- 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦
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IGBT MOSFET
- 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达60A或更多，电压介于0.9V和1.75V之间。但是，尽管电流需求在稳步增
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MOSFET 开关电源
- 不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束，以及越来越丰富的可选方案，都在推动着人们选用电动汽车 (EV)，令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示，到 2023 年，电动汽车销量将占全球汽车销量的 10%；到 2030 年，预计将增长至 30%；到 2035 年，电动汽车销量将有可能占全球汽车销量的一半。然而，“里程焦虑”，也就是担心充一次电后行驶里程不够长，则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化
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电动汽车 逆变器 SiC MOSFET
- 英飞凌、现代汽车和起亚汽车三方发布官方声明称，已签署一项多年期碳化硅和硅功率半导体供应协议。据外媒，10月18日，英飞凌、现代汽车和起亚汽车三方发布官方声明称，已达成战略合作，签署一项多年期碳化硅和硅功率半导体供应协议，以确保功率半导体的供应。根据战略合作协议，英飞凌将在2030年前向现代、起亚供应碳化硅和硅功率模块与芯片，而现代、起亚则会出资支持英飞凌的产能建设与储备，三方也计划在提升电动汽车的性能上紧密合作。
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英飞凌 现代 起亚 碳化硅 硅功率模块
- 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压
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SiC MOSFET IGBT WBG
- 10月16日，根据韩媒ETNEWS的报道，三星电子近期聘请安森美半导体前董事洪锡俊(Stephen Hong)担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其内部组织了SiC功率半导体业务V-TF部门。Stephen Hong是功率半导体专家，在加入三星电子之前，曾在英飞凌、仙童、安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作约25年。目前，Stephen Hong正在寻找SiC商业化的团队成员，同时通过与韩国功率半导体产业生态圈和学术界互动，进行市场和商业可行性研究。早先三星宣布正式进军GaN业务的时候也曾提
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三星 碳化硅！
- 假如有人将24V电源连接到您的12V电路上，将发生什么？倘若电源线和接地线因疏忽而反接，电路还能安然无恙吗？您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。为了隔离负电源电压，设计人员惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率二极管或 P 沟道 MOSFET。然而——◇ 二极管既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。◇ P 沟道 MOSFET 的功耗虽然低于串联二极管，但 MOSFET 以及所需的
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MOSFET 二极管 LTC4365
- 碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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202310 碳化硅 SiC 衬底 8英寸 扩产
- 香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录，设立以第三代半导体为主的全球研发中心。大半导体产业网消息，10月13日，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。据悉，该项目总投资额约69亿港元，计划到2028年年产24万片碳化硅晶圆，带动年产值超过110亿港元，并创造超过700个本地和
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晶圆 碳化硅 第三代半导体
- 由创新科技及工业局和引进重点企业办公室共同推动，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。香港特区政府创新科技及工业局去年公布的《香港创科发展蓝图》中，明确指出应加强支持具策略性的先进制造产业发展，譬如半导体芯片，促进香港「新型工业化」的发展。作为全球最大的半导体进出口市场之一，香港更是位处大
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香港科技园公司 杰平方半导体 碳化硅 SiC 垂直整合晶圆厂
- Denso和三菱电机宣布将分别投资5亿美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司。据外媒，日本电装株式会社(Denso)和三菱电机宣布，将分别投资5亿美元，入股美国半导体材料、网络及激光供应商Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司Silicon Carbide，并分别取得12.5%股权（两家日企合计取得25%股权）。据悉，Silicon Carbide主要从事SiC晶圆等产品的制造，是于2023年4月从Coherent公司分拆出来设立的SiC业务子公司。Denso与三菱电机将向该公司采购
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三菱电机 Denso 碳化硅
- 随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动系统、直流快速充电、储能电站、不间断电源和太阳能发电。这些应用有一点非常相似，它们都需要逆变器（图 1）。它们还需要紧凑且高能效的轻量级解决方案。就汽车而言，轻量化是为了增加续航里程，而在太阳能应用中，这是为了限制太阳能设备在屋顶上的重量。图 1.典型的 EV 动力总成，其中显示了逆变器半导体损耗决定逆变器效率的主要因素之一是所使用的半导体器件（IGBT /
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安森美 碳化硅
- Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si) MOSF
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Littelfuse MOSFET
- 热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。简介热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的
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MOSFET 导通电阻
- 1.方案介绍:NCD57000 是一种具有内部电流隔离的高电流单通道驱动器，专为高功率应用的高系统效率和高可靠性而设计。其特性包括互补的输入端（IN+ 和 IN-）、漏极开路或故障侦测功能、有源米勒箝位功能、也配备了精确的 UVLO和DESAT保护能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 时的软关断以及独立的高低驱动器输出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系统设计及开发。 NCD57000 可在输入侧提供 5
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NCD57000 驱动器 IGBT MOSFET onsemi 马达控制
碳化硅 mosfet介绍
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