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碳化硅
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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贸泽 英飞凌 CoolSiC G2 MOSFET
新闻要点● 最新一代EliteSiC M3e MOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%● 该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗● 与安森美(onsemi) 智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间● 安森美宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅产品 面对不断升级
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安森美 碳化硅 电气化转型
当地时间7月17日，美国商务部宣布与全球第三大半导体晶圆供应商环球晶圆（GlobalWafers）签署了不具约束力的初步备忘录（PMT）。环球晶圆承诺在美国投资约40亿美元（约合人民币290亿元）建设两座12英寸晶圆制造工厂。美国政府将向环球晶圆提供至多4亿美元（约合人民币29亿元）的《芯片法案》直接补助，以加强半导体元件供应链。据悉，环球晶圆将在德克萨斯州谢尔曼建立第一家用于先进芯片的300mm硅晶圆制造厂，在密苏里州圣彼得斯建立生产300mm绝缘体上硅（“SOI”）晶圆的新工厂。环球晶圆董事长徐秀兰表
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环球晶圆 晶圆厂 碳化硅
OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET概况采用OptiMOS™ 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。如下图所示，英飞凌40V MOSFET不同代际产品在比导通电阻的演进。英飞凌40V MOSFET比导通电阻代际演进英飞凌OptiMOS™
7
技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能
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OptiMOS MOSFET 英飞凌
引言：随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时，高温、高压、高频、大电流的工作环境对碳化硅模块内部封装材料的互连可靠性提出了更高要求，开发与碳化硅功率芯片匹配的新型互连材料和工艺亟需同步推进。传统互连材料的局限传统的高温锡基焊料和银烧结技术已在功率模块行业中活跃多年，但它们各自存在一定短板。例如，锡基焊料耐高温性能不足，热导率、电导率偏低，在高温下存在蠕变失效的风险，在
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基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率模块
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，减少体积和重量 30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC 器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。SiC 主要用于功率器件制造，与传统硅功率器件制造工艺不同，SiC 器件不能直接在 SiC 单晶材料上制造，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，在外延层上制造器件。在 SiC 产业链上，关键部分主要集中
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碳化硅
碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
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202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
在本文中，我们使用90nm CMOS的SPICE模型来绘制NMOS晶体管的关键电学关系。在前一篇文章中，我解释了如何获得集成电路MOSFET的高级SPICE模型，并将其纳入LTspice仿真中。然后，我们使用这个模型来研究NMOS晶体管的阈值电压。在本文中，我们将使用相同的模型来生成直观地传达晶体管电气行为的图。绘制漏极电流与漏极电压我们将从生成漏极电流（ID）与漏极-源极电压（VDS）的基本图开始。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中VDD的值逐渐增加。图1显示了
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LTspice MOSFET NMOS
据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。中央硝子运用基于计算机的计算化学，通过推算溶液的动态等，成功量产出了6
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碳化硅 衬底
6月28日，据韩媒报道，意法半导体（ST）将从明年第三季度开始将其碳化硅（SiC）功率半导体生产工艺从6英寸升级为8英寸。该计划旨在提高产量和生产率，以具有竞争力的价格向市场供应SiC功率半导体。意法半导体功率分立与模拟产品部副总裁Francesco Muggeri近日接受记者采访时表示：“目前，生产SiC功率半导体的主流尺寸为6英寸，但我们计划从明年第三季度开始逐步转向8英寸。”随着晶圆尺寸的增加，每片可以生产更多的芯片，每颗芯片的生产成本降低。SiC晶圆正在从6英寸逐步转变到8英寸。意法半导体计划明年
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碳化硅 意法半导体
英飞凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。这些元件采
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英飞凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 电源应用
6月23日，瞻芯电子宣布，公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时，瞻芯电子第三代1200V SiC
MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级SiC晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。瞻芯电子表示，第三代1200V 13
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瞻芯电子 SiC MOSFET 车规认证
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOS
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英飞凌 CoolSiC MOSFET AI服务器电源
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS™ S7T）取得的进步基础上，显著提高了结温传感的精度，因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。与同系列中的工业级产品一样，车规级CoolMOS™ S7TA 尤其适合固态继电器（SSR）应用。它具有出色的RDS(on)
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英飞凌 温度传感器 CoolMOS MOSFET
碳化硅 mosfet介绍
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