决方案。通过利用恩智浦GD316x高压(HV)隔离栅极驱动器,该解决方案旨在加速800V平台和SiC功率器件的推广应用。据介绍,GD316x产品系列支持安全、高效和高性能的牵引逆变器,可延长电动汽车的续航里程、减少充电停车次数、同时降低OEM厂商的系统级成本。据了解,牵引逆变器是电动汽车电力传动系统的
  • 关键字: 恩智浦  SiC  逆变器  

吉利汽车与ST签署SiC长期供应协议,成立创新联合实验室

  • ●   意法半导体第三代SiC MOSFET助力吉利相关品牌纯电车型提高电驱能效●   双方成立创新联合实验室,共同推动节能智能化电动汽车发展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)近日与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布,双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议,在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定,意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌
  • 关键字: 吉利汽车  ST  SiC  意法半导体  

意法半导体与吉利汽车签署SiC长期供应协议

  • 6月4日,意法半导体(ST)与吉利汽车集团宣布,双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议,在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定,意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件,帮助吉利提高电动车性能,加快充电速度,延长续航里程,深化新能源汽车转型。此外,吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上,建立创新联合实验室,交流与探索在汽车电子/电气(E/E)架构(如车载信息娱乐、智能座舱系统)、高级驾驶辅助(ADAS)和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。据数据显
  • 关键字: ST  吉利汽车  SiC  

吉利汽车与ST签署SiC长期供应协议,深化新能源汽车转型;成立创新联合实验室,推动双方创新合作

  • 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(简称ST)与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团宣布,双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议,在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定,意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件,帮助吉利提高电动车性能,加快充电速度,延长续航里程,深化新能源汽车转型。此外,吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上,建立创新联合实验室,交流与探索在汽车电子/电气(E/E)架构(如车载信息娱乐、智能座舱系统)、
  • 关键字: SiC  ADAS  新能源汽车  

构建新型能源体系,充电桩市场将迎来高增长

  •    能源是人类生存和发展的重要物质基础,能源转型则是当今国际社会关注的焦点问题,随着全球对环境保护意识的增强和能源危机的担忧,新能源市场的需求正在快速增长。  当前全球汽车产业电动化正在深度推进,在新能源革命浪潮下,新能源汽车产业成为各国重点发力方向。随着新能源汽车技术的日趋成熟,充电基础设施快速发展。近年来,我国已建成世界上数量最多、服务范围最广、品种类型最全的充电基础设施体系。目前按照1公桩=3个私桩的测算,中国2023年增量市场的纯电动车的车桩比已经1:1,领先世界其它国家数倍
  • 关键字: 充电桩  新能源汽车  SIC  

如何增强 SiC 功率器件的性能与可靠性?垂直整合是关键!

  • 电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求,尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。事实上,至少在本世纪下半叶之前,SiC功率器件可能会供不应求。而随着 SiC 衬底应用于 SiC 功率器件,衬底质量和制造技术方面取得了哪些进步,以提高器件性能、减少缺陷并增强可靠性?为了优化未来 SiC 功率器件的衬底特性,还需要哪些改进和发展?SiC的可靠性挑战SiC 是硅和碳的化合物,与硅相比有许多优点。SiC 芯片可以在更高温度下运行,并能有效处理更高电压,从而增强电动汽车的功率密度
  • 关键字: SiC  电动汽车  功率器件  

第三代电力电子半导体SiC MOSFET:聚焦高效驱动方案

  • 第三代电力电子半导体SiC MOSFET:聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET,SiC MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域,SiC MOSFET(碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管)凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能,SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而,SiC MOSFET的独特器件特性,也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解,其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
  • 关键字: 第三代半导体  SiC  MOSFET  高效驱动  电力电子  

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装

  • Nexperia近日宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布,Nexperia正在满足市场对采用D2
  • 关键字: Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

  • Littelfuse公司是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出,支持量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置,以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
  • 关键字: SiC MOSFET  IGBT  低侧栅极驱动器  

多款车型相继发布,SiC技术加速“上车”

  • SiC技术似乎已成为蔚来旗下新车型标配。蔚来在去年12月发布的行政旗舰车型ET9,搭载了蔚来自研自产的1200V SiC功率模块,以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包,单颗电芯能量密度高达292Wh/kg,充电效率达到5C,呈现出来的效果就是充电5分钟,续航255公里。近日,蔚来旗下又一款搭载SiC技术的车型正式发布,这便是其全新品牌乐道的首款车型L60。据悉,乐道全域采用900V高压架构,包括电驱系统、热泵空调、辅助加热器(PTC)、车载充电机(OBC)、直流电压变换器(DC-DC)均为900
  • 关键字: Sic  新能源汽车  蔚来  

英飞凌为小米新款SU7智能电动汽车供应一系列产品

  • Source:Getty Images/Natee Meepian英飞凌科技在5月6日发布的一篇新闻稿中表示,将为小米最近发布的SU7电动汽车供应碳化硅(SiC)功率模块HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片产品直至2027年。英飞凌CoolSiC功率模块支持更高的工作温度。例如,基于该技术的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。英飞凌为小米SU7 Max车型提供两颗HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模块。此外,英飞凌还为小米电动汽车供应了一系
  • 关键字: 英飞凌  小米  SU7  智能电动汽车  SiC  

中宜创芯SiC粉体500吨生产线达产

  • 近日,河南中宜创芯发展有限公司(以下简称“中宜创芯”)SiC半导体粉体500吨生产线成功达产,产品纯度最高达到99.99999%,已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。资料显示,中宜创芯成立于2023年5月24日,由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立,总投资20亿元,分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元,年产能500吨,占地12000平方米,2023年6月20日开工建设,9月20日项目建成并试生产,9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元,据悉
  • 关键字: 中宜创芯  SiC  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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