英飞凌1992年开始碳化硅技术研发，是第一批研发碳化硅的半导体公司之一。2001年推出世界上第一个商用碳化硅二极管，此后生产线不断升级，2018年收购德国Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技术，2024年推出了集成.XT技术的XHPTM 2 CoolSiCTM半桥模块。英飞凌持续32年深耕碳化硅功率器件，不断突破不断创新，持续引领碳化硅技术发展。近日，英飞凌在北京举办碳化硅媒体发布会，深入介绍了其在碳化硅功率器件产品及技术方面的进展及其在工业与基础设施领域的应用和
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英飞凌 碳化硅 能源 工业设备
如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。电源系统需要更低的系统总成本和紧凑的尺寸；因此必须提高功率密度，尤其是数据中心的平均功率密度正在迅速攀升。从十年前的每个1U机架通常只有5 kW，增加到现在的20 kW、30 kW 或更高。图1：数据中心供电：从电网到GPU电源供应器(PSU)还必须满足数据中心行业的特定需求。人工智能数据中心的PSU应满足严格的Open Rack V3 (ORV3) 基本规范，要求30%到100
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安森美 MOSFET 数据中心
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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碳化硅 零碳技术 英飞凌
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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英飞凌 碳化硅
12月18日消息，格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了。据董明珠介绍，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。据报道，格力芯片工厂是一座投资近百亿元建设的碳化硅芯片工厂。该项目于2022年12月开始打桩建设，2023年4月开始钢结构吊装，当年10月设备移入，12个月实现通线。项目规划占地面积600亩，包含芯片工厂、封测工厂以及配套的半导体检测中心和超级能源站。值得一提的是，该项目关键核心工艺国产化设备导入率超过70%，据称是全球第二组、亚洲第一座全自
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格力 碳化硅 芯片工厂
据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。据悉，这笔资金将支持博世计划的19亿美元投资，改造其位于加州罗斯维尔的工厂，以生产碳化硅功率半导体。此外，美国商务部还将为博世提供约3.5亿美元政府贷款。博世计划于 2026 年开始生产 SiC 芯片，据估计，该项目一旦全面投入运营，可能占美国SiC制造产能的40%以上。
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博世 碳化硅 功率器件
● 意法半导体与雷诺集团签署长期供货协议，保证安培碳化硅功率模块的供应安全● 合作开发逆变器电源控制系统和散热系统，进一步提高安培新一代电机的能效水平● 该协议符合安培与供应链上游企业合作，为其每一项电动汽车技术设计最佳解决方案的策略雷诺集团旗下纯智能电动汽车制造公司安培 (Ampere) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST)近日宣布了下一步战略合作行动，雷诺集
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雷诺 安培 意法半导体 碳化硅 电动汽车电源 电源控制系统
据采埃孚官微消息，采埃孚又一电驱动工厂—采埃孚电驱动系统（沈阳）有限公司近日开业。作为采埃孚在华的第3家电驱动工厂，沈阳工厂将生产和销售新能源汽车电驱动桥三合一总成等产品。据介绍，沈阳电驱动工厂的主打产品为新能源汽车的电驱动系统，涵盖前桥及后桥总成，包含电机、控制器及减速器。其中，控制器搭载了采埃孚High 2.0 SiC技术，围绕800伏平台持续升级，既可以提升安全等级又可以优化成本。截至目前，采埃孚在中国共有3家电驱动工厂。2022年9月，采埃孚电驱动技术（杭州）有限公司二期项目投产，主要生产800伏
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碳化硅 采埃孚 电驱动
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0
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Vishay MOSFET
意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。工业级晶体管STL300N4F8和车规晶体管STL305N4F8AG的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(Ciss, Crss)确保在高开关频率下电能损耗降至最低。MOSFET体二极管的低正向电压和快速
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意法半导体 STripFET F8 MOSFET
今天教你4个步骤选择一个合适的MOSFET。第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及
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MOSFET 选型
为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on
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英飞凌 OptiMOS MOSFET 热插拔
做了一个3KW碳化硅电源！(全称：碳化硅3KW图腾柱PFC)它能起到什么作用？具体参数是（第1章）？怎么设计出来的（第2章）？实测情况（第3章）？原理是（第4章）？开源网址入口（第5章）？下文一一为你解答！1.基础参数双主控设计：CW32+IVCC1102输入：AC 110V~270V 20Amax输出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W设计功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作为3KW LLC电源或者全桥可调电源的前级PFC环节；②
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碳化硅 3KW 电源 电路设计
随着汽车产业加速朝向智慧化以及互联系统的发展，强茂推出最新车规级60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽栅槽沟技术(SGT)来支持汽车电力装置。此系列产品具备卓越的性能指标(FOM)、超低导通电阻(RDS(ON))以及最小化的电容，能有效提升汽车电子系统的性能与能源效率，降低导通与切换的损耗，提供更卓越的电气性能。强茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多种紧密且高效的封装选择，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，为
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强茂 SGT MOSFET 车用电子
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了1
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碳化硅 mosfet介绍
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