随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是，PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC 拓扑，因为它有着卓越的开关性能和较小的反向恢复特性。众所周知，使用 SiC MOSFET 模块可提供电气和热性能以及功率密度方面的优势。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技术的汽
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安森美 车载充电器 MOSFET
· 纬湃科技正在锁定价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产能· 纬湃科技通过向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的产能投资，获得这一关键的半导体技术，以实现电气化的强劲增长· 除了产能投资外，两家公司还将在进一步优化主驱逆变器系统方面达成合作 2023年
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纬湃 安森美 碳化硅 SiC
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rc
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三极管 MOSFET
要能快速高效地为电动车更大的电池充电，电动车才能在市场普及并发展。2021 年，市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间，OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高达 22 kW。使用 6.6 kW OBC 时，这些电动汽车需要 12.1 小时才能充满电。而将 OBC 功率增加到 11 kW 后，充电时间缩短至 7.3 小时，而使用 22 kW OBC 时，只需
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MOSFET 车载充电器
近日，中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新性显著，总体技术达到国际先进水平。该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台，国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅MOSFET器件，实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货，有力保障碳化硅功率器件供
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中国电科 55所 碳化硅 MOSFET
近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出，按照计划，瑞萨电子拟在目
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碳化硅 瑞萨 X-FAB
近两年新能源汽车和光伏储能市场的火热，让半导体供应上升到了很多公司战略层面的考虑因素。特别是SiC的供应更加紧俏。最近几年用户对SiC的使用更有经验，逐渐发挥出了其高效率高功率密度的优点，正在SiC使用量增大的阶段，却面临了整个市场的缺货的状态。碳化硅功率器件缺货有很多因素，目前前道是最大的瓶颈，特别是前道的“最前端” ，SiC衬底片和外延片是目前缺货最严重的材料。面对这种问题，作为功率半导体的领头羊英飞凌又有哪些举措呢？一方面，英飞凌与多家晶圆厂签订长期供货协议推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，保
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英飞凌 碳化硅
2023 年 5 月 17日—宾夕法尼亚州立大学与智能电源和智能感知技术的领先企业安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布双方签署了一份谅解备忘录 (MOU)，旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作，其中包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。未来 10 年，安森美每年都将为 SiC3 中心提供 80 万美元的资金。 安森美和宾夕法尼亚州立大学领导团队庆祝签署谅解备忘录 (MOU)，开展总额达 800 万美元的战略合作，其中包
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SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。ISOPLUS - SMPD 及其优势SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS（现在是Littelfuse公司的一部分）在2012年开发。SMPD只有硬币大小，具有几项关键优势：·
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Littelfuse SMPD MOSFET
2023 年 5 月 16 日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电动汽车（EV）充电桩。双方此项合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC产品在内的各种功率半导体技术，开发电动汽车充电方案套件。这些器件将用于有源AC-DC前端以及初级侧和次级侧的DC-DC转换器。 安森美为Kempower 的Satellit
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奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准。通过操作数据手册中的交互式滑块，用户可以手动调整其电路应用的电压、电流、温度和其他条件，并观察器件的工作点如何动态响应这些变化。 这些交互式数据手册使用Nexperia的高级电热模型计算器件的工作点，可有效地为电路仿真器提供一种图形用户界面。此外，工程师借助这些交互式数据手册可以即时查看栅极电压、漏极电流、RDS(o
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Nexperia 交互式数据手册 MOSFET
MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。它们非常小，制造过程非常简单。由于MOSFET的特性，模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路，MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。大信号模型是非线性的。它用于求解器件电流和电压的de值。小信号模型可以在大信号模型线性化的基础上推导出来。截止区、三极管区和饱和区是MOSFET的三个工作区。当栅源电压(VGS)小于阈值电压(Vtn)时，器件处于截止区。当MOSFET用作
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雷卯 MOSFET
碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，工程师们必须在主要性能指标（如电阻和开关损耗），与实际应用需考虑的其他因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。优秀的器件应该允许一定的设计自由度，以便在不对工艺和版图进行重大改变的情况下适应各种工况的需要。然而，关键的性能指标仍然是尽可能低的比电阻，并结合其他重要的参数。图1显示了我们认为必不可少的几个标准，或许还
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英飞凌 SiC MOSFET
4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。此次车规级碳化硅芯片产线的成功通线，是基本半导体打造国产碳化硅功率器件IDM领先企业的一大重要战略布局。据官微介绍，基本半导体车规级碳化硅芯片产线项目获得国家工信部的产业专项支持，并连续两年入选深圳市年度重大项目，厂区面积13000平方米，配备光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蚀等专业设备，主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等，产线达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。项目通过打造垂直整合制造模式，加快设计、制造共同迭代
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基本半导体 车规级 碳化硅
碳化硅 mosfet介绍
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