据报道，近年来，光伏逆变器制造商采用SiC MOSFET的速度越来越快。最近，又有两家厂商在逆变器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德国KATEK集团宣布，其Steca太阳能逆变器coolcept fleX系列已采用纳微半导体的GeneSiC系列功率半导体，以提高效率，同时减少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术，可以在高温和高速下运行，寿命最多可延长3倍，适用于大功率和快速上市的应用。1月13日，美国制造商Brek Electronics开发了采
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SiC MOSFET
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。因此，通常需要将电流限制在一个特定值。大多数功率转换器都有过流限制器，以保护其免受额外电流造成的损坏。在一些DC-DC转换器中，甚至可以调整阈值。图1. 每个端口输出电流为1 A的充电宝中的电流限制。在图1中，还可以使用具有内置甚至可调节限流器的DC-DC升压转换器。在这种情况下，无需额外的限流器模块。不过，也有许多应
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ADI MOSFET
今天,Ameya360给大家介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件
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MOSFET 超级结MOSFET
一直以来，“里程焦虑”、“充电缓慢”都是卡住新能源汽车脖子的关键问题，是车企和车主共同的焦虑；但随着高压电气技术的不断进步和快充时代的到来，将SiC(碳化硅）一词推向了市场的风口浪尖。继2019年4月保时捷Taycan Turbo S 全球首发三年后，800V高压超充终于开始了普及。相比于400V，800V带来了更高的功效，大幅提升功率，实现了15分钟的快充补能。而构建800V超充平台的灵魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引领着这一轮高压技术的革命。小鹏发布的800V高压SiC平台Si（硅）早已
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碳化硅 SiC
领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi）近日宣布与宝马集团（BMW）签署长期供货协议（LTSA），将安森美的EliteSiC技术用于这家德国高端汽车制造商的400 V直流母线电动动力传动系统。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一个全桥功率模块中，可提供几百千瓦的功率。两家公司的战略合作针对电动动力传动系统的开发和整合，使安森美能为特定应用提供差异化的芯片方案，包括优化尺寸和布局以及高性能和可靠性。优化的电气和机械特性实现高效率和更低的整体损耗，同时提供极高的系
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电源应用中的 MOSFET 大多是表面贴装器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封装。通常选择这些 SMD 的原因是它们具有良好的功率能力，同时尺寸较小，从而有助于实现更紧凑的解决方案。尽管这些器件具有良好的功率能力，但有时散热效果并不理想。由于器件的引线框架（包括裸露漏极焊盘）直接焊接到覆铜区，这导致热量主要通过PCB进行传播。而器件的其余部分均封闭在塑封料中，仅能通过空气对流来散热。因此，热传递效率在很大程度上取决于电路板的特性：覆铜的面积大小、层数、厚度和布局。无论电路板是
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安森美 MOSFET
3 月 3 日消息，美国电动汽车制造商特斯拉在首次投资者日活动上表示，计划减少下一代电动汽车动力系统中碳化硅晶体管的使用量，当地时间周四相关芯片制造商的股价纷纷下跌。本周三举行的特斯拉投资者日活动讨论的一个主要内容是效率提升和成本控制。特斯拉动力系统工程负责人科林・坎贝尔（Colin Campbell）登台展示了公司计划如何在保持高性能和转化效率的同时降低汽车动力系统的成本。坎贝尔透露，“在我们的下一代动力系统中，作为关键部件的碳化硅晶体管价格昂贵，但我们找到了一种方法，可以在不影响汽车性能或效率的情况下
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银河微电12月20日在互动平台表示，功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产；IPM模块已完成一款封装的量产，未来将根据市场情况逐步系列化；DFN0603无框架封装已完成工艺验证，性能指标符合开发目标要求；CSP0603封装已完成技术开发，未来芯片线改扩建时将进行成果转化。
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在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料，它能减轻对硅的依赖。SiC 是宽禁带 (WBG) 半导体：将电子激发到导带所需的能量更高，并且这种宽禁带具备优于标准硅基器件的多种优势。由于漏电流更小且带隙更大，器件可以在更宽的温度范围内工作，而不会发生故障或降低效率。它还具有化学惰性，所有这些优点进一步巩固了 SiC 在电力电子领域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已广泛用于众多应用，例如电源、纯
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日前，英飞凌科技继续扩大了与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC材料，协议后期则会助力英飞凌向8英寸晶圆的过渡。合作过
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英飞凌 碳化硅
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC
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英飞凌 Resonac 碳化硅 SiC
_____“ 动态特性是功率器件的重要特性，在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环，主要采用双脉冲测试进行。”按照被测器件的封装类型，功率器件动态参数测试系统分为针对分立器件和功率模块两大类。长期以来，针对功率模块的测试系统占据绝大部分市场份额，针对分立器件的测试系统需求较少，选择也很局限。随着我国功率器件国产化进程加快，功率器件厂商和系统应用企业也越来越重视功率器件动态参数测试，特别是针对分立器件的测试系统提出了越来越多
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MOSFET
高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。功率MOSFET开关损耗有2个产生因素：1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。图1 功率MOSFET
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MOSFET ZVS
Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基势垒二极管 SBD
碳化硅 mosfet介绍
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