- 中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。 截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。&nbs
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东芝 N沟道共漏极 MOSFET
n沟道共漏极介绍
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