● 安森美 (onsemi) 将实施高达 20 亿美元的多年投资计划，巩固其面向欧洲和全球客户的先进功率半导体供应链● 垂直整合的碳化硅工厂将为当地带来先进的封装能力，使安森美能够更好地满足市场对清洁、高能效半导体方案日益增长的需求 ● 安森美与捷克共和国政府合作制定激励方案，以支持投资计划落实● 该投资将成为捷克共和国历史上最大的私营企业投资项目之一，属于对中欧先进半导
关键字：
安森美 碳化硅 功率半导体
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。图 SiC/Si器件效率对比一、行业典型应用碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能
关键字：
SiC MOS 碳化硅 MOSFET
英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车（LEV）、电动二轮车、电动踏板车、电动摩
关键字：
英飞凌科技 汽车应用 OptiMOS™ 7 MOSFET
为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章，但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为，那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中，我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
关键字：
CMOS，MOSFET 晶体管，Spice模型
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升，本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX) = 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型V
关键字：
SiC MOSFET RSP
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于Coo
关键字：
英飞凌 CoolSiC MOSFET
本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型，根据Vth选择标准，预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热不平衡现象。此外，我们还能够延长测试时间，以便分析在电动汽车生命周期典型电流负荷下的芯片行为。
关键字：
电驱逆变器 碳化硅 电动汽车 大功率
作为天岳先进三大SiC材料生产基地之一，与其位于山东济南和济宁的两大基地相比，其上海基地项目似乎更受关注。近日，天岳先进上海基地项目披露了最新进展，再次成为焦点。2024年5月，天岳先进位于上海临港重装备产业区的生产基地第一个项目完成验收，意味着该生产基地由此进入新的发展阶段。01天岳先进“疯狂”扩产据悉，天岳先进上海基地项目最初于2021年第二季度备案和申报，规划投资25亿元，项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年。从投资规模和产能规划来看，上海基地项目有望让天岳先进的市场地位再进一步。近年来
关键字：
天岳先进 碳化硅
服务器电源主要用在数据中心场景中，主要应用于服务器、存储器等设备。它和PC电源一样，都是一种开关电源。服务器电源按照标准可以分为ATX电源和SSI电源两种。ATX标准是Intel在1997年推出的一个规范，使用较为普遍，输出功率一般在125瓦～350瓦之间主要用于台式机、工作站和低端服务器。SSI（Server System Infrastructure）规范是Intel联合一些主要的IA架构服务器生产商推出的新型服务器电源规范，SSI规范的推出是为了规范服务器电源技术，降低开发成本，延长服务器的使用寿命
关键字：
MOSFET 服务器电源
● ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地● 这项多年长期投资计划预计投资总额达50亿欧元，包括意大利政府按照《欧盟芯片法案》框架提供的20亿欧元资金● 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划，在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产，赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体
关键字：
意法半导体 碳化硅
PANJIT 推出最新的60V、100V 和 150V 车规级 MOSFET，此系列通过先进的沟槽技术设计达到优异性能和效率。此系列 MOSFET 专为汽车和工业电力系统设计，提供优异的品质因数（FOM），显著降低 RDS(ON) 和电容。这确保了最低的导通和开关损耗，从而提升了整体性能。新系列 MOSFET 提供多种封装，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
关键字：
PANJIT MOSFET
自意法半导体（STMicroelectronics）官方获悉，当地时间5月31日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。新碳化硅工厂的建设是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。据悉，该项目预计总投资约为50亿欧元（约合人民币392.61亿元），意大利政府将提供约20亿欧元的补助支持。新工厂的目标是在2026年投入生产，到2033年达到满负荷生产，满产状态下每周可生产多达15,000
关键字：
ST 意大利 碳化硅
1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于紧靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管分为结型和绝缘栅两种，因为绝缘栅型晶体管（MOSFET，下面简称MOS管）的栅源间电阻比结型大得多且比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，因而目前普遍采用绝缘栅型晶体管。MOS管分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，只要栅极-源极电压uGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，只要栅极-源极
关键字：
MOSFET 参数 米勒效应
功率MOSFET的开通和关断过程原理(1)开通和关断过程实验电路(2)MOSFET 的电压和电流波形：(3)开关过程原理：开通过程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通;-- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs充电而上升，在t1时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电;-- [t1-t2]区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电
关键字：
功率 MOSFET 工作原理
第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET，SiC
MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC
MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解，其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
关键字：
第三代半导体 SiC MOSFET 高效驱动 电力电子
碳化硅 mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅 mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅 mosfet的理解，并与今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473