冲刺新品市占 三星拟停产旧规HBM

三星对此消息表示，无法确认。 但法人认为，HBM市场年复合成长率超过45%，三星传停产旧规格的HBM，应有助于三星加快技术迭代，并巩固其与SK海力士、美光的「三强争霸」地位。

与此同时，陆厂加快进攻高阶存储器市场。 长鑫存储宣布16nm DDR5 DRAM已量产，性能超越SK海力士12nm产品，并计划2025年将产能扩至每月18万片晶圆，目标2026年切入LPDDR5与车用DRAM，为未来进军HBM铺路。

长江存储则靠Xtacking混合键合技术快速追赶，量产全球首款270层3D NAND Flash，与三星、美光的层数差距逐渐缩小。

其232层QLC NAND亦已打入企业级储存市场，并与中国AI芯片厂密切合作，强化数据中心与边缘运算布局。

长鑫与长江分属DRAM与NAND两大领域，但双方技术协作潜力备受关注。 例如，长鑫若掌握DRAM堆叠与混合键合（Hybrid Bonding）技术，长江拥有Xtacking（透过硅通孔/TSV技术）经验，双方可望结合实现中国版本的HBM堆叠技术。

法人指出，三大内存原厂掌控市场主导权，但陆厂急起直追，影响不可小觑。 近年陆厂以价格战冲击市占，导致2023~2024年存储器均价下跌逾6成。

价格战促使三星与SK海力士选择减产，而长鑫与长江则逆势扩产，以产能换市占策略突破封锁。

法人预期，三星未来将扩大HBM3E产能，并计划2025年推出12层堆叠的HBM4。 同时，也将加速汰除旧世代DRAM与NAND产线。业界分析，地缘政治风险升高，全球记忆体供应链加速区域化。 美韩阵营强化与欧盟、印度合作，而中国大陆则凭借庞大内需推动国产替代。 未来五年，两大阵营在技术与市场的竞争态势，将成为半导体产业的关键观察指标。