据业界消息人士透露，Google正考虑将新一代手机应用处理器（AP）Tensor G5及G6的生产委托，从现有的供货商三星转移到台积电，其背后原因在于三星的3纳米制程良率仅20%，远远低于台积电的同级制程技术。韩媒BusinessKorea报导， Google上月推出的「Pixel 9」系列智能手机搭载的 Tensor G4处理器由三星代工生产，引发市场对于三星将持续生产Google新一代行动应用处理器的强劲预期。然而，近期有消息指出，Google已与台积电携手，进入Tensor G5的全面量产阶段。行动
关键字：
Google 台积电 三星 3纳米
在不靠谱这台路上，三星似乎一直很靠谱……根据集邦咨询的最新报告，三星的2nm工艺仍然面临极大困难，目前的良品率只有可怜的10-20％，完全无法投入量产。受此压力，三星计划在海外更大规模地裁员，从美国得克萨斯州的泰勒工厂撤回更多人员。事实上，据称三星晶圆厂的整体良品率都不到50％，尤其是在3nm及更先进工艺上非常差劲。要知道，台积电的整体良率约有60-70％。三星官方的计划是，2025年量产2nm，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A、SF2Z等多个不同版本，2027年继续量产1.4nm。据悉，三星2n
关键字：
三星 晶圆厂 2nm
IT之家 9 月 11 日消息，韩媒 The Elec 今日援引行业消息源报道称，三星电子又收获一份 2nm 制程先进工艺代工订单，将为美国无厂边缘 AI 半导体企业安霸 Ambarella 生产 ADAS（IT之家注：高级驾驶辅助系统）芯片。知情人士表示，三星近期成功中标安霸的代工订单，相关产品预计于 2025 年流片，计划 2026 年量产。根据三星今年 6 月公布的 2nm 家族路线图，初代 SF2 工艺将于 2025 年量产，而面向车用环境的 SF2A 量产时间落在 2027 年。若市场
关键字：
三星 2nm 晶圆代工 ADAS 辅助驾驶
近日，高通首席执行官克里斯蒂亚诺・阿蒙在受访时透露，该公司正在与三星和谷歌开展合作，研究与智能手机相连的混合现实（MR）眼镜，旨在打造独特的产品解决方案。据悉，这种混合现实智能眼镜可能更轻便，更侧重于与智能手机的配合使用。对于此次合作，阿蒙表示，衷心希望通过这次合作，能够让所有拥有智能手机的人都能够购买与之配套的眼镜。据了解，谷歌、三星和高通早在去年2月就已达成合作伙伴关系，共同开发MR技术。
关键字：
高通 谷歌 三星 MR技术
根据韩媒报道，9月2日，三星电子在第二季度引入了少量用于大规模生产GaN功率半导体的设备。GaN是下一代功率半导体材料，具有比硅更好的热性能、压力耐久性和功率效率。基于这些优势，IT、电信和汽车等行业对其的需求正在增加。三星电子也注意到了GaN功率半导体行业的增长潜力，并一直在推动其进入市场。去年6月，在美国硅谷举行的“2023年三星代工论坛”上，该公司正式宣布：“我们将在2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。”根据这一战略，三星电子第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思
关键字：
三星 氮化镓 功率半导体
IT之家 9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （IT之家注：即 12nm 级） LPDDR 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前就在今年 6 月
关键字：
三星 内存 DDR5
美国芯片大厂英特尔正重新考虑放弃赔钱的代工业务，外界关注是否会让三星受益，但韩媒保守看待，直指三星想在2030年击败台积电，似乎是一个不切实际的目标。根据《韩国先驱报》报导，有专家表示，三星寻求在台积电主导的代工市场里分一杯羹，虽然英特尔的退出可能是有利的，因为消除潜在的威胁，不过成效恐怕有限。由于芯片制造成本高昂，英特尔一直在亏损，累计上半年亏损已达53亿美元，如果英特尔决定出售代工业务，三星有机会扩大业务，但台积电和三星都被视为可能的潜在买家，台积电又是强敌。行业观察人士认为，三星要在2030年击败台
关键字：
英特尔 代工竞赛 三星 台积电
韩厂三星对于维持技术领导地位信心渐失？根据韩媒朝鲜日报报导，三星从2020年财报以来，财报内已不见「世界第一」（world's first）的措辞。虽然三星技术上不断追赶台积电脚步，但产能与良率仍有明显差距。报导分析三星半导体业务部门这10年来的财报，从2014年到2019年，三星每份财报都提到推出全球第一个新产品，并强调领先对手的差距，高度展现其信心。2020年碰到疫情，三星当时坦承对市场环境构成挑战，仍抱持乐观态度，但「世界第一」一词，从这时开始在三星财报消失。三星的2021年和2022年财报
关键字：
三星 台积电
三星为了与台积电竞争大绝尽出，根据《韩国经济日报》报导，三星计划采用最新「背面电轨」（BSPDN，又称「晶背供电」）芯片制造技术，能让2纳米芯片的尺寸，相比传统前端配电网络（PDN）技术缩小17%。三星代工制程设计套件（PDK）开发团队副总裁Lee Sungjae近期向大众揭露BSPDN细节，BSPDN相较于传统前端配电网络，可将芯片效能、功率分别提升8%、15%，而且三星预定在2027年量产2纳米芯片时采用BSPDN技术。BSPDN被称为次世代晶圆代工技术，该技术主要是将电轨置于硅晶圆被面，进而排除电与
关键字：
三星 BSPDN 台积电
三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）的LPDDR4X车载内存，已通过高通最新的骁龙®
数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能，也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐（IVI）和高级驾驶员辅助系统（ADAS）"三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合，且均通过了AEC-Q100[1]验证。因此，三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴
关键字：
三星 高通 高级车载信息娱乐 高级驾驶员辅助系统
IT之家 8 月 27 日消息，科技媒体 91Mobile 今天（8 月 27 日）发布博文，表示其在 GeekBench 跑分库上发现了三星头显设备的踪迹，6.3.0 版本最高单核成绩为 1088 分，多核成绩为 2093 分。IT之家查询 GeekBench 跑分库，发现三星头显设备型号为“SM-I130”，目前共有 7 条跑分记录，均为 8 月 26 日上传。根据跑分库信息，该头显运行安卓 14 系统，配备六核处理器，基本时钟频率为 2.36 GHz，从配置来看应该是骁龙 XR2
关键字：
三星 VR 可穿戴设备
三星2024年上半年在全球智能手机OLED显示屏市场的份额，由去年上半年的51.6%降到了43.8%。三星希望通过LTPO技术等方式，在OLED显示屏领域和整体上获得更大的份额
关键字：
LTPO 三星 OLED 显示屏 面板
韩三星电子今年第2季半导体业务营收超车台积电，时隔2年重回半导体王者宝座。不过据外媒报导，美国知名学府哈佛大学指控三星在微处理器与内存芯片领域侵犯了其2项专利，相关技术还涉及三星多款手机。综合路透社等外媒报导，三星已遭哈佛大学在德州联邦法院起诉。哈佛大学指控，三星生产微处理器与内存芯片的技术侵犯了该校化学教授Roy Gordon与其他4位发明人在2009年与2011年获得的专利，这4人曾是Roy Gordon教授实验室的博士后或研究生。哈佛大学的律师在诉状中宣称，三星未经授权在其微芯片、智能型手机与半导体
关键字：
三星 微处理器
三星去年10月就向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品，不过一直没有通过英伟达的测试。此前有报道称，已从多家供应链厂商了解到，三星的HBM3E很快会获得认证，将在2024年第三季度开始发货。据The Japan Times报道，三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目，这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议，但是问题不大，预计今年底开始交付。值得一提的是，三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E（32GB）样品
关键字：
三星 HBM3E 英伟达 SK海力士 AI
IT之家 8 月 7 日消息，今天早些时候路透社报道称，三星的 8 层 HBM3E 芯片已通过英伟达测试。现据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子回应称该报道并不属实。对于这一传闻，三星明确回应称：“我们无法证实与客户相关的报道，但该报道不属实。”此外，三星电子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的质量测试仍在进行中，与上月财报电话会议时的情况相比没有任何变化。此前路透社的报道称，三星的 8 层 HBM3E 芯片已经通过英伟达的测试，并将于第四季度开始供货。IT之家注意到
关键字：
三星 HBM3E
三星(samsung)介绍
您好，目前还没有人创建词条三星(samsung)!
欢迎您创建该词条，阐述对三星(samsung)的理解，并与今后在此搜索三星(samsung)的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473