三星和台积电偷笑：就算Intel技术牛又奈我何？

　　代工厂一直在进步

　　不可否认，在芯片制造业，各大代工厂尤其是三星和台积电的进步非常之大，并且正在加快步伐缩减与英特尔的技术差距，尽管英特尔长期处于领先，但当前十分需要将差距拉开更大。

　　我们不清楚英特尔是否是缺乏竞争压力，但在移动领域，三星14纳米FinFET、台积电16纳米FinFET两大工艺的竞争可谓空前惨烈，从合伙代工苹果A9，到争抢各路订单，杀得好不热闹。更重要的是，两大代工厂已经做好了部署全新工艺制程的准备，不止是第二版，还包括第三版。

　　例如说，台积电第一代是标准的16纳米FinFET工艺，之后推出的第二代FinFET Plus(FF+)增强版已经部署。至于下一代FinFET Compact(FFC)也已经完成了设计研发，并确定本季度就可以投入量产，提前了大半年。

　　三星方面，其第一代14纳米是Low Power Eatly(LPE)，现在第二代Low Power Plus(LPP)已经开始量产，重点产品为Snapdragon 820和Exynos 8890。三星高管声称，衍生于第二代的下一版14纳米也将很快推出。

　　更长远的计划上，无论是三星和台积电都已经开始朝着10纳米的目标迈进。台积电表示，10纳米今年即可试产，正式批量生产等到2016年年底，或者是2017年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的线路图，坚称2016年年底10纳米就可量产，2017年一定会出现在手机和平板电脑上。

　　反观英特尔，不仅桌面处理器“Tick-Tock”策略在两年前已经被打破，而且第一款基于10纳米工艺的产品按计划要等至2017年下半年才能推出。除非英特尔改革研发模式，否则今年年底将丧失工艺领先的地位。作为半导体芯片领域的巨头，英特尔长期自信满满，但在当前竞争环境中，还真的得加把劲了。