明年资本支出 台积将首超三星、英特尔

　　先进制程成为半导体巨擘兵家必争之地，台积电日前于法说会上初透口风，表示明年资本支将约略高于100亿美元，主要将用于16奈米制程的产能布建及10奈米的准备工作。工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)则估，台积电明年资本支出可望达到115亿美元，超越英特尔、三星。

　　IEK分析，今年全球半导体厂商的资本支出估达643.6亿美元、年增8.4%，其中三星、英特尔、台积三强均超过百亿美元。如此庞大的资本支出，即是由于在扩大产能之余，先进制程的研发投资成本亦跟着水涨船高。举例来说，一条20奈米产线的投资金额就高达70亿美元。

　　IEK进一步指出，半导体厂商资本支出呈现大者恒大趋势，2013年前十大半导体厂商的资本支出占全球半导体产业总资本支出达8成、前三大厂商资本支出占全球比重更达到5成。若检视今年资本支出状况，可发现除三星下滑外，其他主要半导体厂商均较去年成长。IEK预估，受中国大陆政府大力支持的晶圆代工厂中芯(SMIC)，今年资本支出更年增140%、来到15.65亿美元，这个数字已超越联电(2303)今年资本支出的12亿美元。

　　展望明年，IEK认为，台积资本支出可望首度超越三星、英特尔，前提是三星预订豪掷150亿美元兴建的平泽晶片厂，明年尚未开始动工。