EV Group将与CEA-Leti共同开发三维积层技术

　　奥地利EV Group(EVG)宣布，将与法国CEA/Leti(法国原子能委员会的电子信息技术研究所)共同开发TSV(硅通孔)等三维积层技术。EVG将向CEA/Leti提供支持300mm晶圆的接合和剥离技术。计划于2009年5月向CEA/Leti供货上述装置系统。此次的共同开发，将加速TSV技术的实用化进程。

　　一般情况下，在生产三维积层元器件时将硅晶圆研磨变薄的工序中，为保持研磨的晶圆强度需要使用支持底板。而支持底板临时粘合后要进行剥离。EVG提供的就是临时粘合工序中的技术。双方已经共同生产了采用TSV技术的三维积层元器件。CEA/Leti擅长硅晶圆上的微纳米技术和纳米技术。

　　EVG通过此次的共同开发，加深了与CEA/Leti和与EVG和CEA/Leti有合作关系的美国Brewer Science之间的关系。双方表示，“通过进行共同开发，不但能彰显材料厂商、装置厂商和研究机构之间合作的相乘效果，还能进一步提高三维积层元器件的性能及寻求临时粘合技术的新需求”。