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3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。......
2月28日消息，SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同，均为9.6Gbps，但在能效方面实现了显著提升。LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V......
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 ......
从AI服务器到AI PC，如何快速的用上DeepSeek成为热门问题。无论DeepSeek Janus-Pro把多模态提升到了一个新层次，还是媲美主流的DeepSeek-V3，或者应用于本地的DeepSeek-V3，对存......
NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期，NAND Flash市况将于6月好转，下半年表现将优于上半年，甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌，但供应商已开始......
该存算一体宏芯片在 28nm CMOS 工艺下流片, 可支持 BF16、FP8 浮点精度运算以及 INT8、INT4 定点精度运算。......
当地时间2月24日，NAND Flash厂商西部数据（Western Digital ）正式宣布，已成功完成对闪存业务的分拆计划。图片来源：西部数据据悉，分拆后的闪存业务将重新以独立的闪迪（Sandisk）公司名义运营，......
据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便......
据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今......
半导体周要闻（2025-2-17 to 2025-2-21）1 ) 长鑫存储DRAM份额将达10%，重塑内存格局根据半导体行业报道，长鑫存储的DRAM市场份额从2024年仅为5%到今年将飙升至10%，预计可与三星电子、S......
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