7月29日消息，高通正式发布了新款移动平台骁龙4s Gen 2，这款芯片定位于入门级市场，采用三星4nm工艺技术。CPU为八核心设计，包括2个最高可达2.0GHz的A78内核和6个A55内核，最高频率为1.8GHz。这款芯片支持Wi-Fi 5、蓝牙5.1、5G NR，以及最高8400万像素的照片拍摄和1080P 60P视频录制，同时兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X运行内存。与前代产品高通骁龙4 Gen 2相比，骁龙4s Gen 2的多项性能参数有所降低，例如CPU大核主频从2
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高通 骁龙 4s Gen2 三星 4nm 主频2.0GHz
7月28日消息，SEMI日本办事处总裁Jim Hamajima近日呼吁业界尽早统一封测技术标准，尤其是先进封装领域。他认为，当前台积电、三星和Intel等芯片巨头各自为战，使用不同的封装标准，这不仅影响了生产效率，也可能对行业利润水平造成影响。目前仅台积电、三星和Intel三家公司在先进制程芯片制造领域竞争，同时随着芯片朝着高集成度、小特征尺寸和高I/O方向发展，对封装技术提出了更高的要求。目前，先进封装技术以倒装芯片（Flip-Chip）为主，3D堆叠和嵌入式基板封装（ED）的增长速度也非常快。HBM内
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SEMI 封装 台积电 三星 Intel
7月25日消息，分析师郭明錤表示，苹果iPhone 18系列将会配备三星影像传感器，届时索尼的垄断地位将会被打破。据悉，三星已经成立了专门的团队来为苹果提供服务，从2026年开始，三星将为苹果出货4800万像素1/2.6英寸超广角影像传感器，打破长期以来索尼独供的局面。有观点认为，作为产业链上的头号大厂，苹果在全球指定近千家供应商完成零部件的生产任务，供应商名单会不时更迭。苹果管理供应链有一个很常用的招数，就是习惯为每类零部件配置2个供应商，一方面可以使供应商互相制衡，另一方面可以拿到更优的价格。这次苹果
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路透社披露，三星的高带宽内存芯片HBM3已经通过英伟达认证，将使用在符合美国出口管制措施，专为中国大陆市场设计的H20人工智能处理器上，至于更高阶的HBM3E版本，尚未通过英伟达的测试。 由于SK海力士、美光及三星为HBM的主要供货商，为了缓解紧绷的市况，并降低成本集中少数供货商的压力，英伟达一直很希望三星及美光能尽速通过测试，黄仁勋6月访台时也曾提及此事，指出剩工程上的作业需要处理，保持耐心完成工作。此外，黄仁勋也否认媒体报导三星HBM出现过热及功耗的问题，直言「并没有这件事。」如今，三星
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三星 英伟达 HBM3
特斯拉揭露下一代车载计算平台，不再沿用过往的HW（Hardware）命名方式，而是直接名为AI5，凸显其强大的AI特性。相较于现行的HW4.0平台，AI5将带来显着的性能提升，外界估计，其算力将可能达到惊人的3,000-5,000 TOPS（每秒兆次运算）。另外，据业界人士透露，AI5将采用三星的4奈米制程技术，并且可能延续使用基于Exynos-IP的设计；法人推测，恐是为成本考虑。 智驾车竞赛从芯片端开始打响，过往FSD芯片委托三星代工，在三星4奈米制程良率拉升之下，马斯克依旧将AI5交由
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三星 特斯拉 车载平台 AI5
三星最新推出的Galaxy Watch 7，继续重新定义可穿戴技术的极限。这款最新型号承袭了其前身产品的成功之处，同时在性能、健康追踪和用户体验方面实现了重大突破。TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在对其进行拆解和详细的技术分析。敬请期待我们对Galaxy Watch 7内部结构的深入分析，我们将揭示这款设备在智能手表领域脱颖而出的原因。 Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000处理器。这款最新的Exyn
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三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 处理器 3nm GAA
三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM验证。三星半导体LPDDR5X移动内存产品图此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作，仅用三个月就完成了验证。"通过与联发科技的战略合作，三星已验证了其最快的LPDDR5X
DRAM，该内存有望推动人工智能（AI）智能手机市场，"三星电子内存产
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三星 联发科技 天玑 LPDDR5X
7 月 17 日消息，韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文，爆料称三星计划在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。注：硅电容（Silicon Capacitor）通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 / 金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。硅电容具有许多优点，让其成为集成电路中常用的元件之一：· 首先，硅电容的制造成本较低，可以通过批量制造的方式大规模生产。· 其次，硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单，易于加工和集成，硅电容的失效率较低
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三星 Exynos 2500 芯片 硅电容
7月14日消息，据媒体报道，三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行，这一频率不仅超越了此前的预期，而且比苹果A15 Bionic更省电，效率表现更为出色。此前，有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心，特别是在Galaxy S25系列手机的稳定首发方面。不过三星在月初的声明中，对外界关于3nm工艺良率不足20%的传闻进行了否认，强调其3nm GAA工艺的良率和性能已经稳定，产
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三星 3nm Exynos 2500 3.20GHz
自三星电子官网获悉，7月9日，三星电子宣布将向日本人工智能公司Preferred Networks提供采用2nm GAA工艺和先进2.5D封装技术的Interposer-Cube S（I-Cube S）一站式半导体解决方案。据介绍，2.5D先进封装I-Cube S技术是一种异构集成封装技术，通过将多个芯片集成在一个封装中，从而提高互连速度并缩小封装尺寸。声明中称，Preferred Networks的目标是借助三星领先的代工和先进的封装产品，开发强大的AI加速器，以满足由生成式AI驱动的日益增长的计算需求
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三星 2nm AI芯片
IT之家 7 月 11 日消息，三星确认 Bixby 将很快获得人工智能升级。在 Galaxy Z Flip 6 和 Galaxy Z Fold 6 发布后，三星移动部门 CEO TM Roh 在接受 CNBC 采访时表示，公司将在今年晚些时候发布升级版 Bixby，并由三星自家的大语言模型（LLM）提供支持。Roh 表示：“我们将通过应用生成式人工智能技术来提升 Bixby 的能力。”几个月前，三星推出过名为“Samsung Gauss”的自研 LLM。此前曾有报道称三星正在研发升级版 Bix
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三星 AI Bixby
据外媒报道，台积电的2nm制程工艺将开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产，生产设备已进驻厂区并安装完毕，相较市场普遍预期的四季度提前了一个季度。芯片制程工艺的风险试产是为了确保稳定的良品率，进而实现大规模量产，风险试产之后也还需要一段时间才会量产。在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家是多次提到在按计划推进2nm制程工艺在2025年大规模量产。值得一提的是，台积电在早在去年12月就首次向苹果展示了其2nm芯片工艺技术，预计苹果将包下首批的2nm全部产能。台积电2nm步入GAA时代作为3n
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三星一直想透过3纳米技术超车台积电，但结果始终不如预期，相较台积电已经取得多位大客户的订单，并反映在财报上，三星3纳米技术甚至被爆出良率一度只有0%，即使高层坚称「很稳定」自家人韩媒不买账，直言很多大厂都没有明确要下订单。 韩媒DealSite此前曾爆料，三星生产Exynos 2500处理器时，良率一度仅有0%，加上知名分析师郭明錤日前撰文表示，高通将成为三星Galaxy S25系列机型的独家SoC供货商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于预期，因此无法出货。接二连三的消息都显示，三星3纳
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三星 3纳米 良率
三星电子9日宣布获得日本AI新创公司Preferred Networks订单，将提供GAA 2纳米制程及2.5D I-Cube S封装技术的一站式解决方案，协助Preferred Networks发展强大的AI加速器，应付快速扩大的生成式AI运算需求。 自从三星率先将GAA晶体管技术应用到3纳米制程后，便持续强化GAA晶体管技术，成功赢得Preferred Networks的GAA 2纳米制程订单。这也是三星首度与日本业者进行大尺寸异质整合封装技术合作，有助日后进一步抢攻先进封装市场。 三星2.5D先进封
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三星 2纳米 AI芯片
AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂，积极投入高带宽内存（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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