高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率转换
现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面 。一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设
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RS瑞森半导体 MOSFET
目前影响着车辆运输和半导体技术的未来有两大因素。业界正在采用令人振奋的新方法，即以洁净的能源驱动我们的汽车，同时重新设计支撑电动车（EV）子系统的半导体材料，大幅提升功效比，进而增加电动车的行驶里程。政府监管机构持续要求汽车OEM减少其车系的整体二氧化碳排放量，对于违规行为给予严厉的处罚，同时开始沿着道路和停车区域增设电动车充电基础设施。但是，尽管取得了这些进展，主流消费者仍然对电动车的行驶里程存有疑虑，使电动车的推广受到阻力。更复杂的是，大尺寸的电动车电池虽然可以增加其行驶里程，缓解消费者关于行驶里程的
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碳化硅 牵引逆变器 电动车 ADI
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单芯片DrMOS组件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些组件需要的功率急剧增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模块（VRM）提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率，高
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单芯片 驱动器 MOSFET DrMOS 电源系统设计
近日，安森美公布了2022年第三季度业绩，其三季度业绩直线上扬，总营收21.93亿美元，同比增长25.86%；毛利10.58亿美元，同比增长46.82%。财报数据显示，其三大业务中，智能电源组营收为11.16亿美元，同比增长25.1%；高级解决方案组营收7.34亿美元，同比增长19.7%；智能感知组营收为3.42亿美元，同比增长44.7%，三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美执行了一系列的战略转型，聚焦于智能电源和智能感知两大领域，从传统的I
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安森美 SiC MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密度
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安森美 Top Cool封装 MOSFET
2022年11月16日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布梅赛德斯-奔驰在其主驱逆变器中采用安森美的碳化硅（以下简称“SiC”）技术，这是两家公司战略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模块提高了梅赛德斯-奔驰纯电动汽车VISION EQXX主驱逆变器的能效并减轻了其重量，使电动汽车的续航里程增加10%。这款电动汽车完成了从德国斯图加特到英国银石的1,202公里（747英里）旅程，保持了单次充电后最远的行驶距离记录。VISION EQXX在电动车
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安森美 碳化硅 纯电动汽车 充电
本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。对目前热门的碳化硅材料和英飞凌碳化硅技术做了介绍，并着重说明了碳化硅器件在UPS应用中的优势。分析给出了目前UPS常用拓扑及方案，最后基于50 kW的逆变部分做了各方案的损耗分析。1.引 言互联网数据中心(Internet Data Center,IDC),是集中计算和存储数据的场所，是为了满足互联网业务以及信息服务需求而构建的应用基础设施。受新基建、数字经济等国家政策影响以及新一代信息技术发展的驱动，我国数据中心市场规模增长迅猛。随着
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Infineon 碳化硅 UPS
在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
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Digi-Key MOSFET
SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。东芝推出并已量产的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是这样的产品，其最大亮点是全SiC MOSFET模块，不同于只用SiC SBD（肖
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Toshiba MOSFET
2022年11月14日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、加利福尼亚州洛杉矶市与中国上海市讯 -- 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。 AMP 公司硬件工程副总裁 Jia
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AMP 电动汽车充电 Wolfspeed 碳化硅
中国北京 – 2022 年 11 月 8 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）与半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。此次合作将提高半导体供应链的弹性，并更好地满足汽车市场对先进碳化硅解决方案迅速增长的需求。随着客户采用 Qorvo 业界领先的第 4 代 SiC FET 解决方案，该协议还会为他们提供更好的保护并增强其信心。SiC 器件
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Qorvo SK Siltron CSS 碳化硅
11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半导体国际论坛2022”在上海国际会议中心成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享。此次论坛重点讨论的主题包括：开幕演讲，化合物半导体与光电及通讯，宽禁带半导体及新型功率器件。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙先生为此次论坛致欢迎词。居龙表示：“在大家的支持下，功率及化合物半导体国际论坛从2016年开始首办，今年已经是第七届。在严格遵守防疫规定的前提下，希望大家能在SEMI的平台上充分交流。不经历风雨，怎么能
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碳化硅 氮化镓 InP
· 在“重塑未来”战略指引下，捷豹路虎正在向电动化优先转型，全力开启未来出行之路，在 2039 年实现净零碳排放· 与 Wolfspeed 的战略合作将确保碳化硅（SiC）半导体技术的供应，并成为下一代路虎∙揽胜、路虎∙发现、路虎∙卫士、捷豹汽车电动化的重要组成部分· &
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碳化硅 mosfet介绍
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