意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。工业级晶体管STL300N4F8和车规晶体管STL305N4F8AG的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(Ciss, Crss)确保在高开关频率下电能损耗降至最低。MOSFET体二极管的低正向电压和快速
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意法半导体 STripFET F8 MOSFET
今天教你4个步骤选择一个合适的MOSFET。第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及
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MOSFET 选型
为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on
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英飞凌 OptiMOS MOSFET 热插拔
做了一个3KW碳化硅电源！(全称：碳化硅3KW图腾柱PFC)它能起到什么作用？具体参数是（第1章）？怎么设计出来的（第2章）？实测情况（第3章）？原理是（第4章）？开源网址入口（第5章）？下文一一为你解答！1.基础参数双主控设计：CW32+IVCC1102输入：AC 110V~270V 20Amax输出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W设计功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作为3KW LLC电源或者全桥可调电源的前级PFC环节；②
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碳化硅 3KW 电源 电路设计
随着汽车产业加速朝向智慧化以及互联系统的发展，强茂推出最新车规级60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽栅槽沟技术(SGT)来支持汽车电力装置。此系列产品具备卓越的性能指标(FOM)、超低导通电阻(RDS(ON))以及最小化的电容，能有效提升汽车电子系统的性能与能源效率，降低导通与切换的损耗，提供更卓越的电气性能。强茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多种紧密且高效的封装选择，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，为
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强茂 SGT MOSFET 车用电子
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了1
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Vishay MOSFET
为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商变更登记手续，公司名称正式变更为“深圳基本半导体股份有限公司”。此次股份改制是基本半导体发展的重要里程碑，标志着公司治理结构、经营机制和组织形式得到全方位重塑，将迈入全新的发展阶段。从即日起，公司所有业务经营活动将统一采用新名称“深圳基本半导体股份有限公司”。公司注册地址变更至青铜剑科技集团总部大楼，详细地址为：深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801。股改完成后
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基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率芯片
意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
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意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
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东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET 驱动逆变器
碳化硅（SiC）6吋基板新产能大量开出，严重供过于求，报价几乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（约中国大陆制造成本价），第四季价格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。产业人士指出，价格崩盘已让绝大多数业者陷入赔钱销售，而买家不敢轻易出手捡便宜，因为买方预期SiC价格还会再下降。而明日之星的8吋SiC基板，虽未到真正量产，但2024年报价已快速下滑，尤其是中国大陆价格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。业者分析，8吋SiC基板并没有标准价格，供应链端仍属于试产阶段，供给
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碳化硅 基板
据“融中心”消息，大连市中韩经济文化交流协会、韩中文化协会及安徽钜芯半导体科技有限公司（以下简称：钜芯半导体）在安徽省池州市举行了一场签约仪式。此次签约标志着三方在碳化硅领域的合作正式开始。据悉，三方本次合作的核心内容围绕碳化硅衬底、碳化硅外延片及汽车空调关键零部件的生产展开，将共同打造高质量的碳化硅产品生产线。据了解，今年以来，部分韩国半导体厂商正在持续发力碳化硅产业，并不断取得新进展。据韩媒ETnews报道，今年3月26日，半导体设计公司Power Cube
Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2
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碳化硅 钜芯半导体
国际能源署（IEA）今年发布的报告称，2023年全球与能源相关的二氧化碳排放量达到374亿吨，较2022年增加4.1亿吨，再创新的记录。其中，交通运输排放增长最为显著，激增近2.4亿吨，位居第一。轨道交通的温室气体排放约为航空出行的五分之一，对于由可再生能源发电驱动的电气化列车，这一比率则更低。因此，扩建轨道交通基础设施及电气化改造是减少CO2排放和实现气候目标的关键。与电动汽车不同的是，电力机车已被广泛使用了一百多年。然而，全球范围内的轨道交通电气化转型仍然方兴未艾，不同国家和地区的轨道交通电气化率存在
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碳化硅 功率模块 轨道交通
意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
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STPOWER SiC MOSFET 驱动逆变器
9月24日，Resonac（原昭和电工）在官网宣布，其与Soitec签署了一项合作协议，双方将共同开发用于功率半导体的8英寸碳化硅键合衬底。在这次共同开发中，Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。键合技术加速碳化硅8英寸转型据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶衬底，将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底，然后将单晶衬底分割成薄膜，从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆，由此显著提
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8英寸 碳化硅 Resonac
随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移，可能会发生实质性的器件参数退化，从而导致器件失效。用于测量HCI的仪器必须提供以下三个关键功能：自动提取设备参数创建具有各种应力时间的应力测量序列轻松导出测量数据进行高级分析本文说明描述了如何在Kei
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202410 泰克科技 MOSFET
碳化硅 mosfet介绍
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