东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即日起开始批量出货。 随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的广泛应用，能够在高温条件下运行的工业设备设计已变得切实可行。然而，在隔离信号传输中，输入与输出之间的电气噪声可能导致故障，因此市场对于兼具高抗噪能力与高可靠性、并可实现稳定控制信号传输的隔离器件需求日
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数字隔离器
东芝
工业半导体
SiC/GaN
电机控制
纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。 输入/输出侧电源状态反馈，助力功率器件开关安全在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯
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隔离半桥驱动芯片
NSI6602Ux
电源状态反馈
RDY
SiC
IGBT
CMTI
欠压锁定
OBC
DC-DC
中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开
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东芝
1200V
沟槽栅
SiC
MOSFET
AI数据中心
中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境
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罗姆
SiC
MOSFET
AI服务器
电池备份单元
过去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT，提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能源汽车市场逐渐成熟，领先的SiC企业们纷纷谋求进入新的竞争阶段：谁能够率先突破“中高压”乃至“超高压”电力电子领域，谁就有机会成为下一代SiC竞争的赢家。 在这样的背景下，压力重重的Wolfspeed（欧胜）于2026年3月率先发布全球首款商业化10kV SiC MOSFET（C
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SiC
10KV
Wolfspeed
英飞凌
罗姆
电动汽车超快充、数据中心电力基础设施，将成为碳化硅（Si）的下一轮增长引擎。安森美（onsemi）高级技术营销总监 Mrinal Das 在今年 “化合物半导体国际大会” 上，用一句话概括了 SiC 的下一波重大机遇：可持续地攻克兆瓦级应用。Das 表示：“技术进步的核心价值，在于提升生产效率、改善生活品质。SiC 功率电子器件，能显著缩短电动车充电时间、助力 AI 数据中心升级供电系统。”电动车迈向兆瓦级快充Das 指出，电动车行业正转向兆瓦级快充：1 兆瓦快充已商用，目标体验媲美燃油车加油；SiC 可
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碳化硅
SiC
超快充
数据中心
安森美
英飞凌
意法半导体
01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET图2. 平面栅型MOSFETN+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。P-body区：P型阱区，通过离子注入形成。其上方是源极的N+区。栅极(Gate)：在SiO2绝缘层（栅氧）之上，用于控制沟道导通。源极
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英飞凌
SiC MOSFET
二极管
SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。来源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司开发的 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块，主要面向数据中心制冷系统中的电机驱动、储能系统电网变流器以及工业驱动设备。该系列共六款产品，其中两款的导通电阻 RDS (on) 仅 1mΩ，在 62mm×152mm 封装内实现 240W/in³ 的功率密度。QSiC
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SiC
AI数据中心
液冷
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。不管是SiC MOSFET还是IGBT,并联的目标都是实现电流的均匀分布,且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标,我们需要做到三点:1.并联芯片参数尽可能一致2.功率回路、驱动回路与散热结构布局一致3.门极驱动电路的优化设计作为高速开关器件,SiC MOSFE
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英飞凌
SiC MOSFET
并联设计
对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及,和未来智能电网的电力潮流双向流动,让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。随着AI算力向MW级机架演进,传统数据中心供电架构已经不堪重负,难以承载极端功率密度与能效要求。智算中心正从“算力堆砌”迈入“算电协同”的关键阶段。在这一背景下,SST
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英飞凌
沟槽栅
SiC MOSFET
SST高频高压
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。1、利用 SiC CJFET替代
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安森美
碳化硅
SiC CJFET，MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈---SGCM05339，适用于严苛航空航天应用电磁干扰（EMI）滤波和噪声抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC开关应用的理想选择，这类应用的波形会出现锐边，导致电磁辐射干扰。共模扼流圈还可用于低电流立式电源、分布式电源系统DC/DC转换器，以及太阳能电池
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Vishay
GaN
SiC
开关
EMI滤波
航天级
共模扼流圈
在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级下，SiC MOSFET的短路耐受时间通常比IGBT小很多。这主要是因为SiC MOSFET的芯片尺寸比传统的硅基器件小很多，同时非常薄的外延层使得发热位置更加集中（详细原因阐述见谈谈SiC MOSFET的短路能力）。这给短路保护设计带来了巨大的挑战，即使是微小的系统设计差异也会显著影响S
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英飞凌
SiC
MOSFET
短路行为
在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。相比于G1单管器件仅有650V/1200V两档电压等级，G2系列电压等级更加全面，涵盖400V/650V/750V/1200V/1400V，以及丰富多样的封装形式
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英飞凌
SiC
MOSFET
很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（Si）半导体到第二代砷化镓（GaAs）半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，每一次材料体系的革新，都为国防军事装备带来革命性变化。与前两代半导体相比，第三代半导体具备高饱和电子迁移速率、高击穿电压、高热导率、抗辐射等核心优势，完美适配高温、高压、高频、大
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第三代半导体
SiC
GaN
硅基芯片
202603
2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
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Vishay
SOT-227
1200V
SiC MOSFET
功率模块
随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJFET）三类宽禁带功率器件，在近1 MHz高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。重点评估了导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求等关键指标。同时，本文亦探讨了三种谐振转换器拓扑——堆叠式LLC、单相LLC与三相LLC——对其系统效率与元件数量的影响。仿真结果表明，尽管三
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800V
半导体技术
AI数据中心
SiC
安森美
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM
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ROHM
SiC
模块
三相逆变器
参考设计
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。这些产品通过Ameya360、Oneyac等电商平台均可购买。详见罗姆官方网站。样品价格型号TRCDRIVE pack™75,000日元/个（不含税）1200V A type (Small) (BST400D12P4A101
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ROHM
SiC塑封型模块
SiC
2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP）助力光子学技术加速发展，发光二极管（LED）与微发光二极管（MicroLED）则依托氮化镓、砷化镓、蓝宝石及硅基平台发展。化合物半导体供应链正围绕头部企业整合：碳化硅晶圆领域有沃尔夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件领域为英飞凌科技（Infineon Tec
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化合物半导体
衬底
年复合增长率
碳化硅
SiC
英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I 系列器件在引脚上与现有的光耦仿真器和光耦合器兼容。对于《eeNews Europe》的读者——尤其是从事工业与能源系统设计的工程师而言，这一产品意义重大：它提供了一条无需彻底重新设计控制板即可快速升级至更高效率SiC方案的路径。同时，这也凸显了当前栅极驱动器性能正不断演
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英飞凌
IC
SiC
汽车零部件供应商舍弗勒已启动新款高压逆变器功率模块的量产工作。该模块采用罗姆的碳化硅功率场效应晶体管裸片，是双方战略合作的重要成果。这款逆变器组件也被称为功率模块（brick），是电动汽车牵引逆变器的核心功率单元，其功能是通过逻辑信号控制驱动电机，并生成驱动电机运转所需的高频电流。牵引逆变器作为电动汽车高压电池与驱动电机之间的桥梁，核心作用是将电池输出的直流电转换为交流电，进而精准调控电机的转速、扭矩等关键运行参数。目前，市面上的电动汽车大多搭载 400V 电压平台的电池包。为实现更快的充电速度与更高的系
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SiC
电动汽车
高压
逆变器
功率模块
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过
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功率电路
SiC JFET
热插拔控制
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电流、应对不断攀升的电力需求、为什么要使用固态断路器。本文为系列教程的第二部分，将介绍SSCB 采用 SiC JFET 的四个理由。断路器制造商首要关注的是发热问题。 所有半导体在电流流过其中时都会产生热量。 这种热量可以用导通电阻来衡量， 其表示符号为 RDS(on) 。当然，
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安森美
功率电路
固态断路器
SiC JFET
输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障电流已达到前所未有的水平，对保护装置的响应速度与耐受能力提出了更严苛的要求，超快速交流/直流断路器由此成为关键需求。在过去很长一段时间里，机械断路器（EMB）始终是这类保护场景的主流选择。但随着用电场景对可靠性、响应速度的要求不断升级，传统机械断路器的局限性逐渐凸显，而固态断路器（SSCB
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固态断路器
SiC
JFET
全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融合，共同致力于推动汽车与工业能源管理领域的发展。利普思的功率模块凭借卓越的性能和可靠性，广泛应用于电动汽车、充电基础设施、可再生能源系统及工业功率转换等高要求场景。随着市场对高效率、功率密度及可靠性需求的不断提升，利普思正积极探索能在更高开关频率与电压下稳定运行的碳化硅（SiC）功率器件。
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Melexis
迈来芯
RC缓冲器
利普思
SiC
Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。 利用率下降、产能过剩和投资减少的循环引发了行业参与者的担忧。尽管放缓，SiC仍是电气化路线图的核心，预计到2030年设备收入将接近100亿美元。行业首个重大投资周期由2019-2024年资本支出热潮推动，造成了显著的上游产能过剩。设备资本支出在2023年达到约30亿美元的峰值，导致上游硅碳价值链出现显著产能过剩。20
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SiC
yole
截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英伟达Rubin平台和台积电先进封装中AI芯片散热的战略材料，预示着由高性能计算应用驱动的高价值增长第二波浪潮。硅基价格趋势：原材料上涨压力，高端基材价格大幅降幅SiC市场在定价动态上展现出明显的差异。一方面，散装SiC材料的价格——如黑色和绿色SiC粉末及颗粒——一直在上涨。根据包括CIP
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硅质原材料
6英寸
SiC
安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）数据中心应用中覆盖从电网到核心的完整电源树的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技术领域拥有数十年的创新积累，为固态变压器、电源、800 V直流配电以及核心供电等应用提供行业领先的解决方案。通过整合这些技术，安森美将成为少数几家能够以可扩展、实用的设计，满足现代AI基础设施严苛电力需求的公司
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奥拉
Vcore
碳化硅
SiC
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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