采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。产品型号：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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CoolSiC MOSFET
低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以下内容： 低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设备打开时，低压MOSFET的排水源电阻特别低，从而地减少了功率损耗。这对于效率至关重要，因为低RD（ON）意味着在传导过程中降低电阻损失高开关速度，用于快速切换操作；在DC-DC转换器和高频切换电路等应用中至关重要。由于其先进的结构和材料，低压MOSFE
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低压电源 MOSFET
2025年以来，碳化硅产业迎来关键发展节点，正式步入8英寸产能转换的重要阶段。在这一背景下，继中国电科30台套SiC外延设备顺利发货之后，碳化硅设备领域又传动态：中导光电拿下SiC头部客户重复订单。 近日，中导光电的纳米级晶圆缺陷检测设备NanoPro-150获得国内又一SiC头部客户的重复订单，该设备用于SiC前道工艺过程缺陷检测。此外，1月初，该设备产品还成功赢得了国内半导体行业头部企业的重复订单。 中导光电表示，公司将在SiC晶圆纳米级缺陷检测领域投入更多的研发资源，通过高精度多
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碳化硅 半导体设备
在工业电子设备中，过压保护是确保设备可靠运行的重要环节。本文将探讨如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器，以应对长时间的过压情况。与传统线性浪涌抑制器不同，开关浪涌抑制器能够在持续浪涌的情况下保持负载正常运行，而传统线性浪涌抑制器则需要在电源路径中的
MOSFET 散热超过其处理能力时切断电流。可靠的工业电子设备通常配备保护电路，以防止电源线路出现过压，从而保护电子设备免受损坏。过压现象可能在电源线路负载快速变化时发生，线路中的寄生电感可能导致高电压尖峰。这个问题可通过输入保护电路来解决，比如图
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过压保护 开关浪涌 MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源（UPS）等多个领域。瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1）使新产品的导通电阻（MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻）
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瑞萨 MOSFET
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路（2）（1）：等效电路（门极加
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功率器件 MOSFET 电路
英飞凌1992年开始碳化硅技术研发，是第一批研发碳化硅的半导体公司之一。2001年推出世界上第一个商用碳化硅二极管，此后生产线不断升级，2018年收购德国Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技术，2024年推出了集成.XT技术的XHPTM 2 CoolSiCTM半桥模块。英飞凌持续32年深耕碳化硅功率器件，不断突破不断创新，持续引领碳化硅技术发展。近日，英飞凌在北京举办碳化硅媒体发布会，深入介绍了其在碳化硅功率器件产品及技术方面的进展及其在工业与基础设施领域的应用和
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英飞凌 碳化硅 能源 工业设备
如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。电源系统需要更低的系统总成本和紧凑的尺寸；因此必须提高功率密度，尤其是数据中心的平均功率密度正在迅速攀升。从十年前的每个1U机架通常只有5 kW，增加到现在的20 kW、30 kW 或更高。图1：数据中心供电：从电网到GPU电源供应器(PSU)还必须满足数据中心行业的特定需求。人工智能数据中心的PSU应满足严格的Open Rack V3 (ORV3) 基本规范，要求30%到100
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安森美 MOSFET 数据中心
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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碳化硅 零碳技术 英飞凌
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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英飞凌 碳化硅
12月18日消息，格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了。据董明珠介绍，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。据报道，格力芯片工厂是一座投资近百亿元建设的碳化硅芯片工厂。该项目于2022年12月开始打桩建设，2023年4月开始钢结构吊装，当年10月设备移入，12个月实现通线。项目规划占地面积600亩，包含芯片工厂、封测工厂以及配套的半导体检测中心和超级能源站。值得一提的是，该项目关键核心工艺国产化设备导入率超过70%，据称是全球第二组、亚洲第一座全自
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格力 碳化硅 芯片工厂
据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。据悉，这笔资金将支持博世计划的19亿美元投资，改造其位于加州罗斯维尔的工厂，以生产碳化硅功率半导体。此外，美国商务部还将为博世提供约3.5亿美元政府贷款。博世计划于 2026 年开始生产 SiC 芯片，据估计，该项目一旦全面投入运营，可能占美国SiC制造产能的40%以上。
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博世 碳化硅 功率器件
● 意法半导体与雷诺集团签署长期供货协议，保证安培碳化硅功率模块的供应安全● 合作开发逆变器电源控制系统和散热系统，进一步提高安培新一代电机的能效水平● 该协议符合安培与供应链上游企业合作，为其每一项电动汽车技术设计最佳解决方案的策略雷诺集团旗下纯智能电动汽车制造公司安培 (Ampere) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)近日宣布了下一步战略合作行动，雷诺集
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雷诺 安培 意法半导体 碳化硅 电动汽车电源 电源控制系统
据采埃孚官微消息，采埃孚又一电驱动工厂—采埃孚电驱动系统（沈阳）有限公司近日开业。作为采埃孚在华的第3家电驱动工厂，沈阳工厂将生产和销售新能源汽车电驱动桥三合一总成等产品。据介绍，沈阳电驱动工厂的主打产品为新能源汽车的电驱动系统，涵盖前桥及后桥总成，包含电机、控制器及减速器。其中，控制器搭载了采埃孚High 2.0 SiC技术，围绕800伏平台持续升级，既可以提升安全等级又可以优化成本。截至目前，采埃孚在中国共有3家电驱动工厂。2022年9月，采埃孚电驱动技术（杭州）有限公司二期项目投产，主要生产800伏
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碳化硅 采埃孚 电驱动
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0
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Vishay MOSFET
碳化硅 mosfet介绍
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