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据国外媒体报道，日本国内的半导体巨头重新开启了增产投资的大门。东芝公司一直生产手机等设备上使用的闪存，并在该领域排名全球第二，该公司计划与美国公司共同出资1500亿日元，以提高这方面的产能，增产程度约为4成。尔必达公......
自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1,500亿日圆(约16亿美元)于NAND Flash事业，提高约4成产能;......
自2008年春Intel推出Atom平台之后，Intel近日又正式推出了第二代Atom平台产品：Intel新款Pinetrail平台的核心部件N450 Atom等多款Atom处理器以及NM10芯片。比之前人们所预计的......
据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。 报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为......
德国莱布尼茨固体与材料研究所17日宣布，他们的一项理论计算结果显示，六碳环结构与钴聚合物有望使硬盘存储密度增加近千倍，其存储寿命有可能明显超过当前磁性记录存储技术大约10年的存储寿命极限。 据该机构专家介绍，这......
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli最新研究数据显示，第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。 全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.......
LSI 公司日前宣布向 OEM 客户提供 LSISAS2208 双核 6Gb/s SAS 片上 RAID (RoC) IC 样片。高性能 LSI™ SAS RoC 旨在支持 PCI-SIG® 目前......
东京大学宣布已经开发出一种可弯曲的快闪记忆体，这种记忆体完全由有机材料打造，额定读取和擦除电压分别为1V和6V，可惜的是寿命不长，数据只能被写入和擦除超过1000次左右。 这种存储器的用途广泛，可以用于大面积的......
尔必达公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3内存芯片产品的开发工作，并称使用这种新制程技术制作出的内存芯片在制作成本方面要比现有的50nm制程内存芯片更低。当应用在30......
日刊工业新闻报导，由于扩展应用范围及降低成本不易，尔必达(Elpida)计划停止研发相位变化随机存取存储器 (PRAM)。 尔必达监于30纳米技术已是DRAM产品细微化的技术极限，遂转而研发PRAM，甚至已送样......
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