- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升，本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型V
- 关键字：
SiC MOSFET RSP
- 1 引 言
大多数接收机必须处理动态范围很大的信号，这需要进行增益调整，以防止过载或某级产生互调，调整解调器的工作以优化工作。在现代无线电接收装置中。可变增益放大器是电控的，并且当接收机中使用衰减器时，他们通常都是由可变电压控制的连续衰减器。控制应该是平滑的并且与输入的信号能量通常成对数关系(线性分贝)。在大多数情况下，由于衰落，AGC通常用来测量输入解调器的信号电平，并且通过反馈控制电路把信号电平控制在要求的范同内。
2 系统总体设计
在本设计中，前端TD_SCDM
- 关键字：
TD_SCDMA AGC FPGA RSP IIR
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