在国内新能源车市场，特斯拉称得上是最大的“鲶鱼”，一举一动总能搅动起不小的“水花”。近日，“鲶鱼”特斯拉在其投资者活动日上公开了备受期待的“秘密宏图第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平台将减少75%的碳化硅使用”一度带崩相关板块，引发A股碳化硅中的个股集体跳水。近两年，碳化硅在新能源汽车中占据着重要位置，相关概念在资本市场上也一度受到热捧，更具戏剧性的是，特斯拉正是推动碳化硅上车的“先驱”。如今，特斯拉对碳化硅的态度出现180度大反转，背后的真实意图是什么？将会对国内新能
据外媒报道，知名汽车电子厂商采埃孚（ZF）近日宣布将从意法半导体(ST)采购碳化硅模块。双方签署的多年期合同据报道涉及供应数量达数百万的SiC模块。报道称，到2030年，采埃孚在电动汽车领域的订单总额预计将超过300亿欧元，公司高管Stephan
von Schuckmann表示，为了应对蓬勃增长的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供应商。“在
意法半导体，我们现在找到了这样一家供应商，其在复杂系统方面的经验符合我们的要求，最重要的是，该供应商能够以极高质量和所需数量生产模块。”意法半导体汽车和分立
Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。Si IGBT/MOSFET与SiC MOSFET，尽
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，
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