美国芯片大厂英特尔正重新考虑放弃赔钱的代工业务,外界关注是否会让三星受益,但韩媒保守看待,直指三星想在2030年击败台积电,似乎是一个不切实际的目标。根据《韩国先驱报》报导,有专家表示,三星寻求在台积电主导的代工市场里分一杯羹,虽然英特尔的退出可能是有利的,因为消除潜在的威胁,不过成效恐怕有限。由于芯片制造成本高昂,英特尔一直在亏损,累计上半年亏损已达53亿美元,如果英特尔决定出售代工业务,三星有机会扩大业务,但台积电和三星都被视为可能的潜在买家,台积电又是强敌。行业观察人士认为,三星要在2030年击败台
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韩厂三星对于维持技术领导地位信心渐失?根据韩媒朝鲜日报报导,三星从2020年财报以来,财报内已不见「世界第一」(world's first)的措辞。虽然三星技术上不断追赶台积电脚步,但产能与良率仍有明显差距。报导分析三星半导体业务部门这10年来的财报,从2014年到2019年,三星每份财报都提到推出全球第一个新产品,并强调领先对手的差距,高度展现其信心。2020年碰到疫情,三星当时坦承对市场环境构成挑战,仍抱持乐观态度,但「世界第一」一词,从这时开始在三星财报消失。三星的2021年和2022年财报
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三星 台积电
三星为了与台积电竞争大绝尽出,根据《韩国经济日报》报导,三星计划采用最新「背面电轨」(BSPDN,又称「晶背供电」)芯片制造技术,能让2纳米芯片的尺寸,相比传统前端配电网络(PDN)技术缩小17%。三星代工制程设计套件(PDK)开发团队副总裁Lee Sungjae近期向大众揭露BSPDN细节,BSPDN相较于传统前端配电网络,可将芯片效能、功率分别提升8%、15%,而且三星预定在2027年量产2纳米芯片时采用BSPDN技术。BSPDN被称为次世代晶圆代工技术,该技术主要是将电轨置于硅晶圆被面,进而排除电与
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三星 BSPDN 台积电
三星电子今日宣布,其用于高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的LPDDR4X车载内存,已通过高通最新的骁龙®
数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能,也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶员辅助系统(ADAS)"三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合,且均通过了AEC-Q100[1]验证。因此,三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴
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三星 高通 高级车载信息娱乐 高级驾驶员辅助系统
IT之家 8 月 27 日消息,科技媒体 91Mobile 今天(8 月 27 日)发布博文,表示其在 GeekBench 跑分库上发现了三星头显设备的踪迹,6.3.0 版本最高单核成绩为 1088 分,多核成绩为 2093 分。IT之家查询 GeekBench 跑分库,发现三星头显设备型号为“SM-I130”,目前共有 7 条跑分记录,均为 8 月 26 日上传。根据跑分库信息,该头显运行安卓 14 系统,配备六核处理器,基本时钟频率为 2.36 GHz,从配置来看应该是骁龙 XR2
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三星 VR 可穿戴设备
三星2024年上半年在全球智能手机OLED显示屏市场的份额,由去年上半年的51.6%降到了43.8%。三星希望通过LTPO技术等方式,在OLED显示屏领域和整体上获得更大的份额
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LTPO 三星 OLED 显示屏 面板
韩三星电子今年第2季半导体业务营收超车台积电,时隔2年重回半导体王者宝座。不过据外媒报导,美国知名学府哈佛大学指控三星在微处理器与内存芯片领域侵犯了其2项专利,相关技术还涉及三星多款手机。综合路透社等外媒报导,三星已遭哈佛大学在德州联邦法院起诉。哈佛大学指控,三星生产微处理器与内存芯片的技术侵犯了该校化学教授Roy Gordon与其他4位发明人在2009年与2011年获得的专利,这4人曾是Roy Gordon教授实验室的博士后或研究生。哈佛大学的律师在诉状中宣称,三星未经授权在其微芯片、智能型手机与半导体
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三星 微处理器
三星去年10月就向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品,不过一直没有通过英伟达的测试。此前有报道称,已从多家供应链厂商了解到,三星的HBM3E很快会获得认证,将在2024年第三季度开始发货。据The Japan Times报道,三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目,这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议,但是问题不大,预计今年底开始交付。值得一提的是,三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E(32GB)样品
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三星 HBM3E 英伟达 SK海力士 AI
IT之家 8 月 7 日消息,今天早些时候路透社报道称,三星的 8 层 HBM3E 芯片已通过英伟达测试。现据韩媒 BusinessKorea 报道,三星电子回应称该报道并不属实。对于这一传闻,三星明确回应称:“我们无法证实与客户相关的报道,但该报道不属实。”此外,三星电子的一位高管表示,目前 HBM3E 芯片的质量测试仍在进行中,与上月财报电话会议时的情况相比没有任何变化。此前路透社的报道称,三星的 8 层 HBM3E 芯片已经通过英伟达的测试,并将于第四季度开始供货。IT之家注意到
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三星 HBM3E
8月7日消息,随着移动设备功能的不断增强,对内存性能和容量的要求也日益提高。据外媒gsmarena报道,三星电子近日宣布,公司推出了业界最薄的LPDDR5X
DRAM芯片。这款12纳米级别的芯片拥有12GB和16GB两种封装选项,专为低功耗RAM市场设计,主要面向具备设备端AI能力的智能手机。gsmarena这款新型芯片的厚度仅为0.65毫米,比上一代产品薄了9%。三星估计,这一改进将使其散热性能提高21.2%。gsmarena三星通过优化印刷电路板(PCB)和环氧树脂封装技术,将LPDDR5X的厚度
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三星 手机芯片 LPDDR5X DRAM
在AI热潮带动下,不仅台积电赚饱饱,就连台积电创办人张忠谋认证为最大劲敌的三星电子,也受惠于AI市场的强劲需求,第2季半导体业务营收年增94%至28.56兆韩元,为2022年第2季后,时隔2年超车台积电,重新登上半导体王者宝座。三星电子今(31)日公布第2季财报,受惠于半导体业务表现强劲,整体营收年增23%至74.07兆韩元,营业利益较去年同期飙升近15倍至10.44兆韩元,为2022年第3季以来首次超过10兆韩元。三星电子在7月初公布初步财报时,并未公布各项业务的具体营收,但在台积电公布第2季营收为新台
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三星 台积电
三星芯片良率不佳,先前爆出三星在试产Exynos 2500处理器时,最后统计出的良率竟为0%。新任芯片主管全永铉(Jun Young-hyun) 在执掌芯片事业的几个月后,向员工示警需停止隐瞒或回避问题,如果不改变将出现恶性循环。全永铉发备忘录,警告员工必须改变职场文化,强调应停止隐瞒或回避问题,若不改变将出现恶性循环。他直言,三星必须重建半导体特有的激烈辩论的文化,「如果我们依赖市场,没恢复根本的竞争力,将陷入恶性循环,重蹈去年营运的困境。」三星竞争对手SK海力士(SK Hynix)在AI内存领域追赶,
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三星 台积电 海力士
7月29日消息,高通正式发布了新款移动平台骁龙4s Gen 2,这款芯片定位于入门级市场,采用三星4nm工艺技术。CPU为八核心设计,包括2个最高可达2.0GHz的A78内核和6个A55内核,最高频率为1.8GHz。这款芯片支持Wi-Fi 5、蓝牙5.1、5G NR,以及最高8400万像素的照片拍摄和1080P 60P视频录制,同时兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X运行内存。与前代产品高通骁龙4 Gen 2相比,骁龙4s Gen 2的多项性能参数有所降低,例如CPU大核主频从2
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高通 骁龙 4s Gen2 三星 4nm 主频2.0GHz
7月28日消息,SEMI日本办事处总裁Jim Hamajima近日呼吁业界尽早统一封测技术标准,尤其是先进封装领域。他认为,当前台积电、三星和Intel等芯片巨头各自为战,使用不同的封装标准,这不仅影响了生产效率,也可能对行业利润水平造成影响。目前仅台积电、三星和Intel三家公司在先进制程芯片制造领域竞争,同时随着芯片朝着高集成度、小特征尺寸和高I/O方向发展,对封装技术提出了更高的要求。目前,先进封装技术以倒装芯片(Flip-Chip)为主,3D堆叠和嵌入式基板封装(ED)的增长速度也非常快。HBM内
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SEMI 封装 台积电 三星 Intel
7月25日消息,分析师郭明錤表示,苹果iPhone 18系列将会配备三星影像传感器,届时索尼的垄断地位将会被打破。据悉,三星已经成立了专门的团队来为苹果提供服务,从2026年开始,三星将为苹果出货4800万像素1/2.6英寸超广角影像传感器,打破长期以来索尼独供的局面。有观点认为,作为产业链上的头号大厂,苹果在全球指定近千家供应商完成零部件的生产任务,供应商名单会不时更迭。苹果管理供应链有一个很常用的招数,就是习惯为每类零部件配置2个供应商,一方面可以使供应商互相制衡,另一方面可以拿到更优的价格。这次苹果
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