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继今年二月份宣布成功试制出25nm制程NAND闪存芯片产品之后，Intel与镁光的合资公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布开始正式对外销售量产的25nm制程NAND......
据iSuppli市调公司2010年第一季度的NAND闪存市场调查报告显示，三星与东芝公司两家占据了NAND闪存市场的绝大部分份额，其中三星的营收 份额最高，达到了38.5%，东芝则位居第二为33.8%，两者合在一起占......
欧盟委员会19日裁定韩国三星等10家芯片制造商操纵市场价格的行为构成垄断，并开出总额达3.31亿欧元的罚单。 欧盟委员会当天发表声明说，这些企业在动态随机存储器(DRAM)销售上设定价格，其行为损害了市场竞争，......
市场调研机构Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市场份额公司排名情况。在Q1排名中市场份额扩大的优胜者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市场份额减少的失意者为海力士，尔必达，南亚和威邦。 Q1的市场排......
全球第二大内存厂商Hynix周二证实，已经接到欧盟通知，将因为非法操纵内存价格而遭到罚款。 Hynix表示，欧盟计划于周三宣布具体的罚款金额。此外，Hynix并未透露其他详情，包括将被罚款的其他芯片厂商等。关于......
三星电子前日宣布，今年的扩张资本支出将增加到18兆韩元(折合156亿美元)。计划将以11兆韩元扩充内存芯片产能，还将以5兆韩元与2兆韩元分别投入液晶显示器 (LCD)，以及电视与手机业务。此外，加上研发支出，预计三星......
三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬来台公开呼吁DRAM同业应该要节制扩产，但三星电子却于17日宣布，2010年将砸下26兆韩元(约折合2......
韩国媒体Korea Times独家获得海力士(Hynix)内部资料，显示该公司在2012年前，将投注9兆韩元(约79.4亿美元)的资本支出金额。由于不少大型存储器厂商提高投资，预料竞争将加剧。 除提高投资外，该......
据消息人士透露，包括韩国三星电子、德国英飞凌和韩国海力士半导体在内的10家存储芯片制造商，本周可能面临欧盟就非法定价祭出的罚款。上述消息人士称，“预计周三将做出罚款的决定”，“总罚......
原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出，一如市场预期，在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下，DDR2合约价最后持平开出，而DDR3合约价则是小涨2~3%;DRAM业者认为，在电子产业的传统淡季还能维持此结果......
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