LPDDR5内存韩美企业“三雄争霸”，中国进展如何？

然而，新技术的诞生往往意味着产能爬坡、良率问题，反馈到市场上即采购成本较高。可以说，手机厂商将无法回避采购价格和性能提升之间的矛盾。雷军也曾表示，“LPDDR5唯一缺点就是成本比较贵”。但预计过一段时间也会降到合理水平，并下沉至更多中高端5G智能手机中。

中国公司进展如何？

在LPDDR5将成“5G时代旗舰标配”背后，三星、美光、SK海力士不仅走在存储芯片技术前沿，拥有大量专利，而且市场占有率总计接近95%。而国内相关技术积累较薄弱，自给能力不足。赛迪数据显示，2018年中国大陆进口存储芯片价值已超1200亿美元，同比增38.3%。

DRAMeXchange数据截图

突围存储行业成为国家战略议题。2014年6月，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，开始集中力量发展存储芯片等。在布局的三大基地中，武汉新芯于2016年7月被紫光集团收购，后更名为长江存储。该公司拥有规模为240亿美元的存储芯片制造中心，但主要是NAND闪存。

与长江存储不同，福建晋华成立初期致力于DRAM存储芯片开发。不过，由于相对缺乏技术积累，晋华选择了与台湾联电合作引进技术的道路。自2016年5月起，晋华提供数亿美元资金采购研发设备，委托联电开发DRAM相关制程技术。成果双方共有，整体技术完成后，再转移到晋华进行量产。

在晋华已整体投入达约56亿美元时，原本预计于2018年底投入DRAM内存的试产，这将意味着中国大陆首个DRAM内存自制成功。但是由于美光公司的诉讼，美国政府在2018年10月将晋华列入“实体名单”，并实行禁运。随后联电宣布中止与晋华合作，撤走研发人员，整个工程陷入停摆至今。

在国际新态势下，紫光集团于去年6月宣布重启DRAM计划并组建DRAM事业群，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长，“台湾DRAM教父”高启全任DRAM事业群CEO。不到两个月后，紫光集团在重庆成立紫光国芯公司，建设DRAM存储芯片制造工厂，计划2021年完成。

上图：高启全，下图：坂本幸雄

存储行业人才是“瑰宝”。紫光集团于2019年11月15日再宣布，前日本尔必达社长坂本幸雄出任集团高级副总裁兼日本分公司CEO。他后来在接受采访时曾表示，紫光的目标是5年内量产DRAM内存，且将在日本设立开发中心。据悉，紫光内部已计划在未来十年内投资8000亿元人民币，以加快DRAM量产。

目前，国内DRAM内存的最大希望在于合肥长鑫存储。去年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布：总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片项目正式投产，同时其10nm级第一代8Gb DDR4在大会上首度亮相。这标志我国在DRAM内存芯片领域实现量产技术突破。

据悉，长鑫存储正在使用10G1工艺技术（即19nm工艺）制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市，并将使用同样的技术在2020年下半年制造 LPDDR4X内存。长鑫存储的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存，但尚未公布具体时间。

在产能方面，长鑫存储12英寸晶圆制造基地项目于2016年由合肥产投和北京兆易创新(341.130, 14.06, 4.30%)合作投资，是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目。当前月产能2万片，该公司计划在2020年第二季度将产能提高一倍，约占全球内存产能的3%。

为提升产能，长鑫存储计划再建两座晶圆厂，图为厂房效果图

图源：长鑫存储

值得一提，长鑫存储最初的DRAM技术重要来源是德国的奇梦达。通过与这家曾位居全球第二的DRAM制造商合作，长鑫存储将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中。目前，该公司已拓展更广泛的研发合作，且一直在从韩国和中国台湾地区招募工程师，以建立DRAM相关人才储备。

结语

相比前代产品LPDDR4x，LPDDR5确实具备更优异的性能、速率和功耗表现，但还不至于所谓的“跨越性升级换代”。某种程度上，LPDDR4属于4G手机时代，而LPDDR5似乎为5G手机而生，并且具备更好的应用扩展性。在这一具备市场前景的领域，三星、美光和SK海力士已然开始攻城略地，并将与“买单”的智能手机厂商相互推动或拉锯。

2019年8月27日，重庆市与紫光集团签署项目合作协议，建设DRAM存储芯片制造工厂

鉴于当前国际形势和存储行业现状，中国不仅需要有自主的DRAM制造能力，也需要奋起直追、以先进产品破局。尽管行业存在高投入、高风险、周期长等特性，但如果政府统筹发展、整合各方资源，企业坚持长期、大力投入科研，市场积极推进国产化战略等方面有机化合，或许有理由相信：在14亿人的大地上并无难事，“只要肯登攀”。