在本文中，我们通过研究MOSFET共源放大器的s域传递函数来了解其频率响应。之前，我们了解了MOSFET共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共用源（CS）放大器在较高频率下的功能，我们需要更详细地研究其频率响应。在本文中，我们将在考虑MOSFET寄生电容的情况下导出CS放大器的全传递函数。然而，在我们这么做之前，让我们花点时间回顾频域中更为普遍的传递函数（TF）分析。s域传输函数TF是表示如何由线性系统操纵输入信号（x）以产生输出信号（y）的方程式。其形式为：&n
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MOSFET 共源放大器
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。
额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作结温范围）内定义的MOSFET器件的最小阻断电压（例如30V）。数据表中的BVdss值是在低雪崩电流（通常为
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MOSFET 雪崩 电流
奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFETPoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96
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Nexperia APEC 2024 拓宽分立式FET MOSFET
在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交流信号方面，源端子对于输入和输出都是公共的，因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交流信号方面，源端子对于输入和输出都是公共的，因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度，在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力，需要辅助设备用的高效率电源，而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今，从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂，既需要进一步提升生产效率和产品品质，还需要推进无碳生产（降低功耗和减少温室气体排放）。在以往的制造业中，提高工厂的生产效率和
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电力转换 SiC MOSFET
近几日，英飞凌在碳化硅合作与汽车半导体方面合作动态频频，再度引起业界对碳化硅材料关注。1月23日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm碳化硅晶圆供应协议（原先的协议签定于2018年2月）。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定，同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。据英飞凌科技首席执行官 JochenHanebeck 消息，为了满足不断增长的碳化硅器件需求，英飞凌正在落实一项多供应商战略，从而在
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碳化硅 英飞凌 晶圆
CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。产品型号：▪️ IMYH200R012M1H▪️ IMYH200R024M1H▪️ IMYH200R050M1H▪️ IMYH200R075M1H▪️ IMYH200R0100M1H产品特点■ VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统■ 开关损
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MOSFET CoolSiC Infineon
在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 没 有 标 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 较 短 ， 例 如 英 飞 凌 的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标
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infineon MOSFET
2月1日消息，近日，浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露，该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体（嘉兴）有限公司，臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等，项目建筑面积达45800m2。公开资料显示，臻驱科技成立于2017年，是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司，总部位于上海浦东，在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模块 碳化硅 SiC
MOSFET的小信号特性在模拟IC设计中起着重要作用。在本文中，我们将学习如何对MOSFET的小信号行为进行建模。正如我们在上一篇文章中所解释的那样，MOSFET对于现代模拟IC设计至关重要。然而，那篇文章主要关注MOSFET的大信号行为。模拟IC通常使用MOSFET进行小信号放大和滤波。为了充分理解和分析MOS电路，我们需要定义MOSFET的小信号行为。什么是小信号分析？当我们说“小信号”时，我们的确切意思是？为了定义这一点，让我们参考图1，它显示了逆变器的输出传递特性。逆变器的传输特性。 图
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MOSFET 模拟IC
据外媒，1月23日，英飞凌与美国半导体制造商Wolfspeed发布声明，宣布扩大并延长双方2018年2月签署的现有150mm碳化硅晶圆长期供应协议。根据声明，双方延长的的合作关系中包括一项多年期产能预留协议。新协议有助于提高英飞凌总体供应链的稳定性，同时满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅晶圆产品日益增长的需求。英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范围内保障对于150mm和200mm碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源。
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英飞凌 碳化硅 晶圆 Wolfspeed
摘要在无线收发器等应用中，系统一般处于偏远地区，通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预，此类应用必须持续运行。系统持续无活动或挂起后，需要复位系统以恢复操作。为了实现系统复位，可以切断电源电压，断开系统电源，然后再次连接电源以重启系统。 本文将探讨使用什么方法和技术可以监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关，从而执行系统电源循环。 简介为了提高电子系统的可靠性和稳健性，一种方法是实施能够检测故障并及时响应的保护机制。这些机制就像安全屏障，能够减轻潜在损害，确保系统正常运行
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MOSFET 系统电源循环 ADI
2024年1月18日，中国--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 宣布，与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处，以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例，续航里程可延长5到10公里，在夏冬
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致瞻 意法半导体 碳化硅 新能源汽车 空调压缩机控制器
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
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Transphorm 高功率服务器 工业电力转换 氮化镓场效应晶体管 碳化硅 SiC
碳化硅 mosfet介绍
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