首页 > 新闻中心 > 网络与存储 > 数字存储
据报道，日本DRAM大厂尔必达今天宣布已经研发出40nm 2Gb移动(Mobile RAM)内存颗粒。该颗粒大小不到50平方毫米，号称目前能够使用40nm工艺实现量产的最小颗粒。该2Gb移动内存颗粒基于40nm CM......
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以......
日系存储器大厂尔必达(Elpida)和子公司瑞晶12日同步公布2010年1~3月财报，尔必达单季营收为1,475亿日圆，毛利率36.8%，营运获利持续成长，达337亿日圆;尔必达表示，2010年资本支出将达1,150......
全球DRAM产业40纳米大战出现变量，由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故，瑞晶已松口表示，原本计划年底前旗下8万片12寸晶圆产能要全转进45纳米制程的目标，将正式递延至2011年第1季，......
全球领先的MEMS传感器解决方案供应商, 今天推出了全球首个数字化热对流方向定位传感器作为DTOS。作为DTOS系列传感器中第一个产品MXC6225XU是一款超低成本轴运动的定位传感器。主要针对移动电话、玩具、游戏、......
期相变化内存(PCMorPRAM)市场战况火热，继三星电子(SamsungElectronics) 宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后，恒......
2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季......
美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(......
Fudzilla消息，英特尔今年将有SSD方面的大计划，预计在今年第四季度，公司将展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD产品。 这种SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34......
三星电子星期五公布了截止到3月31日的财年第一季度财务报告。由于内存芯片需求强劲和价格上涨以及手机和平板电视机销售的增长，三星电子第一季度的净利润同比增长了6倍，达到了创纪录的水平。 三星电子第一季度的净利润是......
43.2%在阅读
23.2%在互动
