SiC 功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。
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SiC 功率器件
意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
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意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
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东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET 驱动逆变器
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。SMFA非对称系列是市场
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SiC MOSFET栅极保护 非对称瞬态抑制二极管 Littelfuse
碳化硅（SiC）6吋基板新产能大量开出，严重供过于求，报价几乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（约中国大陆制造成本价），第四季价格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。产业人士指出，价格崩盘已让绝大多数业者陷入赔钱销售，而买家不敢轻易出手捡便宜，因为买方预期SiC价格还会再下降。而明日之星的8吋SiC基板，虽未到真正量产，但2024年报价已快速下滑，尤其是中国大陆价格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。业者分析，8吋SiC基板并没有标准价格，供应链端仍属于试产阶段，供给
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碳化硅 基板
据“融中心”消息，大连市中韩经济文化交流协会、韩中文化协会及安徽钜芯半导体科技有限公司（以下简称：钜芯半导体）在安徽省池州市举行了一场签约仪式。此次签约标志着三方在碳化硅领域的合作正式开始。据悉，三方本次合作的核心内容围绕碳化硅衬底、碳化硅外延片及汽车空调关键零部件的生产展开，将共同打造高质量的碳化硅产品生产线。据了解，今年以来，部分韩国半导体厂商正在持续发力碳化硅产业，并不断取得新进展。据韩媒ETnews报道，今年3月26日，半导体设计公司Power Cube
Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2
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碳化硅 钜芯半导体
全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圆厂布局。
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SiC
国际能源署（IEA）今年发布的报告称，2023年全球与能源相关的二氧化碳排放量达到374亿吨，较2022年增加4.1亿吨，再创新的记录。其中，交通运输排放增长最为显著，激增近2.4亿吨，位居第一。轨道交通的温室气体排放约为航空出行的五分之一，对于由可再生能源发电驱动的电气化列车，这一比率则更低。因此，扩建轨道交通基础设施及电气化改造是减少CO2排放和实现气候目标的关键。与电动汽车不同的是，电力机车已被广泛使用了一百多年。然而，全球范围内的轨道交通电气化转型仍然方兴未艾，不同国家和地区的轨道交通电气化率存在
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碳化硅 功率模块 轨道交通
压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，除了可以提高车厢内的环境舒适度（制冷，制热）以外，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程都至关重要。图1.电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件电动压缩机需
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压缩机 汽车空调 SiC
意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
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STPOWER SiC MOSFET 驱动逆变器
9月24日，Resonac（原昭和电工）在官网宣布，其与Soitec签署了一项合作协议，双方将共同开发用于功率半导体的8英寸碳化硅键合衬底。在这次共同开发中，Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。键合技术加速碳化硅8英寸转型据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶衬底，将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底，然后将单晶衬底分割成薄膜，从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆，由此显著提
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8英寸 碳化硅 Resonac
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有
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东芝 SiC 肖特基势垒二极管 工业电源
美国和印度达成协议，将共同在印度建立一家半导体制造厂，助力印度总理莫迪加强该国制造业的雄心计划。据白宫消息人士称，拟建的工厂将生产红外、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体，这是美国总统拜登和莫迪在特拉华州会晤后发布的。消息人士称，该工厂的建立将得到印度半导体计划（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美国太空部队之间的战略技术伙伴关系的支持。印度在亚洲的战略地缘政治地位为该国及其在技术领域所能提供的机会提供了新的关注点。在过去十年中，莫迪曾多次表示，他将把印度定位为中国的替代品，并
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半导体 氮化镓 碳化硅
与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由
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三菱电机 SiC
碳化硅(sic)介绍
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