- 三星一直想透过3纳米技术超车台积电，但结果始终不如预期，相较台积电已经取得多位大客户的订单，并反映在财报上，三星3纳米技术甚至被爆出良率一度只有0%，即使高层坚称「很稳定」自家人韩媒不买账，直言很多大厂都没有明确要下订单。 韩媒DealSite此前曾爆料，三星生产Exynos 2500处理器时，良率一度仅有0%，加上知名分析师郭明錤日前撰文表示，高通将成为三星Galaxy S25系列机型的独家SoC供货商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于预期，因此无法出货。接二连三的消息都显示，三星3纳
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三星 3纳米 良率
- 三星电子9日宣布获得日本AI新创公司Preferred Networks订单，将提供GAA 2纳米制程及2.5D I-Cube S封装技术的一站式解决方案，协助Preferred Networks发展强大的AI加速器，应付快速扩大的生成式AI运算需求。 自从三星率先将GAA晶体管技术应用到3纳米制程后，便持续强化GAA晶体管技术，成功赢得Preferred Networks的GAA 2纳米制程订单。这也是三星首度与日本业者进行大尺寸异质整合封装技术合作，有助日后进一步抢攻先进封装市场。 三星2.5D先进封
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三星 2纳米 AI芯片
- AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂，积极投入高带宽内存（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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- 内存和存储芯片制造商三星发布了其首款容量高达60TB的企业级固态硬盘（SSD），专为满足企业用户的需求而设计。得益于全新主控，三星表示未来甚至可以制造120TB的固态硬盘。对比2020年发布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技术的QLC闪存、堆叠层数为96层、最大容量为15.36TB，显然BM1743的存储密度有了大幅度提升。三星以往的固态硬盘容量上限为32TB，此次推出的BM1743固态硬盘则将容量提升至了惊人的60TB。值得注意的是，目前三星在该细分市场将面临的竞争相对较少，因
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三星 固态硬盘 V-NAND
- 韩国三星电子表示，因人工智能AI需求畅旺，内存芯片的售价因此也水涨船高，上季营业利益可望飙升约15倍，比路透社4日报导的预估值13倍还要多。这家全球最大内存芯片制造商预估，集团整体第2季营利为10.4兆韩元，约75亿美元，年增1,452.2%。同时，营收也大增23.3%，达74兆韩元。不过，三星这次并没有揭露净利数字。 4到6月这1季，是三星自2022年第3季曾创下营业利益高达10.8兆韩元以后，全集团营利再次冲高到10兆韩元以上。另外，三星第2季的营利，也比自己2023年一整年的6.5兆韩元要高出不少。
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三星 内存
- 7月3日消息，三星今天正式发布了其首款3nm工艺芯片——Exynos W1000。这款芯片专为可穿戴设备设计，预计将应用于即将推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工艺，搭载了1个Cortex-A78大核心和4个Cortex-A55小核心，其中大核心的主频达到1.6GHz，小核心主频为1.5GHz。与前代产品Exynos W930相比，W1000在单核性能上实现了3.4倍的提升，在多核性能上更是达到了3.
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三星 3nm 芯片 Exynos W1000 主频1.6GHz
- 财联社7月4日电，韩国媒体NewDaily报道称，三星电子的HBM3e芯片通过了英伟达的产品测试，三星将很快就大规模生产HBM并供应给英伟达一事展开谈判。
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三星 HBM 芯片 英伟达 测试
- ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA
EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA
EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道，Hyper-NA
EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元，甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元，High-NA
EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多
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- 什么是 GDDR7 内存？它是用于 GPU 的下一代图形内存，例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品，为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级，从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存（用于“图形双倍数据速率”）推出以来，这种模式就非常清晰。GDDR（前身为 DDR SGRAM）早在 1998 年就问世了，每隔几年就会有新的迭代到来，拥有更高的速度和带宽。当前一代
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- 三星3纳米制程良率不佳，外传低于20%，导致原有客户出走，最新传出Google Pixel 10搭载的Tensor G5芯片，将改为台积电代工生产。 综合外媒报导，Google Pixel 10系列手机的Tensor G5处理器（SoC），目前已进入 Tape-ou（流片）阶段。 Google首款完全自研手机处理器Tensor G5，前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改，由三星代工生产，如今已从过往三星独家代工转向台积电。报导称，Tensor G5采用Google自研架构、台积电3纳米制程，芯片
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- 6月27日，三星发布了三款专为智能手机主摄像头和副摄像头设计的新型移动图像传感器：ISOCELL HP9、ISOCELL GNJ和ISOCELL JN5。<三星半导体发布的ISOCELL HP9图像传感器，ISOCELL GNJ图像传感器，ISOCELL JN5图像传感器>随着用户对智能手机摄像头质量和性能的期望不断提高，从各个角度拍出出色照片的需求也空前高涨。为此，三星半导体推出其最新的移动图像传感器产品矩阵，让消费者从各个角度拍照，都能拍摄出满意的图像效果，为移动手机摄影打开了新天地。&q
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- 据韩媒报导，随着AI应用热度不减，三星电子日前告知戴尔、慧与（HPE）等主要客户，将在第三季提高服务器用的DRAM和企业级NAND闪存的价格15～20％。 台系内存模块大厂闻讯分析，三星此举主要趁着第三季电子产业旺季来临前率先喊涨，以期拉抬目前略显疲软的现货价行情，但合约价实际成交价格，仍需视市场供需而定。以位产出市占率来看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分别是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根据外电报导指出，三星电子第二季已将供应给企业的NAND闪存价格，调
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三星 内存
- IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）发布声明，否认“三星代工业务 3nm 晶圆缺陷”的报道，认为这则传闻“毫无根据”。此前有消息称三星代工厂在量产第二代 3nm 工艺过程中发现缺陷，导致 2500 个批次（lots）被报废，按照 12 英寸晶圆计算，相当于每月 65000 片晶圆，损失超过 1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 52.34 亿元人民币）。三星驳斥了这一传言，称其“毫无根据”，仍在评估受影响生产线的产品现状。业内人士认为，报道中的数字可能被夸大了，并指出三星的
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三星 3nm 晶圆代工
- 罗德与施瓦茨和三星合作，共同验证了超宽带（UWB）物理层的安全测距测试案例，并评估基于FiRa规范的设备安全接收器特性。在FiRa 2.0技术规范中，规定了新的测试用例，旨在防止对基于UWB技术的安全测距应用进行物理层攻击。这些测试用例使用罗德与施瓦茨的R&S CMP200无线电通信测试仪，在三星最新的UWB芯片组上进行了验证。通过FiRa®联盟验证流程后，罗德与施瓦茨的CMP200无线电通信测试仪已成为FiRa 2.0 PHY测试的认证工具。成功验证物理层安全测试用例后，罗德与施瓦茨和三星共同努
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罗德与施瓦茨 三星 FiRa 安全测距测试
- 6月24日，三星电子旗下的韩国半导体和显示器制造设备公司表示，第一台名为“Omega Prime”的设备已于去年供货，Semes正在制造第二台设备。Semes表示，在Omega Prime设备上应用了喷嘴、烘烤温度和机器人位置自动调整系统，以消除涂布层的偏差。目前，Semes已制造出KrF光刻涂胶/显影设备，并在此基础上开发了ArF版本，以支持波长更短的新型光刻机。
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三星 Semes ArF-i 光刻涂胶 显影设备
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