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日本电脑芯片大厂Elpida Memory Inc. 预期芯片将出现短缺潮，因而计划在明年4月起的财年中，增加其资本支出。 尔必达社长兼执行长坂本幸雄周二在记者会上表示，尔必达下一个财年的资本支出可能将自本财年......
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求......
三星电子今天宣布将重组公司业务结构，同时任命崔志成(Choi Gee-sung)为首席执行官、任命前董事长李健熙的儿子李在镕(Jay Y. Lee)为公司首席运营官。 三星电子宣布，将把原来的“配件......
东芝公司本周一发布了据称为业内最大容量的64GB嵌入式NAND闪存模组。这种模组内建专用的控制器，并内含16个采用32nm制程技术制作的32Gbit存储密度的闪存芯片，这种闪存芯片的厚度则仅有30微米。 这......
台湾科研机构今天宣布,开发出全球第一个16纳米的SRAM新组件,由于可容纳晶体管是现行45纳米的10倍,这可使未来电子设备更轻薄. 台“国研院”成功开发出16纳米SRAM新组件,主要是创......
台湾DRAM产业暌违4年，2010年即将出现第6家上柜挂牌的DRAM新兵，尔必达(Elpida)旗下瑞晶计划在2010年申请挂牌上柜，为枯木逢春的存储器产业再添色彩!值得注意的是，目前尔必达对瑞晶持股达70%，申请挂......
台湾闪存芯片生产商旺宏电子新闻发言人林云龙今日表示，公司正考虑收购茂德科技旗下一座12英寸芯片生产工厂，他称“希望在农历新年前完成这样一笔收购交易”，但拒绝透露其中细节。 有台湾媒体报道......
据《韩国时报》报道，内存芯片厂商海力士半导体计划在2010年向芯片生产投入大约2.3万亿韩元(约20亿美元)，比2009年的资本开支增加一倍。 这项开支有1.5万亿韩元(大约13亿美元)用于DRAM内存生产，剩......
两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔......
DRAM景气逐渐触底反弹，相关业者预估2010年第2季DRAM每颗报价有机会落在2.2~2.5美元，不仅DRAM业者在2010~2011年大幅获利，DRAM封测厂也有机会调涨代工价格，模块厂的获利能力则将由过去暴利回......
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Roberto Bez，恒忆研发中心技术开发部研究员 2009-12-16
