三星和台积电偷笑：就算Intel技术牛又奈我何？

　　工艺是一回事，那晶体管的实际性能呢?

　　多年以来，英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术，只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且，难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代FinFET工艺，毕竟其余竞争对手在其14纳米问世时，均处于第一代FinFET工艺水平。简单的说，英特尔14纳米正式问世之初，从晶体管性能的角度来看，整整领先了竞争对手一代。

　　在很多对芯片深度评测的机构报告中，尤其是权威站点ChipWorks，我们可以看到英特尔14纳米晶体管所有性能指标均领先于其他竞争对手。更重要的是，ChipWorks通过先进的透射电子显微镜观察分析发现，英特尔14纳米芯片的晶体管鳍片间距做得最为紧密，堪称这个星球上迄今最先进的半导体工艺，全面领先代工厂的14/16纳米。

　　英特尔22纳米和14纳米晶体管鳍片细节对比：

　　所以，质疑英特尔在晶体管性能优势竞争中落后的人都该闭嘴了。为什么，将下面三星的14纳米FinFET工艺晶体管细节与上面英特尔的对比就能明白。在22纳米时代，英特尔的晶体管鳍片的确不够出色，但14纳米鳍片看起来已近乎“垂直”，使得了鳍片更高、更薄，更易于提高晶体管的驱动电流和性能。

　　而三星的14纳米FinFET工艺晶体管细节，请注意看，很显然更像是2011年英特尔22纳米工艺时代的水平，宣称超越难免有点大嘴了，毕竟无论如何还是基于第一代FinFET工艺打造。

　　三星14纳米FinFET晶体管细节图：

　　当然了，性能突飞猛进不太现实，而且英特尔考虑到了移动领域和其他应用的竞争，毕竟在这些领域不需要非常高的CPU频率。但说到频率，英特尔的14nm驾驭大于4GHz不会存在任何技术障碍，而代工厂的14/ 16纳米当前仍然相当困难。