- 韩国媒体MeyyToday报导，存储器大厂三星将第六代10纳米级1cDRAM制程开发延后六个月到6月才完成。
三星之前宣称第六代10纳米级1cDRAM制程2024年底开发完并量产，但良率没有提升，导致时程再延后半年，这会使预定下半年量产的第六代高频宽存储器（HBM4）一并延后。报导引用市场人士说法，三星第六代10纳米级1c DRAM制程遇到困难。
尽管市场在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片，但因为无法达到预期的良率，因此将预定开发完成的时间延后六个月。
而在这六个月中，三星
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三星 第六代 10纳米 1cDRAM
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