- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。EiceDRIVER™增强型1ED34X1主要特色：● 单通道隔离型栅极驱动芯片● 输出电流典型值+3/6/9A● 功能绝缘电压高达2300V● 带米勒钳位、Desat短路保护、
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MOSFET EiceDRIVER MOSFET
- 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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碳化硅 SiC
- 近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC
MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安
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8英寸 碳化硅
- 随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断提升，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，根据国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，高速发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅增长71.1%。图1：全社会用电量统计（图源：贸泽电子）各行业电气化进程逐渐深入后，我们也必须要考虑到一个严峻的问题，那就是节能。当前，任何一种用电设备在设计之初，都会将高能效和低能
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Mouser 碳化硅 功率器件
- 我们设计了一个使用 MOSFET 的功率放大电路，可产生 100W 的输出功率，驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。工作原理：该电路采用多级功率放大原理，包括前置放大器、驱动器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驱动级是带有电流镜负载的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 类工作方式。与 BJT 相比，MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成，用于产生无噪声放大信号
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功率放大器 MOSFET
- 随着碳化硅（SiC）在电动汽车、新能源等领域的应用日益广泛，市场需求不断增长。近期，一批碳化硅项目集中开工，部分公司接到批量订单，推动了碳化硅加速量产。传播星球App联合创始人由曦向《证券日报》记者介绍，碳化硅的应用场景主要包括电动汽车、光伏发电、充电桩、电力电子等领域。近年来，我国在碳化硅领域的研究和应用取得快速发展，一些项目已经落地实施。例如，在新能源汽车的高压充电技术方面，碳化硅作为其中的关键材料，其需求正日益增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料，具有耐高压、导热好、耐高温等优点，是实现高压快充技
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碳化硅 新能源
- 在半导体行业的下行周期中，也并非一片低迷之声，碳化硅就是萎靡之势中的一个反例。随着电动汽车功率半导体价值量的提升，以碳化硅为代表的第三代半导体正在逆势而上。需求殷切令各路厂商竞相投资扩大产能，并且在未来的五年里，它的热度只会增不会减。这一趋势在最近两年碳化硅行业的投资并购动作中也可窥见一二。国内上半年融资创三年之最2021 年有多家碳化硅企业获得了投资机构的青睐，相继宣布完成融资，行业内也随之激起一番融资浪潮。2021 年全年投融资及并购金额达到 21.32 亿元，数量达到 15 起。2022 年也是碳化
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碳化硅
- 合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。图 1：必须与 SiC MOSF
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MOSFET
- “能够优先掌握SiC这种领先技术的国家，将能够改变游戏规则，拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金（NSF）获得了1787万美元的资助，用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育，以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的，此外其部署的SiC晶圆生产线，能够让美国大学，企业以及政府研究人员进行长期
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SiC MOSFET 功率损耗 碳中和
- 【2023年7月27日，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器
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英飞凌 高压超结 MOSFET
- 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性
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安森美 MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
- 2023年7月19日--智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆变器安森美提供高性能的 Elit
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安森美 博格华纳 碳化硅
- 全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%。太阳能将占到这 95% 中的一半以上。如今，在远大的清洁能源目标和政府政策的驱动下，太阳能、电动汽车 (EV) 基础设施和储能领域不断加快采用可再生能源。可再生能源的逐渐普及也为在工业、商业和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比传统基于 IGBT 的电源应用在可再生能源系统中的优
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TI 碳化硅
- 功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零
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MOSFET MOS
碳化硅 mosfet介绍
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