英特尔呛：技压晶圆代工厂3.5年

　　英特尔技术及制程事业群总经理William Holt在2014年投资人会议中表示，英特尔的电晶体制程技术在过去10年的三个技术世代，均领先晶圆代工厂至少3年以上时间。

　　英特尔上周召开2014年投资人会议(Investor Meeting 2014)，英特尔技术及制程事业群总经理William Holt表示，英特尔的电晶体制程技术在过去10年的三个技术世代，均领先晶圆代工厂至少3年以上时间。

　　英特尔2013年5月进行14奈米制程生产，今年第1季良率进入成熟稳定阶段。

　　William Holt在2014年投资人会议中表示，2003年以来，半导体市场经历3次重大的技术改变，英特尔的制程均遥遥领先台积电、格罗方德、三星、IBM等晶圆代工厂。

　　William Holt表示，英特尔在2007年中开始导入高介电金属闸极(HKMG)技术，晶圆代工厂是2011年之后才开始跨入HKMG制程，晚了英特尔3.5年时间。再者，英特尔2011年末率先采用3D电晶体22奈米Tri-Gate制程，但晶圆代工厂要等到2015年中之后，才可望量产同属3D电晶体世代的鳍式场效电晶体(FinFET)技术，也就是说，在Tri-Gate或FinFET技术上，晶圆代工厂仍落后英特尔3.5年。

　　英特尔也公布了14奈米电晶体尺寸细节，在电晶体闸极间距(gate pitch)达70奈米、内连结间距(interconnect pitch)仅52奈米，是目前电晶体最小间距的技术。

　　William Holt表示，由闸极间距乘以金属间距(metal pitch)逻辑晶片尺寸(logic area scaling)角度，晶圆代工厂的20奈米及16/14奈米属于同一世代制程，但英特尔14奈米的尺寸更小。以制程微缩的速度，晶圆代工厂要等到2017年进入10奈米世代后，尺寸大小才有机会赢过英特尔的14奈米。