3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。据其介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，工厂已开始安装长晶设备，预估今年12月份或者明年1月，这座工厂将会有产出。该工厂将主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圆，尺寸是150mm（6英寸）晶圆的1.7倍，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求
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功率半导体 碳化硅
据Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉，John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持，推动具有重要
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Wolfspeed 碳化硅
2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据官方介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，获得了来自公共部门和私营机构的支持，将助力从硅向碳化硅的产业转型，提升对于能源转型至关重要的材料的供应。该中心占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工，该中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的
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芯片制造 功率半导体 碳化硅
3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞萨 英飞凌
随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
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SiC 碳化硅
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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碳化硅 氮化镓 第三代半导体
英飞凌科技股份公司近日推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200
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英飞凌 OptiMOS MOSFET
英飞凌科技股份公司近日出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产
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英飞凌 OptiMOS 6200V MOSFET
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率MOSFET的雪崩效应，今天，我们将继续分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。除了Ipk vs tav图之外，大多数功率MOSFET数据表还包含一个UIS能量额定值，通常列在最大值表中。这有点误导，因为很明显 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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安森美 MOSFET UIS
受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。近期，备受关注的碳化硅市场又有了新动态，涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。三菱电机SiC工厂预计4月开建据日经新闻近日报道，三菱电机将于今年4月，在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂，并计划于2026年4月投入运营。2023年3月，三菱电机宣布，计划在5年内投资约1000亿日元（折合人民币约48.56亿元）建设一个
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新能源汽车 碳化硅 第三代半导体
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1
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Vishay MOSFET 对称双通道
3月13日消息，日前，芯动半导体官微宣布，已与意法半导体签署战略合作协议，双方将就SiC芯片业务展开合作。此次与意法半导体就SiC芯片业务签署战略合作协议，也将进一步推动长城汽车垂直整合，稳定供应链发展。公开资料显示，芯动半导体于2022年11月成立于江苏无锡，由长城汽车与稳晟科技合资成立，以开发第三代功率半导体SiC模组及应用解决方案为目标。目前，芯动半导体位于无锡的第三代半导体模组封测制造基地项目已完成建设。该项目总投资8亿元，规划车规级模组年产能为120万套，预计本月正式量产。除了碳化硅模块外，芯动
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英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程
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近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。晶盛机电自2017年开始碳化硅产业布局，聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到
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碳化硅 mosfet介绍
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