Nexperia近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。许多MOSFET
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Nexperia NextPower MOSFET
~符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品已经开始销售，未来会继续扩大产品阵容。在汽车领域，随着安全性和便捷性的提高，电子产品逐渐增加，使得所安装的电子元器件数量也
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ROHM Nch MOSFET 汽车车门 座椅 电机 LED前照灯
半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效应管。即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFE
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三极管 MOSFET JFET
随着社会经济发展、能源结构变革，近几年全球对家用储能系统的需求量一直保持相当程度的增长。2023年，全球家用储能系统市场销售额达到了87.4亿美元，预计2029年将达到498.6亿美元，年复合增长率（CAGR）为33.68%（2023-2029）；便携储能市场经过了一轮爆发式增长的狂欢后，现在也迎来了稳定增长期，从未来看，预计在2027年便携储能市场将达到900亿元；AI
Server市场规模持续增长，带来了数字化、智能化服务器所需的高功率服务器电源的需求，现在单机3KW的Power也成为了标配。对于
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Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 双向图腾柱 PFC 数字电源
毋庸置疑，从社会发展的角度，我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小，清楚地证明了气候变化影响的日益加剧。但有一个不幸的事实是，摆脱化石燃料正被证明极其困难，向绿色技术的转变也带来了一系列技术挑战。无论是生产要跟上快速扩张的市场步伐，还是新解决方案努力达到现有系统产出水平，如果我们要让化石燃料成为过去，这些难题都必须被克服。对于电动汽车（EV）和太阳能电池板等应用，工程师面临着更多的挑战，因为敏感的电子元件必须在恶劣的环境中持续可靠地运行。为了进一步推动这些可持续解决方案，
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安森美 碳化硅
JFET 与 MOSFET的区别JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。JFET 与 MOSFET的区别两者之间的下一个关键区别是，JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，因为后者嵌入了绝缘体，因此漏电流更少。JFET 通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具，具有低漏极电阻，而 MOSFET 通常被称为“OFF 器件”，
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结型场效应管 jfet MOSFET 电路设计
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碳化硅
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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贸泽 英飞凌 CoolSiC G2 MOSFET
新闻要点● 最新一代EliteSiC M3e MOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%● 该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗● 与安森美(onsemi) 智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间● 安森美宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅产品 面对不断升级
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安森美 碳化硅 电气化转型
当地时间7月17日，美国商务部宣布与全球第三大半导体晶圆供应商环球晶圆（GlobalWafers）签署了不具约束力的初步备忘录（PMT）。环球晶圆承诺在美国投资约40亿美元（约合人民币290亿元）建设两座12英寸晶圆制造工厂。美国政府将向环球晶圆提供至多4亿美元（约合人民币29亿元）的《芯片法案》直接补助，以加强半导体元件供应链。据悉，环球晶圆将在德克萨斯州谢尔曼建立第一家用于先进芯片的300mm硅晶圆制造厂，在密苏里州圣彼得斯建立生产300mm绝缘体上硅（“SOI”）晶圆的新工厂。环球晶圆董事长徐秀兰表
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环球晶圆 晶圆厂 碳化硅
OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET概况采用OptiMOS™ 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。如下图所示，英飞凌40V MOSFET不同代际产品在比导通电阻的演进。英飞凌40V MOSFET比导通电阻代际演进英飞凌OptiMOS™
7
技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能
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OptiMOS MOSFET 英飞凌
引言：随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时，高温、高压、高频、大电流的工作环境对碳化硅模块内部封装材料的互连可靠性提出了更高要求，开发与碳化硅功率芯片匹配的新型互连材料和工艺亟需同步推进。传统互连材料的局限传统的高温锡基焊料和银烧结技术已在功率模块行业中活跃多年，但它们各自存在一定短板。例如，锡基焊料耐高温性能不足，热导率、电导率偏低，在高温下存在蠕变失效的风险，在
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基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率模块
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，减少体积和重量 30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC 器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。SiC 主要用于功率器件制造，与传统硅功率器件制造工艺不同，SiC 器件不能直接在 SiC 单晶材料上制造，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，在外延层上制造器件。在 SiC 产业链上，关键部分主要集中
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碳化硅
碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
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202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
在本文中，我们使用90nm CMOS的SPICE模型来绘制NMOS晶体管的关键电学关系。在前一篇文章中，我解释了如何获得集成电路MOSFET的高级SPICE模型，并将其纳入LTspice仿真中。然后，我们使用这个模型来研究NMOS晶体管的阈值电压。在本文中，我们将使用相同的模型来生成直观地传达晶体管电气行为的图。绘制漏极电流与漏极电压我们将从生成漏极电流（ID）与漏极-源极电压（VDS）的基本图开始。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中VDD的值逐渐增加。图1显示了
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LTspice MOSFET NMOS
碳化硅 mosfet介绍
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