- Nexperia近日宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2
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Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
- Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
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SiC MOSFET IGBT 低侧栅极驱动器
- 根据合肥安赛思半导体有限公司（以下简称：安赛思）官方消息，5月18日，安赛思与新加坡三福半导体科技有限公司（以下简称：三福半导体）签署战略合作备忘录仪式暨安徽大学与三福半导体联合实验室揭牌仪式正式举行。据介绍，安赛思是一家致力于研发新一代半导体功率器件智能驱动技术及衍生产品的高新技术企业，目前已成功开发了IGBT和SiC智能驱动模块以及工业电力电子变换器、电力电子继电器等产品，应用领域涵盖电动汽车、智能制造、机电设备和航空航天等。三福半导体聚焦集成电路设计、制造和封装测试，致力于先进技术研发、成果转移转化
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碳化硅 化合物半导体
- 作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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碳化硅 氮化镓 化合物半导体
- 了解欠压锁定（UVLO）如何保护半导体器件和电子系统免受潜在危险操作的影响。当提到电源或电压驱动要求时，我们经常使用简化，如“这是一个3.3 V的微控制器”或“这个FET的阈值电压为4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之间的任何电源电压下正常工作，而具有4 V阈值电压的MOSFET可能在3.5 V至5 V之间获得足够的导电性。但即使是这些基于范围的规范也可能具有误导性。当VDD轨降至2.95V时，接受3.0至3.6 V电源电压的数字
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欠电压闭锁，UVLO MOSFET，IC
- 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。该系列研讨会将针对汽车电气化和智能化以及工业市场可持续性能源发展的广泛应用场景，共同探讨最新的能效设计挑战，展示针对更多纵深应用的SiC解决方案。安森美希望借此携手中国的“碳”路先锋们，加速先进功率半导体技术的落地，实现应用系统的最佳能效。在中国，市场对SiC的需求强劲，应用场景日益多样化。新能源
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安森美 碳化硅 功率解决方案
- 随着人工智能技术的飞速发展，越来越多的企业开始探索如何将人工智能技术融入业务流程中，以提升质量、降本增效。在高精尖制造业领域，人工智能、自动驾驶等新兴产业对碳化硅材料的需求日益增多，大力发展碳化硅产业，可带动原材料与设备2000亿级产业，加快我国向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。广东天域联手浪潮信息，为MES关键业务打造稳定、高效、智能的数据存储底座，让数字机台、智能制造"有底有数"。广东天域半导体股份有限公司成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业
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碳化硅 浪潮信息 MES 核心数据底座
- 本文将通过解释MOSFET功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。MOSFET的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管的栅极到源极电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。跨沟道的电压和流过沟道的电流都是显著的，导致晶体管中的高功耗。在开关模式中，栅极到源极电压足够低以防止电流流动，或者足够高以使FET处于“完全增强”状态，在该状态下沟道电阻大大降低。在这种状态下，晶体管就像一个闭合的开关：即使大电流流过通道，功耗也会很低或中等。随着开关模式操作接近理想情况，功耗变得可
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MOSFET 开关损耗
- 电池组，无疑是电动汽车心脏般的存在，它不仅是车辆动力之源，更是决定车辆成本高低的关键因素。作为电动汽车中最昂贵的单个组件，电池组承载了车辆行驶所需的大部分能量，而其内部的每一个电池单元都需要经过精密的监测和控制，以维持其长久且安全的使用寿命。电池管理系统（BMS），作为电池组的“大脑”，其任务繁重且关键。它要实时监控每一个电池单元的健康状况，确保它们的平衡与稳定；还要负责操作电池组的加热和冷却系统，确保电池在各种环境条件下都能维持最佳的工作状态；此外，BMS还需实时报告电池的充电状态，以便驾驶员能够准确了
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BMS 电动汽车 碳化硅 Power Integrations
- 处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须供应电流。另一种方法是使用图 1 所示的 MOSFET 电路之一。图 1：传统的负载侧反向保护对于负载侧电路而言，这种方法比使用二极管更好，因为电源
(电池) 电压增强了 MOSFET，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的 NMOS 版本比 PM
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MOSFET 电源电压反转
- 在功率转换市场中，尤其对于通信/服务器电源应用，不断提高功率密度和追求更高效率已经成为最具挑战性的议题。对于功率密度的提高，最普遍方法就是提高开关频率，以便降低无源器件的尺寸。零电压开关(ZVS)拓扑因具有极低的开关损耗、较低的器件应力而允许采用高开关频率以及较小的外形，能够以正弦方式对能量进行处理，开关器件可实现软开闭，因此可以大大地降低开关损耗和噪声。在这些拓扑中，移相ZVS全桥拓扑在中、高功率应用中得到了广泛采用，因为借助功率MOSFET的等效输出电容和变压器的漏感可以使所有的开关工作在ZVS状态下
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LLC MOSFET ZVS 变换器
- 一、MOS管驱动简述MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之
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MOSFET
- 为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC®数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件在一个封装中集成了dsPIC33
数字信号控制器 （DSC）、一个三相MOSFET栅极驱动器和可选LIN 或 CAN FD
收发器。这种集成的一个显著优势是减少电机控制系统设计的元件数量，缩小印刷电路板（PCB）尺寸，并降低复杂性。该系列器件的支持资源包括开发板、参考设计、应用笔记和
Micr
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dsPIC 数字信号控制器 MOSFET 电机控制
- 在之前一篇题为《功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡》的博文中，我们探讨了碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。图1.硅与碳化硅的对比众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘
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Qorvo SiC MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动
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英飞凌 MOSFET OptiMOS
碳化硅 mosfet介绍
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