在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅
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PI 氮化镓 碳化硅
分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当 FET 的栅源电压 (V GS ) 超过阈值电压 (V TH ) 时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于 R DS(on) 的沟道连接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的实际电气行为，您应该很容易认识到该模型与事实不符。首先，FET 并不真正具有“导通状态”。当未处于截止状态时（我们在此
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MOSFET 通态漏源电阻
中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。 截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。&nbs
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东芝 N沟道共漏极 MOSFET
奈梅亨，2023年11月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块，适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。 制造商对下一代功率应用的关键需求是节省空间和减轻
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Nexperia KYOCERA 功率应用 650 V 碳化硅 整流二极管
先之科半导体科技（东莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科电子于1991年就开始专注于半导体分立器件研发及销售，在半导体行业闯荡了32年。作为一家成熟的半导体企业，先之科拥有占地60亩的生产基地，超过1400名员工，保证了其1.8亿只的日产能，让其旗下产品可以出现在任何需要它们的地方。今天展会之上，先之科为我们带来了丰富的产品，包括各类二极管、整流管、保护器件、三极管以及MOSFET，横跨汽车电子、光学逆变器和通信电源等领域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封装，
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先之科 半导体分立器件 二极管 整流管 三极管 MOSFET
应能微电子股份有限公司是一家致力于接口保护器件、功率和模拟集成电路 (IC) 设计、制造和销售的半导体技术公司。应能成立于2012年，其核心团队来自美国硅谷，全产品线皆为自研产品，目前已有500多款产品，90%已上为量产状态。应能微的半导体芯片应用市场包括快速增长的消费电子 (智能手机、计算机、平板电脑、高清电视、机顶盒等) ，并在通讯、安防、工业和汽车上均有广泛的应用。应能微销售总监曾总表示，其高性能瞬态电压抑制器 (TVS) 产品系列在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上表现出色，硅基MOSFET产品
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应能微电子 接口保护器件 碳化硅
11月2日消息，据“智新科技”官微消息，近日，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。该碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。据悉，智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产
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IGBT 碳化硅 东风 智新半导体
一些新出现的应用使地球的未来充满了激动人心的可能性，但同时也是人类所面临的最大技术挑战之一。例如，虽然太阳能可以提供无限的能源，但要想成功商业化，设计人员必须提供更高的功率和效率，同时不增加成本或尺寸。在汽车领域，目前电动汽车 (EV) 已经非常普及，但由于人们担心可用充电基础设施、充电所需时间和续航里程有限等问题，电动汽车的普及仍然受到了限制。在这种情况下，设计人员面临的挑战包括如何提高电气效率、优化动力总成的尺寸和重量，包括主驱逆变器和车载充电器 (OBC) 等元件，并不断降低成本。碳化硅器件的优势硅
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电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点。此外，锂离子电池技术成熟，因
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202310 碳化硅 SiC 电池储能系统
10月25日，中芯集成发布公告称，新设立合资公司芯联动力科技（绍兴）有限公司（以下简称“芯联动力”）已完成了工商注册登记手续，并取得绍兴市越城区市场监督管理局核发的《营业执照》。根据中芯集成公告，芯联动力将运营碳化硅（SiC）业务项目，注册资本人民币5亿元，中芯集成使用自有资金出资人民币2.55亿元，占注册资本总额51.00%。基于合资公司的股权结构，合资公司将被纳入公司合并报表范围，系公司控股子公司。从投资股东上看，芯联动力创始股东包括中芯集成、芯联合伙和博原资本、立讯精密家族办公室立翎基金、上汽集团旗
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安森美位于韩国富川的先进碳化硅超大型制造工厂的扩建工程已经完工，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200mm SiC晶圆。10月25日消息，安森美发布消息称，其位于韩国富川的先进碳化硅（SiC）超大型制造工厂的扩建工程已经完工，目标明年完成设备安装，到2025年该厂SiC半导体产量预计将增至每年100万颗。富川SiC生产线目前主力生产150mm晶圆，在2025年完成200mm SiC工艺验证后，将转为生产200mm晶圆。为了支持SiC产能的提升，安森美计划在未来三年内雇佣多达1000名当地员工来填补大部分高
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10月24日，安森美宣布其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200mmSiC晶圆。据介绍，新的150mm/200mmSiC先进生产线及高科技公用设施建筑和邻近停车场于2022年中期开始建设，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圆厂的扩建，体现了安森美致力于在棕地（既有地点）建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。富川SiC生产线目前主力生产150mm晶圆开始，在2025年完成200mmSiC工艺验
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安森美 碳化硅
2023 年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。在碳化硅（SiC）晶体生长领域，中国尤其获得国际 IDM 的认可，导致产量大幅增长。此前中国碳化硅材料仅占全球约 5% 的产能，然而业界乐观预计，2024 年中国碳化硅晶圆在全球的占比有望达到 50%。天岳先进、天科合达、三安光电等公司均斥资提高碳化硅晶圆/衬底产能，目前这些中国企业每月的总产能约为 6 万片。随着各公司产能释放，预计 2024 年月产能将达到 12 万片，年产能 150 万。根据行业消息和市调机构的统计，此前天岳先进、天科合达合计占据全球
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碳化硅 晶圆
日前，瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重举行的2023中国国际半导体高管峰会（ISES，原CISES）。作为半导体原厂和设备制造商云集的平台，ISES专注于高层管理，来自世界各地的半导体领域高管和领袖受邀聚集于此，旨在探讨行业的未来趋势和挑战，分享他们如何在迅速创新和变化的行业中推动技术进步。ISES通过推动整个微电子供应链的创新、商业和投资机会，为半导体制造业赋能，促进中国半导体产业的发展。在峰会以“宽禁带功率半导体在汽车应用中的机遇”为主题的单元中，Markus Mose
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瑞能 ISES CHINA 2023 碳化硅 新能源汽车
2023年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。 在碳化硅（SiC）晶体生长领域，尤其得到国际IDM厂商的认可，中国厂商产能大幅提升。 此前，来自中国的SiC材料仅占全球市场的5%。 然而，到2024年，预计将抢占可观的市场份额。该领域的主要中国公司，包括SICC、TankeBlue和三安，几乎都将产能扩大了千倍。我国大约有四到五家从事SiC晶体生长的龙头企业，为测算我国SiC晶体生长产能提供了依据。 目前，他们的月产能合计约为60,000单位。 随着各公司积极增产，预计到2024年月产能将达到12万单位
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碳化硅 mosfet介绍
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